近年來，隨著國內(nèi)積極發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)以及市場需求提升，各地出現(xiàn)了不少晶圓生產(chǎn)線擴產(chǎn)項目及新項目，以下將盤點目前國內(nèi)各地在建晶圓生產(chǎn)線項目情況——
北京
燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測平臺建設項目（8英寸）
項目單位：北京燕東微電子科技有限公司
項目內(nèi)容：燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測平臺建設項目總投資48億元，以研發(fā)自主可控的8英寸LCD驅(qū)動IC、LDMOS、IGBT等產(chǎn)品為主要目標，建成后將形成月產(chǎn)5萬片晶圓芯片、年封裝超過23億只集成電路產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化能力。
項目進展：2016年9月，燕東微電子正式啟動8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測平臺建設項目；2018年6月，該項目主體結(jié)構(gòu)FAB1廠房封頂；2019年6月25日，該項目迎來首臺設備搬入。
賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設項目（8英寸）
項目單位：賽萊克斯微系統(tǒng)科技(北京)有限公司
項目內(nèi)容：賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設項目總投資近26億元，建設內(nèi)容包括一座8英寸晶圓生產(chǎn)廠房以及研發(fā)樓，此外還將建設動力廠房、化學品庫、危險品庫、硅烷站等配套設施。該項目主要開展8英寸MEMS半導體晶圓加工工藝，項目最終達產(chǎn)后將形成年投片3萬片/月的生產(chǎn)能力。
項目進展：2018年11月，賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設項目進行主廠房上梁，有望在2019年12月建成通線，進行產(chǎn)品試生產(chǎn)。
無錫
華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地（一期）（12英寸）
項目單位：華虹半導體（無錫）有限公司
項目內(nèi)容：華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目占地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應用。華虹無錫基地項目將分期建設數(shù)條12英寸集成電路生產(chǎn)線，首期項目實施后將適時啟動第二條生產(chǎn)線建設。
項目進展：華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目（一期）于2018年3月2日正式啟動建設，2019年6月6日實現(xiàn)首批光刻機搬入，預計將于2019年9月建成投片。
海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠房項目（8英寸）
項目單位：海辰半導體（無錫）有限公司
項目內(nèi)容：海辰半導體是由SK海力士旗下晶圓代工廠SK海力士System IC公司與無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團有限公司合資建立，主要由SK海力士System IC提供8英寸晶圓生產(chǎn)設備等有形與無形資產(chǎn)，無錫產(chǎn)業(yè)集團則主要提供廠房、用水等必要基礎設施，規(guī)劃月產(chǎn)能為10萬片8英寸晶圓。
項目進展：海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠房項目于2018年5月23日開工，2019年2月28日廠房封頂。
淮安
德淮半導體年產(chǎn)24萬片12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線項目（12英寸）
項目單位：德淮半導體有限公司
項目內(nèi)容：德淮半導體有限公司成立于2016年1月，總投資450億元，項目首期預計投入120億元，為年產(chǎn)24萬片的12英寸晶圓廠，占地257畝，是第一家專注于CMOS影像傳感器（CMOS Image Sensor，CIS）的半導體公司。
項目進展：2018年12月，報道稱德淮半導體項目一期廠房工程順利通過消防驗收；今年3月，淮安日報報道稱德淮半導體項目處于設備進場調(diào)試階段。
江蘇時代芯存相變存儲器項目（12英寸）
項目單位：江蘇時代芯存半導體有限公司
項目內(nèi)容：江蘇時代芯存相變存儲器項目總投資130億元，一期投資43億元，占地276畝。全面建成后將達到年產(chǎn)10萬片12英寸相變存儲器的產(chǎn)能，預計年可實現(xiàn)銷售45億元，利稅3億元。
項目進展：江蘇時代芯存相變存儲器項目于2017年3月動工，2017年11月主廠房封頂，2018年3月工廠竣工運營；今年3月，淮安日報報道稱該項目部分產(chǎn)品的前端工藝已在代工方投片，今年第三季度將正式下線。
中璟航天半導體全產(chǎn)業(yè)鏈項目（8英寸）
項目單位：江蘇中璟航天半導體實業(yè)發(fā)展有限公司
項目內(nèi)容：中璟航天半導體全產(chǎn)業(yè)鏈項目總投資120億元，占地703畝。其中將建設2條年產(chǎn)24萬片8英寸CMOS圖像傳感器晶圓廠，總投資60億元，占地203畝，廠房面積為13.71萬平方米，其中最大單體廠房面積為3.96萬平方米，同時設立CMOS圖像傳感器設計公司以及相關(guān)封裝測試廠和模組廠。
項目進展：中璟航天半導體全產(chǎn)業(yè)鏈項目于2017年12月10日正式開工奠基，目前正在建設第一條生產(chǎn)線。
武漢
長江存儲國家存儲器基地項目（12英寸）
項目單位：長江存儲科技有限責任公司
項目內(nèi)容：長江存儲國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，項目總投資240億美元，占地面積1968畝，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房，其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。該項目將分三期建設，其中一期項目產(chǎn)能規(guī)劃為10萬片/月，整個項目完成后總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
項目進展：長江存儲國家存儲器基地項目（一期）于2016年12月30日正式開工建設，2017年9月一號生產(chǎn)及動力廠房，2018年4月生產(chǎn)機臺正式進場安裝，32層3D NAND閃存芯片已研發(fā)成功，預計將于今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片。
武漢弘芯半導體制造項目（12英寸）
項目單位：武漢弘芯半導體制造有限公司
項目內(nèi)容：武漢弘芯半導體制造有限公司是目前全國半導體邏輯制程單廠中投資規(guī)?模最大，技術(shù)水平最先進的12英寸晶圓片生產(chǎn)基地。其中項目一期設計月產(chǎn)能4.5?萬片，預計2019年底投產(chǎn)；二期采用最新的制程工藝技術(shù)，設計月產(chǎn)能4.5萬?片，預計2021年第四季度投產(chǎn)。?
項目進展：媒體報道稱，弘芯半導體項目一期、二期相繼于2018年4月、2018年9月開工；2019年7月4日，武漢弘芯半導體制造項目103廠房主體結(jié)構(gòu)封頂。
上海
積塔半導體特色工藝生產(chǎn)線項目（8英寸&12英寸）
項目單位：上海積塔半導體有限公司
項目內(nèi)容：積塔半導體特色工藝生產(chǎn)線項目占地面積23萬平方米，項目總投資359億元，目標是建設月產(chǎn)能6萬片的8英寸生產(chǎn)線和5萬片12英寸特色工藝生產(chǎn)線。產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)?；a(chǎn)能力。
項目進展：積塔半導體特色工藝生產(chǎn)線項目于2018年8月正式開工，2019年5月21日該項目廠房結(jié)構(gòu)封頂，力爭今年年底前完成設備搬入。
天津
中芯國際天津產(chǎn)能擴充項目（8英寸）
項目單位：中芯國際集成電路制造（天津）有限公司
項目內(nèi)容：中芯國際天津產(chǎn)能擴充項目是對中芯國際天津晶圓廠原有產(chǎn)能4.5萬/月產(chǎn)能的8英寸集成電路生產(chǎn)線進行產(chǎn)能擴充，該擴建項目預計投資金額15億美元，項目全部達產(chǎn)后，中芯天津8英寸晶圓月產(chǎn)能將達15萬片，產(chǎn)品主要應用方向包括物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)、指紋識別、電源管理、數(shù)模信號處理、汽車電子等。
項目進展：2016年10月，中芯國際正式啟動中芯天津產(chǎn)能擴充項目；2017年7月，該產(chǎn)能擴充項目中體量最大的單體項目T1B主生產(chǎn)廠房正式破土動工；2018年4年，T1B主生產(chǎn)廠房正式封頂，2018年7月首臺設備進駐。
南京
紫光南京集成電路基地項目一期（12英寸）
項目單位：南京紫光存儲科技有限公司
項目內(nèi)容：南京紫光存儲器生產(chǎn)線項目將分為一期、二期、三期三個建設階段，本項目建設階段為一期，是紫光集團的第2條存儲芯片生產(chǎn)線。本項目將建成12英寸（3D NAND）存儲器生產(chǎn)線，并開展存儲器及關(guān)聯(lián)產(chǎn)品（模塊、解決方案的研發(fā)、制造和銷售），設計產(chǎn)能為10萬片/月。
項目進展：紫光南京集成電路基地項目一期已于2018年9月30日進行樁基工程開工，根據(jù)規(guī)劃，2019年該項目將進行主體施工建設。
成都
紫光成都集成電路基地項目（一期）（12英寸）
項目單位：成都紫光國芯存儲科技有限公司
項目內(nèi)容：紫光成都集成電路基地項目（一期）總投資702.31億元，主要新建1條12英寸晶圓代工生產(chǎn)線，主要從事12英寸存儲器芯片3D NAND生產(chǎn)，本項目建成后，將形成年產(chǎn)12英寸存儲器芯片（3D NAND Flash儲存器芯片）120萬片的生產(chǎn)能力。
項目進展：紫光成都集成電路基地項目（一期）于2018年10月正式開工建設。
青島
芯恩（青島）集成電路項目（8英寸&12英寸）
項目單位：芯恩（青島）集成電路有限公司
項目內(nèi)容：芯恩（青島）集成電路項目是中國首個協(xié)同式集成電路制造(CIDM)項目，總投資約150億元，該項目建成后可實現(xiàn)8英寸芯片、12英寸芯片、光掩膜版等集成電路產(chǎn)品的量產(chǎn)。其中一期總投資約81億元，將新建8英寸集成電路生產(chǎn)線1條、12英寸集成電路生產(chǎn)線1條、光掩膜版生產(chǎn)線1條，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸芯片36萬片、12英寸芯片3.6萬片、光掩膜版1.2萬片。
項目進展：2018年5月，芯恩（青島）集成電路項目一期正式開工，項目計劃2019年底一期整線投產(chǎn)、2022年滿產(chǎn)。
重慶
重慶萬國半導體12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地項目（12英寸）
項目單位：重慶萬國半導體科技有限公司
項目內(nèi)容：重慶萬國半導體項目于2016年由美國AOS、重慶戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金和重慶兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金共同出資組建。該項目一期投資5億美元，主要建設規(guī)模為月產(chǎn)2萬片12英寸功率半導體芯片、月產(chǎn)500KK功率半導體芯片封裝測試。二期計劃投資5億美元，建設月產(chǎn)5萬片12英寸功率半導體芯片、月產(chǎn)1250KK功率半導體芯片封裝測試。
項目進展：重慶萬國半導體項目于2017年2月動工建設，其中封測廠于2018年1月開始搬入設備并裝機，晶圓廠于2018年3月開始搬入設備并裝機，項目現(xiàn)已進入試生產(chǎn)。
廣州
粵芯半導體12英寸集成電路生產(chǎn)線項目（12英寸）
項目單位：廣州粵芯半導體技術(shù)有限公司
項目內(nèi)容：粵芯半導體項目投資70億元，新建廠房及配套設施共占地14萬平方米。建成達產(chǎn)后，粵芯半導體將實現(xiàn)月產(chǎn)40000片12英寸晶圓的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、5G等創(chuàng)新應用的模擬芯片需求。
項目進展：粵芯半導體項目于2018年3月開始打樁，2018年10月完成主廠封頂，目前粵芯半導體第一階段的生產(chǎn)線調(diào)試已完成，首批樣品已出貨，按計劃將于9月量產(chǎn)。
廈門
士蘭微廈門12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進化合物半導體生產(chǎn)線（12英寸）
項目單位：廈門士蘭集科微電子有限公司
項目內(nèi)容：士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司共同投資220億元人民幣，在廈門規(guī)劃建設兩條12英寸90～65nm的特色工藝芯片生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產(chǎn)線。其中兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線總投資170億元，第一條總投資70億元，規(guī)劃產(chǎn)能8萬片/月，分兩期實施；第二條芯片制造生產(chǎn)線預計總投資100億元。
項目進展：該項目于2018年10月正式開工建設，半化合物半導體芯片及12英寸特色工藝半導體芯片制造生產(chǎn)線分別計劃在今年第四季度和明年試投產(chǎn)。
寧波
中芯國際8英寸特種工藝產(chǎn)線項目（8英寸）
項目單位：中芯集成電路（寧波）有限公司
項目內(nèi)容：中芯國際8英寸特種工藝產(chǎn)線項目總投資額約55億元人民幣，規(guī)劃用地約192畝，目前有N1（小港）與N2（柴橋）兩個項目，將建成中國最大的模擬半導體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設計服務平臺。
項目進展：中芯集成電路（寧波）有限公司正式揭牌于2016年11月正式揭牌成立，2018年11月中芯寧波N1項目正式投產(chǎn)，N2項目也已開工建設。
紹興
中芯集成電路制造（紹興）項目（8英寸）
項目單位：中芯集成電路制造（紹興）有限公司
項目內(nèi)容：中芯集成電路制造（紹興）項目總投資58.8億元，用地207.6畝，新建14.65萬平米的廠房，建設一條集成電路8寸芯片制造生產(chǎn)線和一條模組封裝生產(chǎn)線，一期規(guī)劃建設總用地面積138386平方米，建成達產(chǎn)后將形成芯片年出貨51萬片和模組年出貨19.95億顆的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，規(guī)?；慨a(chǎn)麥克風、慣性、射頻、MOSFET以及IGBT等產(chǎn)品的芯片和模組。
項目進展：2018年5月18日，中芯集成電路制造（紹興）項目正式開工奠基，主體工程今年6月已結(jié)頂，媒體報道稱將于明年3月實現(xiàn)主要產(chǎn)品量產(chǎn)。
濟南
富能高功率芯片生產(chǎn)項目（8英寸&6英寸）
項目單位：濟南富能半導體有限公司
項目內(nèi)容：富能高功率芯片生產(chǎn)項目將建設8英寸晶圓廠功率半導體器件（主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6英寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地，項目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。
項目進展：今年3月15日，富能半導體高功率器件項目開工。
合肥
長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目（300mm）
項目單位：合肥長鑫集成電路有限責任公司
項目內(nèi)容：長鑫12吋存儲器研發(fā)項目總占地1582畝，總投資約80億美元（約550億元），規(guī)劃月產(chǎn)12.5萬片DRAM存儲器晶圓。項目采取一次規(guī)劃、分三期實施，首期計劃投資約180億元，建設12吋存儲器研發(fā)線。
項目進展：合肥長鑫項目一期已于2018年1月完成建設一廠并開始安裝設備，2018年7月16日項目投片。按照規(guī)劃，該項目將于2019年末實現(xiàn)產(chǎn)能每月2萬片。
大連
宇宙半導體8英寸功率半導體器件生產(chǎn)線項目（8英寸）
項目單位：大連宇宙半導體有限公司
項目內(nèi)容：宇宙半導體8英寸功率半導體器件生產(chǎn)線項目投資24億元，計劃年產(chǎn)24萬片8英寸功率半導體器件芯片，產(chǎn)品主要應用于新能源發(fā)電、儲能、超級計算機、云計算網(wǎng)絡、服務器、個人電腦、UPS電源、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。
項目進展：該項目于2016年9月開工，2017年3月進入土地夯實平整階段，暫未搜索到更多信息。
如有遺漏歡迎在公眾號后臺留言。
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