據(jù)新華社5月17日報道，三星半導(dǎo)體存儲芯片二期項目在西安的投資將超過140億美元。

據(jù)了解，三星半導(dǎo)體存儲芯片項目于2012年成功入駐西安高新區(qū)，主要生產(chǎn)“V－NAND”閃存芯片。2014年5月，項目一期竣工投產(chǎn)。值得注意的是，一期項目計劃投資金額為70億美元，但實際總投資比計劃投資額超過了30億美元，高達逾100億美元。

至于二期項目，三星電子早在2017年曾表示，未來3年內(nèi)將向其西安工廠投資70億美元，用于生產(chǎn)NAND閃存芯片。而目前，三星二期項目已于2018年3月開工建設(shè)，預(yù)計今年7月份建成，2020年一季度實現(xiàn)量產(chǎn)。

根據(jù)三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基表示，三星半導(dǎo)體的存儲芯片二期項目總投資將超過140億美元，主要分為兩個階段，其中第一階段投資70億美元，盡管第二階段的詳細計劃還未出爐，但預(yù)計會超過70億美元。