根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體廠商三星電子旗下位于華城的工廠發(fā)生了跳電事故，影響了DRAM、NAND Flash，以及采用EUV技術(shù)的系統(tǒng)半導(dǎo)體生產(chǎn)部分。

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)指出，三星電子位于韓國(guó)華城的工廠，在2019年12月31日發(fā)生了短暫的跳電情況，使得華城廠區(qū)內(nèi)的部分工廠短暫停產(chǎn)。整個(gè)跳電的時(shí)間約1分鐘，之后立即恢復(fù)了供電，目前三星正在積極的進(jìn)行產(chǎn)線檢查，在了解受損程度之后，以便在最短時(shí)間內(nèi)恢復(fù)生產(chǎn)。

據(jù)了解，這次三星電子華城廠區(qū)的跳電事件，影響的是生產(chǎn)DRAM的Line 12產(chǎn)線，以及生產(chǎn)Nand Flash的Line 13產(chǎn)線，另外還有以EUV（extreme ultraviolet）技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)的LSI（large-scale integration）部分。

根據(jù)市場(chǎng)人士估計(jì)，由于是生產(chǎn)DRAM的Line 12產(chǎn)線，以及生產(chǎn)NAND Flash的Line 13產(chǎn)線都屬于制程比較落后的產(chǎn)線，因此受影響較大的部分的將會(huì)是在以EUV來生產(chǎn)系統(tǒng)半導(dǎo)體的領(lǐng)域，整體損失金額可能達(dá)到3,000萬美元。

至于，會(huì)發(fā)生跳電的原因目前并不清楚。只是，以中國(guó)臺(tái)灣的晶圓廠為例，在供電方面多半都設(shè)計(jì)有兩套回路，分別由兩個(gè)不同的變電所來供電，以降低因意外而發(fā)生跳電的風(fēng)險(xiǎn)。不過，如果發(fā)生大規(guī)模的天然災(zāi)害，例如地震而導(dǎo)致電廠停止運(yùn)轉(zhuǎn)的情況，這部分就另當(dāng)別論。因此，這次韓國(guó)三星華城廠區(qū)在無發(fā)生重大天然災(zāi)害情況下，卻發(fā)生跳電的情況，這個(gè)過程就必須好好地確認(rèn)。

至于，這次的跳電事件是否會(huì)影響市場(chǎng)上DRAM及NAND Flash的價(jià)格，就如同2019年6月份，日本存儲(chǔ)器大廠東芝在三重縣四日市的廠區(qū)發(fā)生跳電，造成市場(chǎng)供貨沖擊的狀況，目前還不得而知。

不過，日前三星才宣布，將在未來10年內(nèi)投資超過千億美元以發(fā)展系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，已達(dá)成未來登上全球系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)龍頭的計(jì)劃，會(huì)不會(huì)因?yàn)檫@樣的斷電事件而受到影響，未來還需要進(jìn)一步的觀察。