三星電子7日宣布，已開發(fā)出業(yè)界首個12層的3D-TSV（Through Silicon Via）技術(shù)。此技術(shù)透過精確的定位，把12個DRAM芯片以超過6萬個以上的TSV孔，進行3D的垂直互連，且厚度只有頭發(fā)的二十分之一。

三星指出，該技術(shù)封裝的厚度與目前的第二代8層高頻寬存儲器（HBM2）產(chǎn)品相同，能協(xié)助客戶推出具有更高性能與容量的次世代儲存產(chǎn)品，且無需更改其系統(tǒng)配置。

此外，新3D封裝技術(shù)還具有比現(xiàn)有的引線鍵合技術(shù)短的芯片間數(shù)據(jù)傳輸時間，能顯著提高速度并降低功耗。

三星電子TSP（測試與系統(tǒng)封裝）執(zhí)行副總裁Hong-Joo Baek表示，隨著各種新的高性能應(yīng)用的出現(xiàn)（如AI和HPC），能整合所有復(fù)雜的超高性能存儲器的封裝技術(shù)變得越來越重要。隨著摩爾定律達到其極限，預(yù)計3D-TSV技術(shù)的作用將變得更加關(guān)鍵。

此外，透過將堆疊層數(shù)從8個增加到12個，三星表示將很快能夠量產(chǎn)24GB高頻寬存儲器，其容量是當(dāng)今市場上8GB的三倍。