三星推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內存。該公司新的Flashbolt存儲器堆棧將性能提高了33%，并提供每個晶元雙倍容量以及每個封裝的雙倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，這是一個合適的場合，因為NVIDIA因其廣受歡迎的GV100處理器而成為HBM2內存最大的用戶之一。

三星的Flashbolt KGSD基于八個16-Gb存儲器晶元，這些晶元使用TSV（通過硅通孔）以8-Hi堆棧配置互連。每個Flashbolt封裝都具有1024位總線，每個引腳的數(shù)據(jù)傳輸速率為3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高達410GB/s的帶寬。

三星將其Flashbolt KGSD定位瞄準下一代數(shù)據(jù)中心，HPC，AI/ML和圖形應用程序。通過使用具有4096位存儲器界面的處理器的四個Flashbolt堆棧，開發(fā)人員可以獲得具有1.64TB/s峰值帶寬的64GB內存，這對于容量和帶寬需求大的晶元來說將是一個很大的優(yōu)勢。使用兩個KGSD，它們可獲得32GB的DRAM，峰值帶寬為820GB/s。

三星表示自己尚未開始批量生產Flashbolt HBM2E內存，但是已完成該技術的開發(fā)。