日前，新三板企業(yè)無錫新潔能股份有限公司（以下簡稱“新潔能”）發(fā)布首次公開發(fā)行股票招股說明書，擬在上交所上市。
根據(jù)招股書，新潔能本次擬公開發(fā)行股票不超過2530萬股，不低于發(fā)行后總股本的25%，擬募資10.21億元用于超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化等項(xiàng)目。
資料顯示，新潔能為國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)企業(yè)之一，采用Fabless模式并向封裝測(cè)試環(huán)節(jié)延伸產(chǎn)業(yè)鏈，主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，產(chǎn)品包括芯片及封測(cè)成品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。
在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的2016年及2017年中國半導(dǎo)體功率器件企業(yè)排行榜中，新潔能均名列“中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”。
具體而言，新潔能主要產(chǎn)品包括溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET和IGBT等半導(dǎo)體功率器件，已擁有覆蓋12V~1350V電壓范圍、0.3A~300A電流范圍的多系列細(xì)分型號(hào)產(chǎn)品，截至目前已擁有近1000種細(xì)分型號(hào)產(chǎn)品，并形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系。
此外，其600V和1200V的溝槽型場(chǎng)截止IGBT（Trench FS IGBT）、500V-900V的第三代超結(jié)功率MOSFET（Super Junction MOSFET）、30V-300V 的屏蔽柵功率MOSFET（SGT MOSFET）、12V-250V 的溝槽型功率MOSFET（Trench MOSFET）均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)及系列化。
新潔能于2016年9月正式于新三板掛牌上市，持有5%以上股份的股東為朱袁正、達(dá)晨創(chuàng)投、上海貝嶺、國聯(lián)創(chuàng)投、金浦新投，其中朱袁正為公司控股股東及實(shí)際控制人。目前新潔能擁有新潔能香港、電芯聯(lián)智控、電基集成3家全資子公司以及新潔能深圳分公司1家分公司，無參股子公司。
業(yè)績方面，2015年至2018年1-6月，新潔能分別實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入3.06億元、4.22億元、5.04億元、3.61億元，凈利潤分別為1507.89萬元、3619.75萬元、5228.00萬元、8193.63 萬元，主營業(yè)務(wù)收入占比為99%以上。
據(jù)招股書所稱，新潔能是國內(nèi)8英寸工藝平臺(tái)芯片投片量最大的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)公司之
一。其芯片代工供應(yīng)商包括華虹宏力、華潤上華、中芯集成和臺(tái)灣茂矽以及其他境內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè)，封裝測(cè)試供應(yīng)商包括長電科技、安靠、通富微電、上海捷敏等企業(yè)。
這次新潔能擬登陸上交所，申請(qǐng)公開發(fā)行人民幣普通股A股，發(fā)行數(shù)量為不超過2530.00萬股，募集資金總額將根據(jù)市場(chǎng)情況和向詢價(jià)對(duì)象的詢價(jià)情況確定。募集資金將用于“超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“半導(dǎo)體功率器件封裝測(cè)試生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”、“碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”和“補(bǔ)充流動(dòng)資金項(xiàng)目”共計(jì)五個(gè)募投項(xiàng)目。
上述五個(gè)募投項(xiàng)目合計(jì)投資總額約10.21億元，募集資金使用金額約10.21億元。新潔能董事會(huì)稱，截至2018年6月30日公司資產(chǎn)總額5.43億元，具有管理大規(guī)模資產(chǎn)及投資項(xiàng)目的經(jīng)驗(yàn)和能力，本次募集資金投資項(xiàng)目建成后，公司將進(jìn)一步豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)并提升技術(shù)開發(fā)、工藝改進(jìn)能力，提高公司競(jìng)爭力。
新潔能表示，未來將進(jìn)一步依托技術(shù)、品牌、渠道等綜合優(yōu)勢(shì)，全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT 的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，并投入對(duì)SiC 寬禁帶半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，提升公司核心產(chǎn)品競(jìng)爭力和國內(nèi)外市場(chǎng)地位。