受到終端市場需求疲弱，存儲器產(chǎn)業(yè)供過于求影響，存儲器產(chǎn)業(yè)兩大產(chǎn)品DRAM與NAND Flash價格皆在2018年開始走跌。

其中，DRAM價格已于2018年第四季正式反轉向下，終結價格連續(xù)九季上漲的超級周期(super cycle)，預計2019年合約價將持續(xù)走跌。而NAND Flash同樣因產(chǎn)出高于預期，加上庫存水位仍高，預估全年價格將出現(xiàn)25-30%的跌幅。

先從DRAM價格走勢來看，集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，DRAM合約價一般都是以季度合約的方式議定，所以價格通常只會一季調(diào)整一次。

但受到近期需求疲弱和庫存過高的影響，原先議定的第四季合約價已經(jīng)不具有市場競爭力，DRAM原廠必須透過降價刺激需求，因此在11月罕見出現(xiàn)合約價二次下修的情況。以目前成交方式來看，已有部分比重的DRAM合約價改以月(monthly deal)方式進行議價，顯示買方對于DRAM價格后勢看法悲觀。

展望明年第一季，DRAMeXchange指出，雖然各家對后續(xù)新增產(chǎn)能的計劃較為保守，但由于1Ynm制程良率持續(xù)改善、投入比重持續(xù)增加，以及三星平澤廠在今年第四季持續(xù)增產(chǎn)，整體供給面將較2018年第四季持續(xù)增加。

至于需求面，由于每年首季都是傳統(tǒng)需求淡季，加上2019年第一季智能手機的出貨力道恐怕較往年更為疲弱，可能將造成行動式存儲器價格跌幅擴大。從整體DRAM價格來看，明年第一季跌幅較今年第四季更為顯著恐怕是不可避免的狀況。

我們對明年整體DRAM價格走勢的預估為，第一季下跌幅度將超過10%( QoQ decline in low teens)，第二季將較第一季有高個位數(shù)(QoQ decline in high single digits)的下跌幅度，第三季與第四季價格也將持續(xù)下跌，幅度預估為中個位數(shù)(QoQ decline in mid-single digits)。

3D NAND Flash產(chǎn)能續(xù)增，2019年NAND Flash價格下跌25-30%

觀察NAND Flash價格走勢，2018年NAND Flash市場全年處于供過于求。其原因在于NAND Flash供應商3D 64層產(chǎn)品良率穩(wěn)定，產(chǎn)出高于預期；而年底旺季時又受到中美貿(mào)易沖突升溫、英特爾CPU缺貨以及蘋果新機出貨量不如預期等因素，導致旺季不旺。

展望2019年上半年，盡管原廠對擴充產(chǎn)能態(tài)度保守，甚至開始抑制擴產(chǎn)，但由于淡季影響，加上市場庫存水位仍高，供過于求的情況只會更加顯著，預估第一季NAND Flash合約價將再進一步走跌，跌幅約10%。

從2019年各項產(chǎn)品的需求評估來看，智能手機、筆記本電腦以及平板電腦等主要消費性產(chǎn)品的出貨量預估都不樂觀。

而服務器/資料中心對于Enterprise SSD需求雖然穩(wěn)定成長，但由于產(chǎn)品毛利較高，導致Enterprise SSD市場成為各供應商兵家必爭之地，使得價格競爭更加激烈，加上第一季服務器需求同樣受淡季影響，預期第一季的跌幅將高于10%。

DRAMeXchange認為，2019年下半年NAND Flash原廠是否放緩各自96層轉進速度與新產(chǎn)能擴充的腳步，將是影響屆時供需缺口的關鍵。以目前各廠商初步規(guī)劃來看，2019年第四季NAND Flash整體產(chǎn)能會比2018年第四季增加5%，其中，3D產(chǎn)能將會較2018年第四季大幅增加20%。

因此我們認為，NAND Flash業(yè)者未來很可能下修原先對于2019年資本支出的規(guī)劃。預估2019年全年NAND Flash價格將下跌25-30%。