近日，兆易創(chuàng)新發(fā)布最新財(cái)報(bào)，數(shù)據(jù)顯示，2020年第一季度，兆易創(chuàng)新共實(shí)現(xiàn)營收8.05億元，同比增長76.51%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.68億元，同比增長高達(dá)323.24%。兆易創(chuàng)新表示，2020年第一季度財(cái)報(bào)同比大漲，主要受消費(fèi)類、物聯(lián)網(wǎng)市場同期需求增加，而2019年第一季度受中美貿(mào)易摩擦影響市場需求疲軟。
資料顯示，兆易創(chuàng)新主要產(chǎn)品為閃存芯片產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品、以及2019年新增加的傳感器產(chǎn)品，其中閃存芯片產(chǎn)品主要為NOR Flash和NAND Flash兩類。2020年第一季度，兆易創(chuàng)新研發(fā)支出1.06億元，同比增長64.65%。
當(dāng)前，兆易創(chuàng)新正在積極布局?jǐn)U充其產(chǎn)品線，2019年，兆易創(chuàng)新依據(jù)業(yè)務(wù)經(jīng)營情況調(diào)整公司組織架構(gòu)，組建完成了存儲+MCU+傳感器為核心的三大事業(yè)部架構(gòu)，現(xiàn)有的業(yè)務(wù)布局分為存儲、MCU和傳感器三大方向。
對于2020年的的發(fā)展戰(zhàn)略，兆易創(chuàng)新表示，2020年，公司將繼續(xù)圍繞發(fā)展戰(zhàn)略和方向，持續(xù)加大技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)投入，提高存量市場占有率，把握新興領(lǐng)域增量市場，在強(qiáng)化技術(shù)和產(chǎn)品的核心競爭力的同時(shí)，還將大力推進(jìn)產(chǎn)品線和產(chǎn)能的布局。
其中，在NOR Flash產(chǎn)品方面，2020年兆易創(chuàng)新將實(shí)現(xiàn)55nm工藝產(chǎn)品全面量產(chǎn)，并提升產(chǎn)品容量，針對5G基站、AIOT、智慧城市、可穿戴式應(yīng)用等領(lǐng)域持續(xù)推出具有競爭力的多樣化產(chǎn)品。
在NAND Flash產(chǎn)品上，2020年兆易創(chuàng)新將實(shí)現(xiàn)24nm工藝平臺產(chǎn)品量產(chǎn)，同時(shí)針對SLC NAND產(chǎn)品，提升產(chǎn)品容量，推出中高容量解決方案，以滿足移動終端、智能化產(chǎn)品及中高容量市場需求，在5G帶動的AIOT領(lǐng)域持續(xù)開辟新增長點(diǎn)。
在MCU產(chǎn)品方面，兆易創(chuàng)新將不斷加強(qiáng)產(chǎn)品安全功能，為客戶提供安全可靠，功能豐富的無線MCU。同時(shí)配合通用MCU產(chǎn)品，拓展電源管理和電機(jī)驅(qū)動控制產(chǎn)品，為消費(fèi)、工業(yè)和新能源技術(shù)提供低功耗高性能電源解決方案。
傳感器產(chǎn)品方面，在光學(xué)方向上，思立微將在2020年進(jìn)一步完成超小封裝透鏡式光學(xué)指紋產(chǎn)品、超薄光學(xué)指紋產(chǎn)品、大面積TFT光學(xué)屏下指紋等創(chuàng)新產(chǎn)品的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并推出柔性大面積光學(xué)指紋；在超聲方向上，將基于已研發(fā)成功的超聲換能器結(jié)構(gòu)及工藝，搭配邊緣端的信號處理系統(tǒng)，進(jìn)一步拓展其在人機(jī)交互、體征監(jiān)測及汽車電子等方向的應(yīng)用。
值得注意的是，作為中國大陸閃存芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，兆易創(chuàng)新也在積極整合產(chǎn)業(yè)資源，布局DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，進(jìn)一步拓展并豐富公司產(chǎn)品線，提升公司的核心競爭力和行業(yè)影響力。
2019年9月，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行股票預(yù)案，擬募集資金總額不超過人民幣43億元，用于DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目及補(bǔ)充流動資金。項(xiàng)目開發(fā)目標(biāo)為研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計(jì)和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
兆易創(chuàng)新表示，2020年將繼續(xù)推進(jìn)公司非公開發(fā)行股票事項(xiàng)，擬募集資金不超過約43億元，用以研發(fā)1Xnm級工藝制程下的DRAM技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)大公司存儲器產(chǎn)品的種類與規(guī)模。此外，公司將繼續(xù)推進(jìn)合肥12英寸晶圓存儲器研發(fā)項(xiàng)目合作，探討在DRAM產(chǎn)品銷售、代工、以及工程端的多種合作模式。