存儲器大廠華邦電昨(23)日董事會核準(zhǔn)資本支出預(yù)算，金額約4.96億元（新臺幣，下同），將用于投入中科12英寸廠新制程研發(fā)設(shè)備等，加上先前通過的擴(kuò)產(chǎn)資本支出11.88億元，共將在中科廠投入至少16億元資本支出；由于中科廠近來營運效率明顯提升，華邦電在中科廠先進(jìn)行下世代新制程研發(fā)，新產(chǎn)能預(yù)計明年第2、3季到位。

華邦電高雄12英寸新廠7月已上梁，原預(yù)計初期以25納米DRAM投片，并于2021年底開始生產(chǎn)，不過，董事長焦佑鈞日前表示，由于中科12英寸廠營運效率明顯提升，加上存儲器價格仍不佳，因此高雄新廠裝機(jī)時間將延后至2022年第1季。

華邦電董事會今年10月下旬也通過，將投入11.88億元資本支出，用于擴(kuò)充產(chǎn)能與提升先進(jìn)制程生產(chǎn)能力，此資金便是為了提升中科12英寸廠下世代新制程產(chǎn)能的資本支出；而華邦電今日再通過4.96億元，用于投入中科12英寸廠新制程研發(fā)設(shè)備、廠務(wù)設(shè)施工程與軟體等，預(yù)計新產(chǎn)能將于明年第2、3季到位。

先前由于中科廠未有足夠空間擴(kuò)產(chǎn)，華邦電因此決定將20與25納米DRAM新制程，在高雄新廠生產(chǎn)，不過，在中科廠營運效率提升后，華邦電未來將先在中科廠導(dǎo)入新制程，并提升良率，再到高雄新廠投入量產(chǎn)。