繼6月底宣布組建DRAM事業(yè)群后，日前紫光集團(tuán)DRAM開始落地工廠建設(shè)。8月27日，重慶市政府與紫光集團(tuán)簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。
根據(jù)協(xié)議，紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金，在重慶建設(shè)DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。
據(jù)了解，紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設(shè)，預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。在芯片工廠建成前，紫光集團(tuán)先期在現(xiàn)有芯片工廠內(nèi)設(shè)立產(chǎn)品中試生產(chǎn)線，進(jìn)行產(chǎn)品生產(chǎn)工藝技術(shù)研發(fā)，待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產(chǎn)。
有備而來：重量級高管+良好基礎(chǔ)
進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域，紫光集團(tuán)有備而來。
兩個月前，紫光集團(tuán)宣布組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。這兩位人物相信業(yè)界人士均不陌生，兩者在集成電路及存儲芯片領(lǐng)域有著深厚的積累和經(jīng)驗。
刁石京在ICT領(lǐng)域擁有超過30年經(jīng)驗，被稱為中國ICT領(lǐng)域的靈魂人物，從業(yè)履歷出彩，去年正式加入紫光集團(tuán)，現(xiàn)擔(dān)任紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁、紫光國微董事長、紫光展銳執(zhí)行董事長、長江存儲執(zhí)行董事等職務(wù)。
高啟全自1980年起就一直在半導(dǎo)體及DRAM領(lǐng)域從業(yè)，是全球DRAM領(lǐng)域資深人士之一。他于2015年加入紫光集團(tuán)，現(xiàn)擔(dān)任紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO。
除了配置了兩位重量級高管外，事實上在DRAM領(lǐng)域紫光集團(tuán)亦早已有所積累。據(jù)了解，紫光集團(tuán)早在2014年期間就曾表達(dá)出發(fā)展DRAM的決心，但當(dāng)時為了平衡產(chǎn)業(yè)與地方發(fā)展，確立發(fā)展NAND Flash的路線。
如今，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲已建立起NAND Flash存儲芯片設(shè)計到制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈，有了長江存儲的工廠建設(shè)以及存儲芯片制造的經(jīng)驗，紫光集團(tuán)有望迅速完成DRAM新工廠的興建。
此外，紫光集團(tuán)旗下的西安紫光國芯前身為西安華芯半導(dǎo)體，是由原奇夢達(dá)科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，奇夢達(dá)科技是由英飛凌分拆而成的內(nèi)存公司，曾是為全球第二大的DRAM公司。西安紫光國芯在DRAM領(lǐng)域擁有從產(chǎn)品立項、指標(biāo)定義、電路設(shè)計、版圖設(shè)計到硅片、顆粒、內(nèi)存條測試及售前售后技術(shù)支持等全方位技術(shù)積累。
據(jù)報道，西安紫光國芯自主創(chuàng)新出全球首系列內(nèi)嵌自檢測修復(fù)DRAM存儲器產(chǎn)品（ECC DRAM）。其開發(fā)的存儲器芯片產(chǎn)品覆蓋標(biāo)準(zhǔn)SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，存儲器模組產(chǎn)品包括服務(wù)器內(nèi)存模組（RDIMM，NVDIMM）、筆記本內(nèi)存模組（SODIMM）和臺式機內(nèi)存模組（UDIMM）。
有刁石京和高啟全兩大巨頭的掌舵以及上述在DRAM領(lǐng)域的良好基礎(chǔ)，業(yè)界認(rèn)為紫光集團(tuán)進(jìn)軍DRAM后續(xù)發(fā)展值得期待。
從NAND到DRAM布局存儲芯片
根據(jù)此次簽署的協(xié)議，紫光集團(tuán)擬在重慶發(fā)起設(shè)立的紫光國芯集成電路股份有限公司將作為紫光集團(tuán)已經(jīng)和未來在各地設(shè)立的存儲芯片制造工廠的投資主體，打造世界級存儲芯片領(lǐng)域核心產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。
此前，紫光集團(tuán)提出“從芯到云”的戰(zhàn)略布局，主要由芯產(chǎn)業(yè)和云產(chǎn)業(yè)兩大部分組成，芯產(chǎn)業(yè)包括三大板塊：綜合性芯片、安全芯片、存儲器。其中，存儲器板塊主要以長江存儲為核心、與紫光存儲等企業(yè)一起構(gòu)成，包括了存儲器芯片的設(shè)計、生產(chǎn)以及相關(guān)存儲產(chǎn)品的開發(fā)。
自2016年以來，紫光集團(tuán)相繼在武漢、南京、成都建設(shè)起三座存儲芯片制造工廠。其中，位于武漢的長江存儲在武漢新芯的基礎(chǔ)上已成功設(shè)計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片；2018年8月，長江存儲宣布推出全新3D NAND架構(gòu)Xtacking；近日在智博會上，紫光集團(tuán)首次展出了長江存儲的64層3D NAND閃存芯片，按照規(guī)劃預(yù)計于今年年底正式量產(chǎn)。
除了長江存儲，紫光集團(tuán)董事長趙偉國公開表示，紫光集團(tuán)要在成都、南京等比例復(fù)制武漢工廠。
紫光南京集成電路基地項目計劃總占地約1500畝、總投資300億美元，主要產(chǎn)品為3D NAND Flash存儲芯片和DRAM內(nèi)存芯片。2018年9月30日，該項目一期正式開工建設(shè)，根據(jù)浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)消息，截止2019年4月上旬，項目現(xiàn)場樁基（總約1.5萬根）施工和內(nèi)部正式道路（共7條）全部結(jié)束。
2018年10月，紫光成都存儲器制造基地項目也正式開工，該項目占地面積約1200畝，總投資達(dá)240億美元，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
隨著這次紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目簽約落地重慶，紫光集團(tuán)在DRAM領(lǐng)域踏出重要一步，DRAM存儲芯片制造工廠日后若開建落成，這將是紫光集團(tuán)旗下的又一座存儲芯片制造工廠。
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