臺(tái)灣國(guó)際半導(dǎo)體展（SEMICON Taiwan）探討后摩爾定律極限，對(duì)于外界對(duì)于現(xiàn)今科技疑慮，臺(tái)積電副總黃漢森指出，未來(lái)摩爾定律仍存在，未來(lái)30年透過(guò)新節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)而從中獲益更多，半導(dǎo)體創(chuàng)新核心將聚焦于邏輯與存儲(chǔ)結(jié)合、系統(tǒng)之間的連結(jié)、電晶體密度與效能提升。

黃漢森表示，臺(tái)積電5納米有最好的性能、最高得電晶體密度，并大量使用EUV（極紫外光），不僅生態(tài)圈已準(zhǔn)備就緒準(zhǔn)備量產(chǎn)，在未來(lái)還會(huì)有3、2納米推出。然而隨著節(jié)點(diǎn)不斷進(jìn)步，未來(lái)先進(jìn)制程納米節(jié)點(diǎn)到哪里會(huì)停下，外界對(duì)現(xiàn)今科技產(chǎn)生疑慮，他表示未來(lái)摩爾定律依舊存在，不僅在電晶體，在DRAM及NAND也有一樣的曲線。

摩爾定律在每一個(gè)世代都有一甜蜜點(diǎn)，成本及數(shù)量達(dá)到最完美境界，因此，隨著元件密度越來(lái)越高，成本效益就越好，當(dāng)時(shí)摩爾提出理論時(shí)，并沒(méi)有明確目標(biāo)可達(dá)到，直到1993年摩爾提出微縮方式，體積縮小又同時(shí)提升性能，而微縮方式是每個(gè)科技世代重要節(jié)點(diǎn)。

相信未來(lái)30年半導(dǎo)體將有許多創(chuàng)新，有些是現(xiàn)在無(wú)法預(yù)見(jiàn)，單位元密度將是重要特質(zhì)，不僅可降低成本，并可以增加效能，當(dāng)電晶體數(shù)量及密度更高時(shí)，可以建立多核心芯片及加速器，讓深度學(xué)習(xí)效能更好。

當(dāng)初從250微米一路微縮下來(lái)，每個(gè)世代微縮0.7倍，非常規(guī)律，閘極與節(jié)點(diǎn)數(shù)之間關(guān)系，大約在0.35微米時(shí)候，已經(jīng)不再具有絕對(duì)關(guān)連，現(xiàn)在微縮比例已經(jīng)當(dāng)初不一樣，最后節(jié)點(diǎn)計(jì)算約略為98，而目前節(jié)點(diǎn)僅成為一種行銷手法，跟科技本身特性已不太有關(guān)連。

電晶體微縮不僅是節(jié)點(diǎn)概念，電晶體密度提升是很多創(chuàng)新整合而成，他舉例：NAND未來(lái)趨勢(shì)上，單位元密度會(huì)不斷增加，不單純是微縮，更有密度提升，透過(guò)多層單元方式，從2D到3D讓趨勢(shì)可延續(xù)下去。