4月21日，晶圓代工龍頭臺積電上傳股東會年報，年報中首度提到2納米制程技術(shù)進展，去年領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進行2納米制程技術(shù)研發(fā)，針對2納米以下技術(shù)進行探索性研究；至于EUV專案，去年也取得持續(xù)性進展，可加快先進技術(shù)學(xué)習(xí)速度與制程開發(fā)，將逐步邁向全面生產(chǎn)制造就緒。

臺積電表示，每2年半導(dǎo)體運算能力增加1倍的摩爾定律，技術(shù)挑戰(zhàn)日益困難，研發(fā)組織努力讓臺積電能夠提供客戶率先上市、且先進的技術(shù)和設(shè)計解決方案，幫助客戶取得產(chǎn)品成功。

隨著2019年7納米強效版技術(shù)量產(chǎn)，及5納米技術(shù)成功試產(chǎn)，臺積電研發(fā)組織持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新，以維持業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)地位。臺積電表示，當(dāng)公司采用三維電晶體第六代技術(shù)平臺開發(fā)3納米技術(shù)時，也已開始開發(fā)領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)界的2納米技術(shù)，并針對2納米以下的技術(shù)進行探索性研究。

5納米方面，臺積電表示，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逼近硅晶物理極限，5納米制程仍遵循摩爾定律，顯著提高芯片密度，在相同的功耗下，提供更好效能，或在相同效能下，提供更低功耗。目前靜態(tài)隨機存取(SRAM)存儲器及邏輯電路良率均符合預(yù)期，已達成去年進入試產(chǎn)的目標。

相較5納米制程技術(shù)，臺積電3納米制程技術(shù)大幅提升芯片密度及降低功耗，并維持相同芯片效能，今年研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、電晶體及導(dǎo)線效能改善，及可靠性評估，將持續(xù)進行3納米制程技術(shù)全面開發(fā)。

微影技術(shù)方面，臺積電去年研發(fā)重點在5納米技術(shù)轉(zhuǎn)移、3納米技術(shù)開發(fā)與2納米以下技術(shù)開發(fā)的先期準備。5納米技術(shù)已順利移轉(zhuǎn)，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產(chǎn)問題。

針對3納米技術(shù)開發(fā)，極紫外光(EUV)微影技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異光學(xué)能力，與符合預(yù)期的芯片良率，研發(fā)單位正致力于極紫外光技術(shù)，以減少曝光機光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。臺積電表示，今年在2納米及更先進制程上，將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。

臺積電表示，去年極紫外光專案在光源功率及穩(wěn)定度上，有持續(xù)性進展，光源功率穩(wěn)定與改善，得以加快先進技術(shù)學(xué)習(xí)速度與制程開發(fā)。此外，極紫外光光阻制程、光罩保護膜及相關(guān)光罩基板，也都展現(xiàn)顯著進步，極紫外光技術(shù)正逐步邁向全面生產(chǎn)制造就緒。