根據(jù)韓國《朝鮮日?qǐng)?bào)》的報(bào)導(dǎo)指出，雖然 2018 年下半年開始，存儲(chǔ)器的價(jià)格開始走跌，也預(yù)告 2019 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)會(huì)呈現(xiàn)不景氣的狀態(tài)。但相關(guān)業(yè)者認(rèn)為，以高附加價(jià)值產(chǎn)品來應(yīng)對(duì)當(dāng)前的狀況，其中研發(fā)（R&D）方面的投資將是不可或缺的關(guān)鍵。

報(bào)導(dǎo)指出，三星電子在 2018 年對(duì) R&D 的投入達(dá)到 18.66 兆韓圓，這和 2017 年的 16.81 兆韓圓相比，增加了 11%。而且，其不論金額或成長幅度，都是繼 2017 年后再創(chuàng)歷史新高。至于，另一家存儲(chǔ)器大廠 SK 海力士也是相似的狀況，2018 年的 R&D 投資達(dá)到 2.89 兆韓圓，與 2017 年的金額相比，也增加 16%以上，同樣創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。

事實(shí)上，韓國業(yè)界人士表示，在啟動(dòng) 5G 服務(wù)之后，未來將需要處理的信息量大增，也能使得促進(jìn)機(jī)器效能提高的半導(dǎo)體需求也將會(huì)增加。因此，即便當(dāng)前市場(chǎng)較之前有所萎縮，但也是強(qiáng)化 R&D、積累技術(shù)的時(shí)機(jī)。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，存儲(chǔ)器價(jià)格慘跌的情況至今仍沒有緩解的跡象。以三星與 SK 海力士的主要產(chǎn)品 DRAM 顆?，F(xiàn)貨價(jià)格來說，DDR4 8G (1G*8)? 的產(chǎn)品已經(jīng)從 2018 年 3 月份的 9.1 美元，跌到 2019 年 2 月份的 4.56 美元，跌幅將近一半，而 NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器的價(jià)格，在相同期間內(nèi)也下跌 30%。

而對(duì)于存儲(chǔ)器價(jià)格的走跌，三星與 SK 海力士不僅認(rèn)為研發(fā)新產(chǎn)品重要，而且兩公司為使存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)復(fù)甦，也大幅增加工廠建設(shè)、設(shè)備投資。2018 年三星僅在半導(dǎo)體部門就投資 23.72 兆韓圓，和前一年的 27.34 兆韓圓相較，僅減少了 13%。但與 2016 年的 13.15 兆韓圓相比，增加了 10 兆韓圓左右。

目前三星正在南韓京畿道平澤市建設(shè)半導(dǎo)體第 2 工廠，還在中國西安建設(shè)半導(dǎo)體工廠。市場(chǎng)人士解讀，觀察三星存儲(chǔ)器的狀況，三星認(rèn)為相較增加短期能提高產(chǎn)量的設(shè)備投資情況，不如從長期角度出發(fā)來建設(shè)工廠。另外，SK 海力士 2018 年也投資 17.75 兆韓圓，占了總營收的 44%，相較前一年 10.64 兆韓圓的金額來說，也增加了 67%。

SK 海力士在 2018 年 10 月，于南韓的忠清北道清州市的 M15工廠竣工，12 月時(shí)則是位于京畿道利川市的新 DRAM 生產(chǎn)線 M16 開工。SK 海力士認(rèn)為，以人工智能、虛擬實(shí)境為代表的第 4 次產(chǎn)業(yè)革命正式開啟后，存儲(chǔ)器供給量就會(huì)增加，因此得維持一定規(guī)模以上的存儲(chǔ)器投資，未來才有能力應(yīng)對(duì)。