事實上，自 2016 年以來，受 PC、智能型手機等產(chǎn)品對存儲器需求的不斷擴大，包括 PC 從 HDD 轉(zhuǎn)換為速度更快的 SSD、而且 DRAM 的容量也在不斷增大，還有智能型手機的 NAND Flash 和 DRAM 容量也在不斷加大的情況下，使得整體存儲器市場因需求讓價格進入了快速上漲的階段。

在這樣情況下，作為全球最大的 NAND Flash 和 DRAM 生產(chǎn)商的三星，就成為了最大受惠者，其 2017 年的半導體業(yè)務(wù)收入還一舉超越處理器龍頭英特爾 （Intel），成為全球最大的半導體企業(yè)，讓雄踞半導體龍頭 24 年的英特爾讓座。

此外，存儲器價格的持續(xù)上漲為三星帶來的豐厚的獲利，也使得 2017 年第 3 季，三星受到旗下智能型手機 Galaxy note 7 電池自燃事件所造成的獲利大跌情況，在當年第 4 季存儲器業(yè)務(wù)的帶動下，獲利反而較前一年同期大漲 50%。而這情況也一直延續(xù)到 2018 年，存儲器業(yè)務(wù)始終是三星最大的獲利來源。

不過，存儲器價格存在周期性，在連續(xù)上漲之后必然會進入持續(xù)下跌的階段。于是，2018 年上半年 NAND Flash 就首先顯示出下跌的趨勢，2018 年全年 NAND Flash 的價格同比下跌幅度接近 50%。

NAND Flash 的價格下跌與需求放緩，并且與技術(shù)獲得快速的進展，以擴大了供應(yīng)量都有相關(guān)。之前，NAND Flash 采用的是 2D 堆棧技術(shù)。但是，隨著技術(shù)的發(fā)展，各 NAND Flash 廠商陸續(xù)研發(fā)出 3D 堆棧技術(shù)，至 2018 年各廠商已紛紛投產(chǎn) 64 層堆棧技術(shù)，目前正加快 96 層堆棧技術(shù)的投產(chǎn)。由于在3D堆棧技術(shù)推出后，NAND Flash 的產(chǎn)能迅速倍增，導致市場從 「供不應(yīng)求」 的情況轉(zhuǎn)為 「供過于求」，導致了價格的大幅下跌。

至于 DRAM 方面，雖然技術(shù)上突破有限，但是依靠廠商的擴大產(chǎn)能投資，使得產(chǎn)量大幅提升，其供不應(yīng)求的局面就僅延續(xù)到了 2018 年的第 4 季。而且，隨著全球經(jīng)濟的放緩，PC、智能型手機等產(chǎn)品的銷售出現(xiàn)停滯的狀況下，DRAM 逐漸出現(xiàn)供過于求的情況。這也是 DRAMeXchange 對 DRAM 的供需狀況更為悲觀，預計本季其價格將較 2018 年同期大跌 30% 的主因。

由于存儲器價格的下跌，使得三星在 2018 年第 4 季營收較前一年同期下跌 10%，營業(yè)利益則是大跌 29%，顯現(xiàn)其沖擊已經(jīng)產(chǎn)生。而且，三星也坦承業(yè)績下滑的主因就是受存儲器需求下降的影響。因此，一但 2019 年存儲器價格持續(xù)下跌，其三星營收和業(yè)績必然會受到更大的沖擊。

而為了避免存儲器業(yè)務(wù)因市場價格的下跌，給三星營收帶來沖擊，三星也為此積極在晶圓代工市場布局。也就是依靠存儲器業(yè)務(wù)所帶來的豐厚收入，其持續(xù)投入巨資研發(fā)晶圓制造先進制程，與全球最大的芯片代工廠臺積電展開了競賽。目前雙方正在 7 納米制程上展開較量，并已在更先進的 5 納米、3 納米制程上展開布局。

目前，全球晶圓代工市場的規(guī)模約在 500 億美元上下，臺積電占有其中近六成的市場占有率，三星則是期待未來 5 年內(nèi)能搶下該市場 1/4 的市場占有率。而若按照晶圓代工市場的發(fā)展速度，三星如果能達成目標，則能帶來約 150 億美元的收入，如此可幫助保持半導體業(yè)務(wù)的穩(wěn)定收入。

2018 年，三星的半導體業(yè)務(wù)營收較英特爾高 18.7%，同年英特爾的營收較前一年成長 13%。而如果存儲器價格持續(xù)下探，則三星的半導體營收必然也會受到影響。

反觀英特爾，主要依靠服務(wù)器處理器等業(yè)務(wù)獲得營收的成長。因此市場預估，英特爾在 2019 年將保持成長的趨勢，這使得過去雙方的營收差距很容易因此被消底，這也將使得英特爾的營收在 2019 年反超越三星，重新奪回全球半導體龍頭的位置。