過去一年，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)并購、建廠、擴(kuò)產(chǎn)、投產(chǎn)動(dòng)作不斷，哪些廠商的布局令你印象深刻？不妨跟著全球半導(dǎo)體觀察的腳步，一同回顧2018年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)大事件。
Part 1、收購篇
Synopsys收購Kilopass
2018年1月11日，全球頂先的EDA和IP供應(yīng)商Synopsys以非公開的價(jià)格收購了非易失性內(nèi)存IP供應(yīng)商Kilopass，通過收購繼續(xù)構(gòu)建其龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。
Synopsys公司表示，Kilopass是一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器IP的先驅(qū)，收購將進(jìn)一步完善其公司汽車、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)和移動(dòng)應(yīng)用的現(xiàn)有非易失存儲(chǔ)器IP產(chǎn)品組合。Kilopass IP將支持其現(xiàn)有DesignWare的非易失性存儲(chǔ)器IP一次性和多次可編程，支持在180 nm至7 nm工藝技術(shù)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)4 Mbit的一次性可編程實(shí)例。
兆易創(chuàng)新并購思立微
2018年1月30日晚間，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司發(fā)布《發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)并募集配套資金預(yù)案（摘要）》公告，公告表示，兆易創(chuàng)新擬通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買上海思立微電子科技有限公司100%股權(quán)。
兆易創(chuàng)新目前是中國大陸領(lǐng)先的閃存芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。思立微全名為上海思立微電子科技有限公司，于2011 年1月27日在上海成立，公司主營業(yè)務(wù)為智能移動(dòng)終端傳感器SoC芯片和解決方案的研發(fā)與銷售，主要產(chǎn)品為電容觸控芯片及指紋識(shí)別芯片，產(chǎn)品主要應(yīng)用于手機(jī)及平板電腦。
貝恩資本收購東芝存儲(chǔ)
2018年6月初，全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商希捷科技公司宣布與貝恩資本為首的財(cái)團(tuán)投資者完成了對(duì)東芝存儲(chǔ)公司（Toshiba Memory Corporation）的收購，希捷出資12.7億美元。這項(xiàng)收購計(jì)劃此前就曾宣布，并特意為此次收購計(jì)劃組建了名為K.K.Pangea的新公司。
在2017年，在貝恩資本所牽頭財(cái)團(tuán)收購東芝芯片業(yè)務(wù)的交易計(jì)劃中，希捷科技公司表示將貢獻(xiàn)12.5億美元。關(guān)于被收購的事情，東芝表示，已簽署協(xié)議將芯片業(yè)務(wù)以180億美元價(jià)格出售給貝恩資本牽頭的財(cái)團(tuán)。東芝一直在努力籌措資金，以避免被摘牌的命運(yùn)。除希捷外，貝恩資本財(cái)團(tuán)中還包括蘋果、韓國芯片商SK海力士、戴爾和金士頓。
聯(lián)電并購三重富士通半導(dǎo)體
2018年6月29日，聯(lián)電與富士通半導(dǎo)體有限公司共同宣布，聯(lián)電將購買與富士通半導(dǎo)體所合資的12英寸晶圓廠三重富士通半導(dǎo)體股份有限公司(MIFS)全部股權(quán)，交易金額不超過576.3億日元。為聯(lián)電進(jìn)一步建立多元化量產(chǎn)12英寸廠之生產(chǎn)基地。
三重富士通半導(dǎo)體（MIFS）前身為富士通股份有限公司三重工廠，自1984年開始運(yùn)營以來，作為最先端存儲(chǔ)器等產(chǎn)品的研發(fā)、量產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，助力富士通半導(dǎo)體快速發(fā)展。如今，MIFS是日本為數(shù)不多的300mm晶圓代工廠之一，B1廠采用90nm工藝，B2廠初始采用65nm工藝，2016年初開始40nm商用生產(chǎn)，2016年下半年40nm正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。
美光并購與英特爾合資的IM Flash
2018年10月19日，美光科技宣布，將收購與英特爾十多年前組建的一家閃存合資公司的股份。
美光同意斥資15億美元收購英特爾持有的IM Flash Technologies股份，并預(yù)計(jì)將在明年1月1日行使購買選擇權(quán)后6至12個(gè)月完成交易。該公司CFO戴夫·金斯納（Dave Zinsner）在會(huì)議上表示，美光科技將通過自由現(xiàn)金流支付收購款項(xiàng)。
猶他州工廠不僅距離該公司愛達(dá)荷州的總部很近，而且是全世界唯一可以生產(chǎn)3D XPoint技術(shù)的工廠。這種非揮發(fā)性存儲(chǔ)可以提升存儲(chǔ)性能，還能降低服務(wù)器的存儲(chǔ)成本。
Part 2 建廠、擴(kuò)產(chǎn)、投產(chǎn)篇
江蘇時(shí)代芯存相變存儲(chǔ)器工廠啟動(dòng)運(yùn)營
2018年3月底，總投資130億元的江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司用時(shí)9個(gè)月實(shí)現(xiàn)廠房封頂，歷時(shí)1年22天投入使用，同時(shí)完成所有設(shè)備采購，首臺(tái)設(shè)備進(jìn)廠。這標(biāo)志著淮安已成為大陸地級(jí)市中唯一同時(shí)擁有兩個(gè)12英寸高水準(zhǔn)項(xiàng)目（另一個(gè)為德淮半導(dǎo)體項(xiàng)目）的地區(qū)。項(xiàng)目全面建成后將達(dá)到年產(chǎn)10萬片12英寸相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)能，年可實(shí)現(xiàn)銷售45億元，利稅3億元，淮安將成為大陸集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要增長(zhǎng)極。
東芝建新廠增產(chǎn)3D NAND
東芝旗下半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲(chǔ)器(TMC)”2018年5月宣布，因3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)“BiCS FLASH”中長(zhǎng)期需求料將呈現(xiàn)擴(kuò)大，因此為了擴(kuò)增3D NAND Flash產(chǎn)能，決定將在2018年7月于巖手縣北上市著手興建新工廠，該座北上新廠廠房預(yù)計(jì)將在2019年完工。
TMC指出，上述北上新廠將采用耐震結(jié)構(gòu)、最新的省能源制造設(shè)備，且將導(dǎo)入活用人工智能(AI)的生產(chǎn)系統(tǒng)，提升生產(chǎn)效能、改善良率。
東芝與西數(shù)合資廠量產(chǎn)96層3D NAND
日本存儲(chǔ)器大廠東芝存儲(chǔ)器與西數(shù)（Western Digital）2018年9月19日宣布，共同在日本三重縣四日市的6號(hào)晶圓廠（Fab 6）舉行開幕儀式。該廠為新設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體制造廠區(qū)，并設(shè)有存儲(chǔ)器研發(fā)中心（Memory R&D Center）。
東芝存儲(chǔ)器是自2017年2月開始興建6號(hào)晶圓廠，為生產(chǎn)3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的專用生產(chǎn)廠區(qū)。東芝存儲(chǔ)器與西數(shù)已針對(duì)沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關(guān)鍵生產(chǎn)制程開始部署先進(jìn)制造設(shè)備，新廠已經(jīng)在9月初開始量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash。
三星西安NAND工廠3月底啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)
2018年3月，三星宣布，三星位于西安的NAND工廠3月底啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)。三星未來三年將斥資70億美元，擴(kuò)大西安廠區(qū)NAND Flash產(chǎn)能，西安NAND Flash月產(chǎn)能將由目前的12萬片增至20萬片，增幅約67%。這是三星去年宣布增產(chǎn)DRAM之后，再次在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域砸下重金擴(kuò)產(chǎn)，為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)再次投下一顆震撼彈。
美光新加坡第三座3D NAND工廠動(dòng)工
2018年4月，美光新加坡第三座3D NAND工廠動(dòng)工，該新工廠是美光Fab 10擴(kuò)建的第三期工程，占地165,000平方米，預(yù)計(jì)會(huì)在2019年中完工，在2019年第四季度投產(chǎn)。工廠的量產(chǎn)還需要幾個(gè)季度的時(shí)間，因此預(yù)計(jì)大量的3D NAND存儲(chǔ)器將在2020年底之前產(chǎn)出。目前，美光在新加坡有兩座300mm 3D NAND工廠，分別Fab 10N和Fab 10X。 這些工廠目前生產(chǎn)美光的NAND Flash的大部分份額。
英特爾大連廠2期投產(chǎn)
繼2015年宣布其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造為NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠之后，英特爾2018年5月宣布已經(jīng)正式投產(chǎn)。未來，主要將生產(chǎn)96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器，積極追趕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的市占率。
SK海力士開建第7座工廠
2018年12月，SK Hynix正式開工建設(shè)第7座半導(dǎo)體工廠──M16廠，總投資不低于15萬億韓元（約133億美元）。雖然還沒確定最終生產(chǎn)NAND Flash還是DRAM，但是這座晶圓廠確定將會(huì)采用最先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)。
此外，在2018年10月份，SK Hynix才剛完成最新的M15工廠興建，已正式進(jìn)入量產(chǎn)，且該工廠是2015年SK Hynix宣布將斥資的46萬億韓元投資計(jì)劃中的一部分。
M15工廠位于韓國清州市，投資額高達(dá)15萬億韓元，以生產(chǎn)3D NAND Flash為主，初期以生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆疊3D NAND Flash，2019年開始，就會(huì)轉(zhuǎn)到96層堆疊的3D NAND Flash上。