6月15日，三安光電股份有限公司（以下簡稱“三安光電”）與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署了《項目投資建設合同》，三安光電擬在長沙成立子公司投資建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目。

公告披露，三安光電擬在長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

據(jù)悉，該項目總投資額達160億元，三安光電在用地各項手續(xù)和相關條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)完成二期項目建設和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)；72個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn)。

據(jù)了解，三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發(fā)與應用，致力于化合物半導體集成電路業(yè)務的發(fā)展，努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。

三安光電表示，第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目有著廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。

加碼第三代半導體領域

資料顯示，三安光電成立于2000年11月，主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。

2014年，三安光電開始涉足集成電路產(chǎn)業(yè)，投資化合物半導體市場，建設砷化鎵高速半導體與氮化鎵高功率半導體項目。根據(jù)天眼查顯示，三安光電全資控股公司三安集成，成立于2014年5月26日，經(jīng)營范圍包括集成電路設計；工程和技術研究和試驗發(fā)展；其他機械設備及電子產(chǎn)品批發(fā)等。

據(jù)悉，三安集成是國內(nèi)化合物半導體代工龍頭，業(yè)務涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領域，已取得國內(nèi)重要客戶的合格供應商認證，各個板塊已全面開展合作。

官方資料顯示，2018年三安光電在福建泉州南安高新技術產(chǎn)業(yè)園區(qū)，斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SIC材料及器件、特種封裝等產(chǎn)業(yè)。

三安光電表示，2022年項目建成后，三安光電將實現(xiàn)在半導體化合物高端領域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。