6月15日，三安光電股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“三安光電”）與長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署了《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》，三安光電擬在長(zhǎng)沙成立子公司投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。

公告披露，三安光電擬在長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額達(dá)160億元，三安光電在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)；72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

據(jù)了解，三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用，致力于化合物半導(dǎo)體集成電路業(yè)務(wù)的發(fā)展，努力打造具有國際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體廠商。

三安光電表示，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目有著廣闊的市場(chǎng)需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競(jìng)爭(zhēng)力。

加碼第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域

資料顯示，三安光電成立于2000年11月，主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。

2014年，三安光電開始涉足集成電路產(chǎn)業(yè)，投資化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)，建設(shè)砷化鎵高速半導(dǎo)體與氮化鎵高功率半導(dǎo)體項(xiàng)目。根據(jù)天眼查顯示，三安光電全資控股公司三安集成，成立于2014年5月26日，經(jīng)營范圍包括集成電路設(shè)計(jì)；工程和技術(shù)研究和試驗(yàn)發(fā)展；其他機(jī)械設(shè)備及電子產(chǎn)品批發(fā)等。

據(jù)悉，三安集成是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體代工龍頭，業(yè)務(wù)涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領(lǐng)域，已取得國內(nèi)重要客戶的合格供應(yīng)商認(rèn)證，各個(gè)板塊已全面開展合作。

官方資料顯示，2018年三安光電在福建泉州南安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SIC材料及器件、特種封裝等產(chǎn)業(yè)。

三安光電表示，2022年項(xiàng)目建成后，三安光電將實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體化合物高端領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。