由于NAND Flash價格去年大跌，導致三星、SK海力士、東芝及西數(shù)、美光及英特爾等四大陣營在去年底減少晶圓產(chǎn)出，下修今年資本支出并推遲96層3D NAND擴產(chǎn)計劃，的確讓第一季NAND Flash價格出現(xiàn)緩跌情況。不過，隨著上游原廠96層3D NAND新產(chǎn)能將在第二季后開出，加上三星、美光、東芝等新廠在下半年量產(chǎn)，業(yè)界預估供給過剩及跌價壓力仍在。

去年上半年因為64層及72層3D TLC NAND產(chǎn)能開出，且單顆NAND Flash容量上看256Gb/512Gb，與2D NAND制程的單顆NAND Flash容量僅128Gb/256Gb相較幾乎翻倍，也因此，去年NAND Flash價格一路走跌，去年底每GB價格跌破0.1美元并創(chuàng)下新低紀錄，NAND Flash廠也面臨營業(yè)利益明顯縮水壓力。

為了減緩NAND Flash跌價走勢，包括三星、美光等上游原廠在去年底減少晶圓產(chǎn)出，并下修今年資本支出及推遲96層3D NAND新產(chǎn)能開出速度。但因蘋果iPhone銷售不佳，智能型手機生產(chǎn)鏈進入庫存調(diào)整，需求端明顯進入衰退，讓上游原廠減少供給的意圖大打折扣，第一季NAND Flash價格續(xù)跌，只是跌幅略有縮小。

市場雖然預期智能型手機生產(chǎn)鏈第二季庫存去化完成后將重啟NAND Flash采購，且供給端并無新產(chǎn)能開出，價格應可持穩(wěn)，但因各家NAND Flash上游原廠將在第二季開出96層3D NAND新產(chǎn)能，且下半年后新廠也將加入量產(chǎn)，模組業(yè)者對NAND Flash價格看法仍然保守，預期跌價情況恐會持續(xù)到今年中。

據(jù)業(yè)界消息，各家NAND Flash原廠的新廠將在下半年后進入量產(chǎn)階段，其中規(guī)模最大的是三星的西安廠第二期，第三季將量產(chǎn)512Gb容量96層3D NAND。美光Fab 10第三期預期會在今年第四季進入量產(chǎn)，投產(chǎn)產(chǎn)品以512Gb容量96層3D NAND為主。至于東芝及西數(shù)合資的Fab7將在會下半年完工，明年第一季512Gb容量96層3D NAND會開始進入量產(chǎn)階段。

集邦科技DRAMexchange指出，今年第一季NAND Flash市場均價季度跌幅可能達20%，第二季報價可能將續(xù)跌將近15%，下半年有旺季需求挹注，跌幅可望略微收斂。

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