近日，無(wú)錫市2020年重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目集中開工。據(jù)無(wú)錫博報(bào)指出，本次集中開工共安排185個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，總投資1166億元，年度計(jì)劃投資449億元。其中10億元以上項(xiàng)目46個(gè)，總投資781億元，年度計(jì)劃投資250億元；5-10億元項(xiàng)目24個(gè)，總投資152億元，年度計(jì)劃投資68億元。

此次重大項(xiàng)目涉及及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、先進(jìn)制造業(yè)等領(lǐng)域。包括宜興中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑外延片、無(wú)錫吉姆西12英寸集成電路先進(jìn)制程技術(shù)及裝備、江陰新杰半導(dǎo)體清洗設(shè)備、無(wú)錫拉普拉斯半導(dǎo)體高端設(shè)備、江陰海德半導(dǎo)體器件、無(wú)錫力特半導(dǎo)體三期等項(xiàng)目。

以下為半導(dǎo)體領(lǐng)域部分開工項(xiàng)目：

·?宜興中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑外延片項(xiàng)目，總投資30.5億元，將建設(shè)8~12英寸硅外延片生產(chǎn)線，月產(chǎn)30萬(wàn)片8英寸硅外延片和月產(chǎn)10萬(wàn)片12英寸硅外延片。

·?無(wú)錫吉姆西12英寸集成電路先進(jìn)制程技術(shù)及裝備，總投資15.3億元，總用地122.7畝， 一期60畝，建筑面積約3.6萬(wàn)平方米，利用先進(jìn)生產(chǎn)線，年產(chǎn)晶圓360萬(wàn)片。

·?無(wú)錫拉普拉斯半導(dǎo)體高端設(shè)備項(xiàng)目，總投資10億元，總用地90畝，一期48.9畝，建筑面積4萬(wàn)平方米，建設(shè)半導(dǎo)體、光伏制造裝備能力的生產(chǎn)基地。

·?無(wú)錫海太半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目，總投資10億元，將引進(jìn)測(cè)試儀等進(jìn)口設(shè)備825臺(tái)套，年產(chǎn)封裝半導(dǎo)體產(chǎn)品17.56億顆，年測(cè)試半導(dǎo)體產(chǎn)品16.85億顆。

·?江陰新杰半導(dǎo)體清洗設(shè)備項(xiàng)目，總投資6.39億元，新增土地約37畝，新增建筑面積約2.4萬(wàn)平方米，年產(chǎn)半導(dǎo)體薄型載帶100000萬(wàn)米，等離子清洗設(shè)備40臺(tái)，模具備品備件500套。

·?無(wú)錫力特半導(dǎo)體三期，總投資3.06億元，用地13.8畝，用于置換原廠區(qū)內(nèi)配套設(shè)施，新增產(chǎn)線仍位于原廠區(qū)內(nèi)。

· 江陰海德半導(dǎo)體器件項(xiàng)目，總投資1億元，將建設(shè)40億只半導(dǎo)體器件。