6月東芝停電事件，加上7月開始日韓貿(mào)易戰(zhàn)延燒，推動(dòng)了已跌到虧損流血的NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)率先反彈，結(jié)束了2年多來的空頭走勢(shì)，此波存儲(chǔ)器價(jià)格由NAND Flash先起漲，接下來日韓貿(mào)易戰(zhàn)加入下，DRAM在7月份現(xiàn)貨價(jià)也開始反彈。

整體來看，對(duì)市場價(jià)格較敏感的通路商開始拉貨，推動(dòng)部分比較受惠于現(xiàn)貨市場的存儲(chǔ)器模組廠商營運(yùn)也明顯反彈；但在合約市場部分，由于合約市場走向仍是取決于整體供需狀況，又因日韓貿(mào)易戰(zhàn)管控的半導(dǎo)體材料并非完全禁止出口，再加上需求面沒有太大改善，所以合約市場是否可以開始開啟一波多頭走勢(shì)則仍待觀察，日韓貿(mào)易戰(zhàn)若雙方關(guān)系更趨于緊張導(dǎo)致實(shí)質(zhì)影響供給，才較有機(jī)會(huì)助整體市況改善。

現(xiàn)貨市場DRAM/NAND Flash價(jià)格反彈

由于東芝停電事件影響所及，造成此波NAND價(jià)格正式于6月落底反彈，再加上供給端一直有受到控制，近期又加上SK Hynix宣布減產(chǎn)，推動(dòng)現(xiàn)貨市場率先反彈，此波反彈以擁有較多現(xiàn)貨的存儲(chǔ)器模組廠商威剛率先發(fā)難，甚至宣布管控出貨，采用優(yōu)先出貨大客戶的方式來控管，威剛董事長陳立白認(rèn)為，這一波存儲(chǔ)器的反彈不會(huì)是暫時(shí)性短暫的，下游的庫存在這一波空頭后都已壓到很低，現(xiàn)在則回頭再來備安全庫存。事實(shí)上，DRAM現(xiàn)貨價(jià)在8月份仍是向上走勢(shì)。

DRAM現(xiàn)貨價(jià)自底部到最高峰價(jià)約反彈5成水準(zhǔn)，陳立白表示，短期內(nèi)日韓貿(mào)易戰(zhàn)紛擾不易解決，恐影響韓國存儲(chǔ)器廠全產(chǎn)能量產(chǎn)，加上上游原廠也紛紛宣布減產(chǎn)或延后資本支出和設(shè)備投資，這一波反彈格局可達(dá)11月。

而在NAND的部分，均價(jià)于2017年11月起迄今已歷經(jīng)相當(dāng)長時(shí)間的跌勢(shì)，價(jià)格已貼近廠商現(xiàn)金成本，且已長期壓在不合理的流血價(jià)，相對(duì)在東芝跳電影響下，估約影響全球10%的NAND產(chǎn)能，推動(dòng)NAND Flash主要廠商都在第一時(shí)間同步調(diào)漲價(jià)格，8月現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)反彈。

研調(diào)單位仍保守看合約市場

宇瞻總經(jīng)理張家騉則認(rèn)為，合約市場占整個(gè)DRAM 9成的量，以目前即便日本把韓國踢出貿(mào)易白名單，也只是延后出貨日本的半導(dǎo)體關(guān)鍵材料，不代表會(huì)斷鏈，但以合約價(jià)在往下走的狀況來看，目前堆庫存都是不智之舉。