日韓貿(mào)易戰(zhàn)加劇，日本管制關(guān)鍵高純度氟化氫等應(yīng)用在極紫外光（EUV）原料輸韓，直接打亂三星沖刺7納米以下先進(jìn)制程布局，預(yù)料受原料管制趨嚴(yán)下，三星要藉沖刺先制程搶食臺積電晶圓代工大餅的難度大增，并加速臺積電拉大和三星差距。

日本限制光阻劑、高純度氟化氫及聚醯亞胺等關(guān)鍵半導(dǎo)體原料輸韓，雖然南韓半導(dǎo)體廠仍可透過專案審查程序申請，但進(jìn)口時程將由過去簡化程序拉長至90天（專案審查期），包括三星和SK海力士除均對外收購既有三項原料存貨外，也透過專案申請、加速他廠認(rèn)證雙管齊下，希望將沖擊降至最低。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，由于目前三星和SK海力士存儲器庫存仍高，日本管制光阻劑等三項半導(dǎo)體原料輸韓，韓廠可將生產(chǎn)快閃存儲器（Flash）的原料轉(zhuǎn)去支援利潤較高的DRAM，并趁機(jī)抬高價格、消化庫存，對三星和全球DRAM供給，短期還不會構(gòu)成太大影響。

不過，日本廠商生產(chǎn)用于先進(jìn)制程的高純度氟化氫，目前替代廠商占比極低，將直接沖擊三星在半導(dǎo)體先進(jìn)制程布局。

據(jù)了解，三星稍早也曾透過中國臺灣廠商轉(zhuǎn)手賣給三星，不過臺廠擔(dān)心臺韓出口高純度氟化氫，將遭日本原廠發(fā)現(xiàn)異常，拒絕這項交易，讓三星吃到閉門羹。

高純度氟化氫是在采用極紫外光（EUV）進(jìn)行光罩制程時，要讓積體電路精準(zhǔn)對位的蝕刻材料，而三星也靠著7納米制程導(dǎo)入EUV微影設(shè)備并成功搶下高通和輝達(dá)等前往下單的重要利器。

如今日本管制這項原料輸韓，雖然三星正自行生產(chǎn)這項關(guān)鍵化學(xué)品，但這又等于讓制程良率增添變數(shù)，而且三星也是領(lǐng)先全球把EUV設(shè)備導(dǎo)入生產(chǎn)更先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品的大廠。

半導(dǎo)體業(yè)者分析，三星發(fā)展7納米以下制程受阻，未來要追趕臺積電，得花費更大的財力和物力 ，日韓貿(mào)易戰(zhàn)其實反而助攻臺積電拉大和三星差距。