4月25日，中國泰山第五屆國際高洽會暨“雙招雙引”項目集中簽約儀式舉行，活動共簽約項目22個，其中包括3個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目。

這次簽約項目涉及新一代信息技術(shù)、醫(yī)養(yǎng)健康、高端裝備制造等多個領(lǐng)域，涵蓋了外國高端人才團(tuán)隊合作項目，以及中科院半導(dǎo)體研究所、國家千人計劃專家技術(shù)合作項目等，其中泰山芯片制造聯(lián)合實驗室建設(shè)項目、中韓高端芯片材料制備半導(dǎo)體單晶襯底和外延研發(fā)生產(chǎn)項目、功能性感光材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目等與半導(dǎo)體相關(guān)。

泰山芯片制造聯(lián)合實驗室建設(shè)項目主要以光電芯片制造技術(shù)為研究方向，重點開發(fā)化合物半導(dǎo)體材料光電芯片制備技術(shù)，深入開展第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵外延片、氮化鎵LED及光電芯片制備的研發(fā)與生產(chǎn)。

該項目依托中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，建設(shè)芯片制造技術(shù)聯(lián)合實驗室，加強(qiáng)氮化鎵外延片、氮化鎵LED及芯片制備開發(fā)。以實驗室為基地，托特半導(dǎo)體（山東）有限公司與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所雙方將共同申請科研項目和重大課題基金，聯(lián)合開展前沿基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性、重大性科學(xué)研究和人才培養(yǎng)。

中韓高端芯片材料制備半導(dǎo)體單晶襯底和外延研發(fā)生產(chǎn)項目以中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所納米光電子實驗室主任宋國峰為技術(shù)研發(fā)帶頭人、韓國明知大學(xué)物理學(xué)教授金英鎬等外延工程師專家組成核心技術(shù)的科研團(tuán)隊，專注于氮化鎵芯片、MOCVD/LPE/HVPE裝備設(shè)計制造、外延工藝等方面的研發(fā)。

該項目計劃總投資15億元，建設(shè)10臺套4〞×31MOCVD和30臺套4〞×12HVPE生產(chǎn)線，項目建成后月生產(chǎn)氮化鎵2萬片，實現(xiàn)年產(chǎn)值26億元。項目一期占地約2300平方米、二期產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地約100畝。

功能性感光材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目由康文兵教授團(tuán)隊帶領(lǐng)，研發(fā)多種功能性感光材料,應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、顯示器制造、芯片封裝、印刷版材制造等多個領(lǐng)域。項目落地后，預(yù)計3-5年內(nèi)產(chǎn)品將大規(guī)模替代進(jìn)口、填補(bǔ)國內(nèi)高端感光材料及關(guān)聯(lián)材料的空白，5年內(nèi)預(yù)計實現(xiàn)銷售收入2億元。

上述項目涉及第三代半導(dǎo)體等新材料領(lǐng)域，近年來山東省正在推進(jìn)新材料發(fā)展，2018年10月山東省政府正式印發(fā)《山東省新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項規(guī)劃（2018—2022年）》，除了泰安外，濟(jì)南、德州等地也正在發(fā)力第三代半導(dǎo)體，隨著這些項目落戶，山東的新材料產(chǎn)業(yè)再添新動力。