9月10日，聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”在青島市即墨區(qū)公司廠區(qū)舉行。據(jù)天眼查顯示，耐威科技持有公司40%股份，耐威科技董事長楊云春也是聚能晶源董事長。

耐威科技業(yè)務(wù)板塊有三，分別是MEMS、導(dǎo)航、航空電子，另外，公司也在布局第三代半導(dǎo)體、無人系統(tǒng)等潛力業(yè)務(wù)。而此次投產(chǎn)的聚能晶源，就是公司布局的第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

楊云春現(xiàn)場表示，耐威科技自上市以來，積極在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域進(jìn)行布局，重點發(fā)展MEMS和GaN業(yè)務(wù)；其中在GaN領(lǐng)域，耐威科技在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長；在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司，專注GaN器件的開發(fā)設(shè)計。從入駐到項目建成投產(chǎn)，聚能晶源僅僅用了一年多的時間。

楊云春稱，耐威科技希望能以此為契機，積極把握第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代機遇，在青島繼續(xù)建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地及器件設(shè)計中心，繼續(xù)為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)自己的力量。

盛世投資管理合伙人劉新玉介紹，第三代半導(dǎo)體材料具備獨特性能，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代進(jìn)程中具有重要的戰(zhàn)略意義，作為股東與戰(zhàn)略合作伙伴，很高興見到耐威科技在青島即墨投資落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料項目能夠迅速建成投產(chǎn)，希望該項目今后能夠為產(chǎn)業(yè)發(fā)展、為地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

聚能晶源總經(jīng)理袁理博士正式發(fā)布了多系列6-8英寸GaN外延晶圓產(chǎn)品，并對項目及產(chǎn)品做了相關(guān)介紹。

聚能晶源此次發(fā)布的相關(guān)產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵外延晶圓與6英寸碳化硅基外延晶圓，可滿足下一代功率與微波電子器件對于大尺寸、高質(zhì)量、高一致性、高可靠性氮化鎵外延材料的需求，為5G通訊、云計算、新型消費電子、智能白電、新能源汽車等領(lǐng)域提供核心元器件的材料保障。

聚能晶源項目掌握全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵外延與6英寸碳化硅基外延生長技術(shù)。在功率器件應(yīng)用領(lǐng)域，產(chǎn)品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓與8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓。同時，聚能晶源將自有先進(jìn)8英寸GaN外延技術(shù)創(chuàng)新性地應(yīng)用在微波領(lǐng)域，開發(fā)出了兼具高性能與大尺寸、低成本、可兼容標(biāo)準(zhǔn)8英寸器件加工工藝的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圓。在硅基氮化鎵之外，聚能晶源也擁有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圓產(chǎn)品線，滿足客戶在碳化硅基氮化鎵外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓產(chǎn)品為例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質(zhì)量、低表面粗糙度、高一致性的材料特點。同時具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓、低漏電、耐高溫的電學(xué)特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圓具有優(yōu)秀的材料可靠性，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)TDDB測試方法，其在標(biāo)稱耐壓值下的長時有效壽命達(dá)到了10的9次方小時，處于國際業(yè)界領(lǐng)先水平。

興業(yè)證券一名通信行業(yè)分析師告訴證券時報.e公司，作為第三代半導(dǎo)體材料，與前兩代相比，氮化鎵具有諸多優(yōu)勢，應(yīng)用前景較廣。

聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司成立于2018年6月，是由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術(shù)團(tuán)隊共同投資成立的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)與制造企業(yè)。項目一期建成產(chǎn)能為年產(chǎn)1萬片6-8英寸GaN外延晶圓。