不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，最近都在跌價，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發(fā)布了2019年Q1季度DRAM內(nèi)存價格趨勢報告。根據(jù)他們的報告Q1季度內(nèi)存市場均價跌幅將達(dá)20%，Q2季度會再跌15%。

而NAND閃存方面大家的感受更明顯，2018年市場均價跌幅已達(dá)50%，并且DRAMeXchange認(rèn)為若仍無足夠需求動能支撐，2019年NAND閃存仍可能再跌50%。對于消費者來說，好消息還不止這些。

根據(jù)techpowerup的報導(dǎo)，EETimes上不久前發(fā)布了一份報告，該報告顯示英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機存取存儲器）已經(jīng)準(zhǔn)備好大批量生產(chǎn)。 MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進制的0和1，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲，是一種非易失性存儲技術(shù)，這意味著即使斷電情況下，它仍然會保留住信息，同時它還有不輸于DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠(yuǎn)低于DRAM。

由于不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，制程微縮已遭遇瓶頸，相對地，MRAM未來制程微縮仍有許多發(fā)展空間，MRAM因此備受期待，認(rèn)為可以取代DRAM內(nèi)存和NAND閃存。

周二提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei說，英特爾嵌入式MRAM技術(shù)可在200攝氏度下實現(xiàn)長達(dá)10 年的記憶期，并可在超過100萬個開關(guān)周期內(nèi)實現(xiàn)持久性。 MRAM省電的特性，意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用于移動設(shè)備上。并且嵌入式 MRAM 被認(rèn)為特別適用于例如物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備之類的應(yīng)用，也趕搭上 5G 世代的列車。