據(jù)韓媒《Business Korea》報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)科技大廠SK海力士已克服了下一代存儲(chǔ)器量產(chǎn)的障礙之一，全球電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化龍頭美商新思科技在近期宣布，將向SK海力士供應(yīng)系統(tǒng)單芯片(SoC)技術(shù)方案，以協(xié)助該公司量產(chǎn)高頻寬存儲(chǔ)器HBM2E。

該SoC方案符合基于臺(tái)積電7納米制程JEDEC的HBM2E SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，并具有409 GB/秒的數(shù)據(jù)率，可以在一秒鐘內(nèi)處理110部全高清電影(每部電影3.7 GB)。

SK海力士的HBM2E存儲(chǔ)器芯片可以同時(shí)從數(shù)千個(gè)孔洞向數(shù)據(jù)發(fā)送功率，與目前的技術(shù)相比，可以減少30%以上的芯片尺寸并減少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC，與邏輯芯片(例如GPU)相距僅數(shù)十微米。因此，相較于在主機(jī)板上與SoC并行安裝，可以進(jìn)一步縮短數(shù)據(jù)傳輸距離，實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸。

不過，HBM2E DRAM價(jià)錢是當(dāng)前的兩到三倍，且尺寸大于LPDDR4芯片。因此，市場(chǎng)并不大，僅用于要求超高性能的地方，例如IDC或超級(jí)電腦等大型數(shù)據(jù)中心。

但是，隨著5G移動(dòng)通信、人工智能(AI)、自動(dòng)駕駛和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的出現(xiàn)，對(duì)高性能服務(wù)器的需求持續(xù)成長(zhǎng)，市場(chǎng)前景樂觀。

SK海力士在2013年首次推出HBM芯片，三星電子也隨即投入了HBM芯片的開發(fā)，從而引發(fā)了兩家公司的激烈競(jìng)爭(zhēng)。針對(duì)新一代HBM2E芯片而言，三星電子于今年初首次開始量產(chǎn)，SK海力士是于2019年8月推出，但尚未正式開始量產(chǎn)。