功率半導(dǎo)體晶圓制造代工大廠漢磊，公布2019年第三季營收情形，由于2019年前3季市場遭遇去庫存及市況不佳等因素影響，第三季營收為1.24億美元，年減21.2%。

面對大環(huán)境不佳挑戰(zhàn)，漢磊總經(jīng)理莊淵棋表示：「2019年第三季開始，營收表現(xiàn)將谷底反彈，并且隨著功率半導(dǎo)體需求逐季回穩(wěn)；預(yù)計(jì)到2020年第二季，整體產(chǎn)能利用率有機(jī)會回升至9成?！?/p>

現(xiàn)行功率元件由于成本考量，主要以Si與SiC晶圓并搭配磊晶技術(shù)為主流

由于功率半導(dǎo)體所需的操作電壓較大，傳統(tǒng)Si元件因本身材料特性，崩潰電壓值(Breakdown Voltage)難以承受數(shù)百伏特以上，因而元件材料逐漸改由第三代半導(dǎo)體之寬能隙材料(SiC與GaN)取代。

另一方面，由于晶圓(Substrate)成本與制程條件等考量，Si晶圓無論在尺寸、價格上仍較SiC與GaN晶圓大且便宜許多，所以為求有效降低晶圓成本，磊晶生成技術(shù)此時就變得格外重要。

目前制造功率半導(dǎo)體的主流晶圓，依然以尺寸較大、價格平價的Si晶圓為大宗；而可承受高電壓但尺寸稍小、價格稍貴的SiC晶圓則為次要。

選定晶圓材料(Si或SiC)后，即可透過MOCVD或MBE機(jī)臺，成長元件所需之SiC或GaN磊晶結(jié)構(gòu)；隨后再進(jìn)行相關(guān)半導(dǎo)體前段制程(薄膜、顯影及蝕刻)步驟，最終完成1顆功率元件。

全球資料中心與5G基地臺建置需求，引領(lǐng)功率IDM廠與代工廠營收動能

根據(jù)現(xiàn)行功率半導(dǎo)體發(fā)展情形，目前主要以GaN(氮化鎵)及SiC(碳化硅)等第三代半導(dǎo)體材料為主。

其中，國際IDM大廠如英飛凌Infineon、科銳Cree、II-V等投入動作最積極，且相關(guān)廠商正試圖搶占全球?qū)捘芟恫牧侠诰膳c晶圓代工等市場。

近期搭上Server資料中心與5G基地臺設(shè)備建置需求，預(yù)估到2019年第四季，國際IDM大廠于功率半導(dǎo)體與電源管理芯片等訂單需求將逐步提升，因而帶動底下制造代工廠商相關(guān)產(chǎn)能跟著擴(kuò)張。

跟隨此發(fā)展趨勢，漢磊為第三代半導(dǎo)體中的制造代工大廠，雖然2019年前3季營收市場狀況表現(xiàn)略有不佳，但隨著近期IDM大廠的逐步轉(zhuǎn)單挹注下，將驅(qū)使提升整體產(chǎn)能利用率，對于后續(xù)經(jīng)營發(fā)展上將有一定程度上的助益。

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