距JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布LPDDR4運行內(nèi)存標準，已經(jīng)過去五年，今年2月份JEDEC正式發(fā)布了JESD209-5標準即LPDDR5的標準，真可謂“千呼萬喚始出來”。LPDDR5將以6400MT/s的速率運行，比第一版LPDDR4的3200MT/s快了兩倍，比高頻版LPDDR4的4266MT/s快了將近50%，LPDDR5有望對下一代便攜式電子設(shè)備的性能和功能產(chǎn)生巨大影響。

LPDDR5性能有哪些新突破

LPDDR5增加了降低功耗功能，調(diào)整了核心和I/O的動態(tài)頻率和電壓等多個全新特性，LPDDR5為了提升性能重新設(shè)計了架構(gòu)，轉(zhuǎn)向16Banks可編程和多時鐘架構(gòu)，除此之外，LPDDR5引入了Data-Copy和Write-X兩個新的指令。Data-Copy指令可指示LPDDR5將單個I/O引腳上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)復(fù)制到其他I/O引腳，提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)男?；Write-X指令可將全1或全0寫入到特定地址，無需將數(shù)據(jù)從SoC發(fā)送到LPDDR5，這個新指令將有效降低整體系統(tǒng)功耗。

LPDDR5的電壓和LPDDR4X一樣是1.1V，信號電壓250mV，不過閑置狀態(tài)下電流將降低40%，可大幅降低功耗。另外考慮到汽車與相關(guān)市場的需求，滿足汽車以及相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)可靠性的要求，LPDDR5在SoC和DRAM之間的接口上引入了鏈路糾錯碼（ECC）的支持。

LPDDR5應(yīng)用領(lǐng)域

整體來看，LPDDR5相比上代的LPDDR4來說，最大的優(yōu)勢在于速率的提升以及功耗的降低，這意味著該LPDDR5的運行內(nèi)存理論上會更加省電，數(shù)據(jù)傳輸速度也會更快，新LPDDR5標準的發(fā)布，有望大幅度提升便攜式電子設(shè)備在各種場景下的內(nèi)存效率。LPDDR5滿足于智能手機、平板電腦、超輕薄型電腦等多種品類的移動計算需求，它的優(yōu)秀之處還在于，提供了為汽車等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域而設(shè)計的功能，應(yīng)用面更加廣泛。

ICMAX LPDDR5量產(chǎn)時間

雖然在2018年已有消息有部分廠商已經(jīng)生產(chǎn)LPDDR5，但至今仍沒有在市場上大規(guī)模應(yīng)用，一方面是因為價格的原因，另一方面也是技術(shù)層面的限制，暫時還未成為市場主流。隨著5G通訊的普及，對手機、平板等運行內(nèi)存將會有更高的期待，并且手機的CPU和GPU都共享內(nèi)存帶寬，加上近年來AI芯片的興起，對手機內(nèi)存帶寬的要求變得越來越高，都將促進LPDDR5的量產(chǎn)與普及。

?

LPDDR5是目前在RAM上最新的標準，宏旺半導(dǎo)體 LPDDR5 內(nèi)存芯片將在2020進入量產(chǎn)階段，宏旺半導(dǎo)體擁有一支強大的研發(fā)團隊，擁有多項自主知識產(chǎn)權(quán)，ICMAX IC Design / HW / FW / SYS 等工程師人數(shù)超過全員一半。

在持續(xù)加大對研發(fā)的投入下，ICMAX碩果累累：LPDDR4X 8GB 實現(xiàn)量產(chǎn)，走在行業(yè)前列；eMMC不良率低于千分之三，保證良率與口碑；DDR因性能優(yōu)越性價比高，擁有極高競爭力，被眾多知名廠商選擇……這些都是ICMAX注重研發(fā)的成果。在LPDDR5領(lǐng)域，ICMAX也將持續(xù)加碼，繼續(xù)引領(lǐng)嵌入式存儲芯片發(fā)展潮流。

更多詳情請登錄官網(wǎng)：http://www.icmax.com.cn/ 或關(guān)注宏旺半導(dǎo)體微信公眾號
商務(wù)合作請聯(lián)系：139 2522 9292