據(jù)韓媒BusinessKorea最新報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC) 首席技術(shù)官程衛(wèi)華，近日在接受媒體采訪時(shí)表示，公司將可能在今年年底前實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存的大規(guī)模生產(chǎn)。

“我們有一個(gè)大規(guī)模生產(chǎn)計(jì)劃，”程衛(wèi)華在接受《日經(jīng)亞洲評(píng)論》采訪時(shí)表示。目前，在中國(guó)政府的支持下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在武漢建設(shè)一座價(jià)值240億美元的半導(dǎo)體工廠，用于大規(guī)模生產(chǎn)64層NAND閃存。

程衛(wèi)華在采訪中僅提到：“長(zhǎng)江存儲(chǔ)的大規(guī)模生產(chǎn)NAND閃存的計(jì)劃進(jìn)展順利，沒(méi)有任何問(wèn)題?！彼⑽凑叫紝⒃诮衲觊_(kāi)始量產(chǎn)64層NAND閃存。不過(guò)，行業(yè)觀察人士表示，程衛(wèi)華已表示了當(dāng)公司實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)計(jì)劃后，今年將能夠生產(chǎn)64層NAND閃存。

目前來(lái)看，三星電子和SK海力士正在將90層工藝應(yīng)用于3D NAND閃存的生產(chǎn)。其實(shí)，SK海力士在去年完成研發(fā)后，已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)96層NAND閃存。三星則計(jì)劃在今年下半年推出100層NAND閃存。如果長(zhǎng)江存儲(chǔ)在年底前成功實(shí)現(xiàn)64層NAND量產(chǎn)，那么其與三星電子的技術(shù)差距將縮短至兩年左右。

此外，人們擔(dān)憂長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)入NAND閃存行業(yè)后的影響，因?yàn)镹AND跌價(jià)的幅度通常來(lái)說(shuō)會(huì)比DRAM更大。另一方面，部分專家仍對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層NAND量產(chǎn)保持懷疑態(tài)度，因?yàn)槠湮茨壳安⑽戳慨a(chǎn)32層的產(chǎn)品。

不過(guò)總的來(lái)說(shuō)，與DRAM領(lǐng)域不同，長(zhǎng)江存儲(chǔ)似乎在NAND領(lǐng)域里正一切進(jìn)展順利。如果長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年下半年向市場(chǎng)供應(yīng)64層閃存，不排除中國(guó)政府可能會(huì)建議國(guó)產(chǎn)智能手機(jī)和PC制造商使用國(guó)產(chǎn)的NAND閃存。

如果真出現(xiàn)這種情況，那么將嚴(yán)重削弱NAND行業(yè)的利潤(rùn)。這正是三星、東芝、美光、SK海力士等閃存制造商所擔(dān)憂的。