繼2019年9月宣布量產(chǎn)8Gb DDR4后，長鑫存儲DDR4內(nèi)存芯片產(chǎn)品日前已在官方網(wǎng)站上線，包括DDR4內(nèi)存芯片、LPDDR4X內(nèi)存芯片、DDR4模組等，并公布了具體產(chǎn)品資料。

據(jù)官網(wǎng)介紹，DDR4內(nèi)存芯片是首顆國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片，是第四代雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。相較于上一代DDR3內(nèi)存芯片，DDR4內(nèi)存芯片擁有更快的數(shù)據(jù)傳輸速率、更穩(wěn)定的性能和更低的能耗。長鑫存儲自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存芯片滿足市場主流需求，可應(yīng)用于PC、筆記本電腦、服務(wù)器、消費(fèi)電子類產(chǎn)品等領(lǐng)域。

產(chǎn)品資料顯示，長鑫存儲DDR4內(nèi)存芯片單顆容量8Gb，2666 Mbps速率，工作電壓1.2V，工作溫度0 °C ~ 95 °C ，78 – ball FBGA與96 – ball FBGA兩種封裝規(guī)格。長鑫存儲稱該產(chǎn)品特點(diǎn)包括高速數(shù)據(jù)傳輸、多領(lǐng)域應(yīng)用支持、多產(chǎn)品組合、可靠性保障等。

LPDDR4X內(nèi)存芯片為第四代超低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器, 采用了LVSTL的低功耗接口及多項降低功耗的設(shè)計。在高速傳輸上，LPDDR4X內(nèi)存芯片相較于第三代有著更優(yōu)越出色的低耗表現(xiàn)，服務(wù)于性能更高、功耗更低的移動設(shè)備。參數(shù)方面，長鑫存儲LPDDR4X內(nèi)存芯片有2GB和4GB兩種容量，3733Mbps速率，工作電壓1.8V/1.1V/0.6V，工作溫度-30 °C ~ 85 °C，采用200ball FBGA封裝。

DDR4模組是第四代高速模組，相較于DDR3模組，性能和帶寬顯著提升，最高速率可達(dá)3200Mbps。長鑫存儲表示，DDR4模組由其自主開發(fā)設(shè)計、原廠內(nèi)存顆粒，是目前內(nèi)存市場主流產(chǎn)品，可服務(wù)于個人電腦和服務(wù)器等傳統(tǒng)市場，以及人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等新興市場。參數(shù)方面，DDR4模組容量8GB，2666 Mbps速率，工作電壓1.2V，工作溫度0 °C ~ 95 °C，260-pin SODIMM、288-pin SODIMM兩種封裝規(guī)格。

官網(wǎng)信息顯示，長鑫存儲上述產(chǎn)品已接受技術(shù)咨詢和銷售咨詢。

2016年5月，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目啟動建設(shè)，歷經(jīng)3年多時間，2019年9月長鑫存儲正式宣布投產(chǎn)，與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。