近日，安徽省經(jīng)信廳引發(fā)《重點領域補短板產(chǎn)品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》（以下簡稱“方案”）。
根據(jù)《方案》，安徽省將聚焦新一代電子信息、智能裝備、新材料等重點領域，組織具備較強創(chuàng)新能力的企業(yè)揭榜攻關，通過2-3年時間，重點突破一批制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵技術，培育一批優(yōu)勢產(chǎn)品，做強一批優(yōu)勢企業(yè)，不斷提高制造業(yè)自主可控水平，促進制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
目前，安徽省已經(jīng)以制造業(yè)重大發(fā)展需求為目標，以突破產(chǎn)業(yè)關鍵技術短板為導向，著眼有基礎可產(chǎn)業(yè)化、突出產(chǎn)業(yè)帶動性，在10個重點領域、50個重點方向中確定了104項揭榜任務，其中包括多項集成電路產(chǎn)業(yè)的揭榜任務。
以下為部分集成電路產(chǎn)業(yè)揭榜任務：
射頻氮化鎵單晶襯底的主要任務為面向高端射頻領域，如軍用相控雷達、5G通信基站、衛(wèi)星通訊等，開展基于自支撐技術的高質(zhì)量、大尺寸、半絕緣型的氮化鎵襯底生長及物性調(diào)控的研發(fā)與量產(chǎn)。
低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)的主要任務為面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關高速接口技術、Bank Group架構(gòu)設計技術、低功耗電源（電壓）技術、片內(nèi)糾錯編碼（On-Die ECC）技術，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。
15/14nm DRAM存儲芯片先進工藝開發(fā)及產(chǎn)品研發(fā)的主要任務為圍繞未來云計算、人工智能等對DRAM存儲芯片小尺寸、大容量、高速度的需求，進行15/14nm DRAM存儲芯片制造工藝開發(fā)，并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
DRAM存儲芯片專用封裝工藝鋁重新布線層(Al RDL)工藝開發(fā)的主要任務為圍繞先進DRAM產(chǎn)品工藝開發(fā)需求，開展鋁重新布線層工藝開發(fā)并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用，采用氣相沉積氧化硅厚膜作為保護層降低材料應力，攻關濺鍍厚鋁技術替代電鍍銅(鎳鈀金)技術，通過鋁替代銅作為重新布線層，解決先進DRAM產(chǎn)品封裝良率低、成本高、周期長等問題。
5nm計算光刻國產(chǎn)化，該任務的研究內(nèi)容包括：計算光刻EDA軟件，提供高度智能化、自動化的EDA仿真軟件，含OPC和SMO兩大核心技術，同時將版圖到掩膜版數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的全流程囊括其中，增加工藝探索、建模、圖形驗證、圖形校正、數(shù)據(jù)準備5大模塊，各個模塊可以獨立操作又能有效串連，對光刻工藝步驟構(gòu)建適合的軟件模型，以純軟件模型取代工程實驗，達到降低研發(fā)成本的效果。通過內(nèi)建人工智能算法引擎，從而提高收斂準確性，支持5nm光刻工藝和多重圖形化（Multiple-Patterning）技術，實現(xiàn)Patterning圖形全流程自動化，最大程度減少對人的依賴，還起到了提高開發(fā)效率、減少人力成本、縮短開發(fā)時間的作用。
定位下一代EDA的5nm工藝研發(fā)DTCO平臺，主要內(nèi)容包括：將光刻工藝研發(fā)和器件工藝研發(fā)流程整合的工藝研發(fā)流程。包括七大模塊：1.性能評價模塊 2.功耗評價模塊 3.面積評估模塊 4.制程成本評估模塊 5.制程可行性評估模塊 6.智能設計規(guī)則管理系統(tǒng) 7.DTCO協(xié)作請求與控制系統(tǒng)。通過此DTCO平臺， 工藝研發(fā)人員將從研發(fā)早期確定技術路線，對性能功耗面積的持續(xù)優(yōu)化，評估工藝條件的可行性與成本，決定設計規(guī)則窗口，引入研發(fā)組織協(xié)作流程，將龐大的工藝研發(fā)信息納入統(tǒng)一管理，降低工藝研發(fā)成本，提高效率。?
5G高抑制n77頻帶帶通濾波器的主要內(nèi)容為實現(xiàn)高抑制Hybrid 5G n77濾波器產(chǎn)品研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化，解決射頻前端芯片“卡脖子”難題。
基于5G通訊的LTCC射頻器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的主要內(nèi)容為突破LTCC三維布局、傳輸零點的引入方法、LTCC濾波器的計算機輔助診斷與調(diào)試等關鍵技術。
國產(chǎn)化智能語音芯片研發(fā)的主要任務為：1.完全自研、自定義的DSP和AI加速器的指令和IP的研究設計；2.專用IP設計以及驗證：完成AI加速器微架構(gòu)設計，指令集設計，用RTL實現(xiàn)并驗證，主要包括：1）AI加速器微架構(gòu)設計，它可以較好的平衡各種算力需求和設計復雜度；2）針對人工智能算子，設計出AI加速指令。
存儲器芯片生產(chǎn)自動測試設備研發(fā)的主要任務包括1.ATE行業(yè)最高集成度的核心儀表板；2.行業(yè)最高的系統(tǒng)配置能力；3.行業(yè)內(nèi)最高生產(chǎn)并行測試能力。