6月1日，三星電子 (Samsung Electronics) 宣布，將在京畿道平澤工業(yè)園區(qū)投建先進的NAND Flash閃存生產(chǎn)線。該擴建工程于今年5月開始，將為2021年下半年大規(guī)模生產(chǎn)三星的尖端V-NAND存儲器鋪平道路。

據(jù)三星官方消息指出，新工廠位于韓國平澤2號線內(nèi)，計劃于2021年2月量產(chǎn)，將專門用于制造三星最先進的V-NAND存儲器。

在不久前，5月21日，三星電子官方宣布了將在平澤市再投建一條全新的晶圓代工生產(chǎn)線，以滿足全球?qū)O紫外光刻技術(shù) (EUV) 的需求。時隔10天，三星再次宣布新的NAND Flash產(chǎn)線投資計劃。

雖然官方暫未公布具體投資金額，但業(yè)界推測該新晶圓代工生產(chǎn)線和NAND生產(chǎn)線的投資規(guī)模，或分別達到10萬億和8萬億韓元。

三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對隨著人工智能 (AI)、物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 、以及5G的普及而帶來的NAND需求。業(yè)者認為，三星電子近期連續(xù)宣布的投資計劃，尤其是在目前新冠疫情重創(chuàng)全球經(jīng)濟的情況下，反映出其欲在全球閃存市場繼續(xù)拉大優(yōu)勢的決心。

目前，EUV晶圓代工生產(chǎn)和NAND閃存生產(chǎn)所需的潔凈室已在著手建設(shè)中，爭取在2021年下半年可以投產(chǎn)5納米EUV芯片及V-NAND閃存產(chǎn)品。