過去一年，存儲產(chǎn)業(yè)并購、建廠、擴產(chǎn)、投產(chǎn)動作不斷，哪些廠商的布局令你印象深刻？不妨跟著全球半導(dǎo)體觀察的腳步，一同回顧2018年存儲產(chǎn)業(yè)大事件。
Part 1、收購篇
Synopsys收購Kilopass
2018年1月11日，全球頂先的EDA和IP供應(yīng)商Synopsys以非公開的價格收購了非易失性內(nèi)存IP供應(yīng)商Kilopass，通過收購繼續(xù)構(gòu)建其龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合。
Synopsys公司表示，Kilopass是一次性可編程非易失性存儲器IP的先驅(qū)，收購將進一步完善其公司汽車、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)和移動應(yīng)用的現(xiàn)有非易失存儲器IP產(chǎn)品組合。Kilopass IP將支持其現(xiàn)有DesignWare的非易失性存儲器IP一次性和多次可編程，支持在180 nm至7 nm工藝技術(shù)中實現(xiàn)高達4 Mbit的一次性可編程實例。
兆易創(chuàng)新并購思立微
2018年1月30日晚間，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司發(fā)布《發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)并募集配套資金預(yù)案（摘要）》公告，公告表示，兆易創(chuàng)新擬通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買上海思立微電子科技有限公司100%股權(quán)。
兆易創(chuàng)新目前是中國大陸領(lǐng)先的閃存芯片設(shè)計企業(yè)。思立微全名為上海思立微電子科技有限公司，于2011 年1月27日在上海成立，公司主營業(yè)務(wù)為智能移動終端傳感器SoC芯片和解決方案的研發(fā)與銷售，主要產(chǎn)品為電容觸控芯片及指紋識別芯片，產(chǎn)品主要應(yīng)用于手機及平板電腦。
貝恩資本收購東芝存儲
2018年6月初，全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商希捷科技公司宣布與貝恩資本為首的財團投資者完成了對東芝存儲公司（Toshiba Memory Corporation）的收購，希捷出資12.7億美元。這項收購計劃此前就曾宣布，并特意為此次收購計劃組建了名為K.K.Pangea的新公司。
在2017年，在貝恩資本所牽頭財團收購東芝芯片業(yè)務(wù)的交易計劃中，希捷科技公司表示將貢獻12.5億美元。關(guān)于被收購的事情，東芝表示，已簽署協(xié)議將芯片業(yè)務(wù)以180億美元價格出售給貝恩資本牽頭的財團。東芝一直在努力籌措資金，以避免被摘牌的命運。除希捷外，貝恩資本財團中還包括蘋果、韓國芯片商SK海力士、戴爾和金士頓。
聯(lián)電并購三重富士通半導(dǎo)體
2018年6月29日，聯(lián)電與富士通半導(dǎo)體有限公司共同宣布，聯(lián)電將購買與富士通半導(dǎo)體所合資的12英寸晶圓廠三重富士通半導(dǎo)體股份有限公司(MIFS)全部股權(quán)，交易金額不超過576.3億日元。為聯(lián)電進一步建立多元化量產(chǎn)12英寸廠之生產(chǎn)基地。
三重富士通半導(dǎo)體（MIFS）前身為富士通股份有限公司三重工廠，自1984年開始運營以來，作為最先端存儲器等產(chǎn)品的研發(fā)、量產(chǎn)據(jù)點，助力富士通半導(dǎo)體快速發(fā)展。如今，MIFS是日本為數(shù)不多的300mm晶圓代工廠之一，B1廠采用90nm工藝，B2廠初始采用65nm工藝，2016年初開始40nm商用生產(chǎn)，2016年下半年40nm正式進入量產(chǎn)階段。
美光并購與英特爾合資的IM Flash
2018年10月19日，美光科技宣布，將收購與英特爾十多年前組建的一家閃存合資公司的股份。
美光同意斥資15億美元收購英特爾持有的IM Flash Technologies股份，并預(yù)計將在明年1月1日行使購買選擇權(quán)后6至12個月完成交易。該公司CFO戴夫·金斯納（Dave Zinsner）在會議上表示，美光科技將通過自由現(xiàn)金流支付收購款項。
猶他州工廠不僅距離該公司愛達荷州的總部很近，而且是全世界唯一可以生產(chǎn)3D XPoint技術(shù)的工廠。這種非揮發(fā)性存儲可以提升存儲性能，還能降低服務(wù)器的存儲成本。
Part 2 建廠、擴產(chǎn)、投產(chǎn)篇
江蘇時代芯存相變存儲器工廠啟動運營
2018年3月底，總投資130億元的江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司用時9個月實現(xiàn)廠房封頂，歷時1年22天投入使用，同時完成所有設(shè)備采購，首臺設(shè)備進廠。這標志著淮安已成為大陸地級市中唯一同時擁有兩個12英寸高水準項目（另一個為德淮半導(dǎo)體項目）的地區(qū)。項目全面建成后將達到年產(chǎn)10萬片12英寸相變存儲器的產(chǎn)能，年可實現(xiàn)銷售45億元，利稅3億元，淮安將成為大陸集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要增長極。
東芝建新廠增產(chǎn)3D NAND
東芝旗下半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲器(TMC)”2018年5月宣布，因3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)“BiCS FLASH”中長期需求料將呈現(xiàn)擴大，因此為了擴增3D NAND Flash產(chǎn)能，決定將在2018年7月于巖手縣北上市著手興建新工廠，該座北上新廠廠房預(yù)計將在2019年完工。
TMC指出，上述北上新廠將采用耐震結(jié)構(gòu)、最新的省能源制造設(shè)備，且將導(dǎo)入活用人工智能(AI)的生產(chǎn)系統(tǒng)，提升生產(chǎn)效能、改善良率。
東芝與西數(shù)合資廠量產(chǎn)96層3D NAND
日本存儲器大廠東芝存儲器與西數(shù)（Western Digital）2018年9月19日宣布，共同在日本三重縣四日市的6號晶圓廠（Fab 6）舉行開幕儀式。該廠為新設(shè)先進半導(dǎo)體制造廠區(qū)，并設(shè)有存儲器研發(fā)中心（Memory R&D Center）。
東芝存儲器是自2017年2月開始興建6號晶圓廠，為生產(chǎn)3D NAND Flash快閃存儲器的專用生產(chǎn)廠區(qū)。東芝存儲器與西數(shù)已針對沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關(guān)鍵生產(chǎn)制程開始部署先進制造設(shè)備，新廠已經(jīng)在9月初開始量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash。
三星西安NAND工廠3月底啟動擴產(chǎn)
2018年3月，三星宣布，三星位于西安的NAND工廠3月底啟動擴產(chǎn)。三星未來三年將斥資70億美元，擴大西安廠區(qū)NAND Flash產(chǎn)能，西安NAND Flash月產(chǎn)能將由目前的12萬片增至20萬片，增幅約67%。這是三星去年宣布增產(chǎn)DRAM之后，再次在存儲器芯片領(lǐng)域砸下重金擴產(chǎn)，為全球存儲器市場再次投下一顆震撼彈。
美光新加坡第三座3D NAND工廠動工
2018年4月，美光新加坡第三座3D NAND工廠動工，該新工廠是美光Fab 10擴建的第三期工程，占地165,000平方米，預(yù)計會在2019年中完工，在2019年第四季度投產(chǎn)。工廠的量產(chǎn)還需要幾個季度的時間，因此預(yù)計大量的3D NAND存儲器將在2020年底之前產(chǎn)出。目前，美光在新加坡有兩座300mm 3D NAND工廠，分別Fab 10N和Fab 10X。 這些工廠目前生產(chǎn)美光的NAND Flash的大部分份額。
英特爾大連廠2期投產(chǎn)
繼2015年宣布其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造為NAND Flash快閃存儲器工廠之后，英特爾2018年5月宣布已經(jīng)正式投產(chǎn)。未來，主要將生產(chǎn)96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器，積極追趕競爭對手的市占率。
SK海力士開建第7座工廠
2018年12月，SK Hynix正式開工建設(shè)第7座半導(dǎo)體工廠──M16廠，總投資不低于15萬億韓元（約133億美元）。雖然還沒確定最終生產(chǎn)NAND Flash還是DRAM，但是這座晶圓廠確定將會采用最先進的EUV光刻技術(shù)。
此外，在2018年10月份，SK Hynix才剛完成最新的M15工廠興建，已正式進入量產(chǎn)，且該工廠是2015年SK Hynix宣布將斥資的46萬億韓元投資計劃中的一部分。
M15工廠位于韓國清州市，投資額高達15萬億韓元，以生產(chǎn)3D NAND Flash為主，初期以生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆疊3D NAND Flash，2019年開始，就會轉(zhuǎn)到96層堆疊的3D NAND Flash上。