據(jù)韓國媒體報道，三星電子準(zhǔn)備在韓國平澤新建一個大型半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，并計劃在9月份啟動工廠建設(shè)。

報道指出，三星P3工廠的生產(chǎn)制造規(guī)模將比P2工廠增加50%，預(yù)計將采取“綜合半導(dǎo)體工廠”的形式，同時生產(chǎn)DRAM，NAND閃存和系統(tǒng)半導(dǎo)體，并有望采用最新工藝。P3工廠預(yù)計將在2021年第三季度竣工，投入量產(chǎn)時間將從2021年底開始。

三星電子是全球最大的存儲器廠商，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)此前發(fā)布的NAND Flash和DRAM廠商營收排名顯示，2020年第一季度，三星電子在NAND Flash和DRAM市場的營收分別為45.01億美元和65.37億美元，均排名第一。

目前，三星電子在韓國平澤設(shè)有名為“P1”和“P2”的半導(dǎo)體工廠，其中P2是新工廠，已于去年竣工。

6月初，三星電子曾宣布，將在京畿道平澤工業(yè)園區(qū)投建先進的NAND Flash閃存生產(chǎn)線。該擴建工程于今年5月開始，將為2021年下半年大規(guī)模生產(chǎn)三星的尖端V-NAND存儲器鋪平道路。據(jù)三星官方當(dāng)時消息指出，新工廠位于韓國平澤2號線內(nèi)，計劃于2021年2月量產(chǎn)，將專門用于制造三星最先進的V-NAND存儲器。