最近存儲芯片也推出了最新的規(guī)格由 UFS 2.0 /2.1 提升到 UFS 3.0，SEQ 讀寫速度堪比 SSD。Western Digital(WD)宣布推出新一代 iNAND 嵌入式閃存 EU511，支持最新的 UFS 3.0，最大容量 512 GB，使用了 96-Layer 3D NAND 閃存，寫入速度達(dá)到 750 MB/s，足足比上代快了一倍。宣稱為未來的 5G 設(shè)備提供更好的體驗(yàn)。

Western Digital 官方?jīng)]有公布具體的芯片類型，但估計不會是 QLC，3D TLC 的機(jī)會比較大，因?yàn)榻衲?1 月底 Toshiba 也同樣推出了 UFS 3.0 閃存，而且是 96-Layer 3D TLC 閃存，按常理兩家推出的產(chǎn)品步伐都大致相約。

Western Digital EU511 閃存支持 UFS 3.0 Gear 4/2 Lane 規(guī)范，而 UFS 3.0 單通道雙向頻寬為 11.6 Gbps，因此雙通道的理論最高值就是 23.2 Gbps，約為 2.9GB/s。

容量方面，iNAND EU511 最低提供 64 GB，最高可達(dá) 512 GB，而且憑借自家的 Smart SLC Generation 6 技術(shù)，提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入速度，較現(xiàn)行技術(shù)提升 75% 隨機(jī)讀取與 25% 隨機(jī)寫入，同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。而目前 Western Digital iNAND EU511 閃存已經(jīng)開始給OEM客戶出樣。