三星推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。該公司新的Flashbolt存儲(chǔ)器堆棧將性能提高了33%，并提供每個(gè)晶元雙倍容量以及每個(gè)封裝的雙倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，這是一個(gè)合適的場(chǎng)合，因?yàn)镹VIDIA因其廣受歡迎的GV100處理器而成為HBM2內(nèi)存最大的用戶之一。

三星的Flashbolt KGSD基于八個(gè)16-Gb存儲(chǔ)器晶元，這些晶元使用TSV（通過硅通孔）以8-Hi堆棧配置互連。每個(gè)Flashbolt封裝都具有1024位總線，每個(gè)引腳的數(shù)據(jù)傳輸速率為3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高達(dá)410GB/s的帶寬。

三星將其Flashbolt KGSD定位瞄準(zhǔn)下一代數(shù)據(jù)中心，HPC，AI/ML和圖形應(yīng)用程序。通過使用具有4096位存儲(chǔ)器界面的處理器的四個(gè)Flashbolt堆棧，開發(fā)人員可以獲得具有1.64TB/s峰值帶寬的64GB內(nèi)存，這對(duì)于容量和帶寬需求大的晶元來說將是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)。使用兩個(gè)KGSD，它們可獲得32GB的DRAM，峰值帶寬為820GB/s。

三星表示自己尚未開始批量生產(chǎn)Flashbolt HBM2E內(nèi)存，但是已完成該技術(shù)的開發(fā)。