在動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）制程陸續(xù)進入 1X 及 1Y 制程領(lǐng)域之后，全球 DRAM 龍頭南韓三星 21 日宣布，首次業(yè)界開發(fā)第 3 代 10 納米等級（1Z 納米制程）8GB 高性能 DRAM。這也是三星發(fā)展 1Y 納米制程 DRAM 之后，經(jīng)歷 16 個月，再開發(fā)出更先進制程的 DRAM 產(chǎn)品。

據(jù)了解，新一代 1Z 納米制程 DRAM，三星在不使用極紫外線光刻機（EUV）的情況下打造，這顯示三星進一步提高了 DRAM 的生產(chǎn)極限，并拉高競爭對手的生產(chǎn)門檻。隨著 1Z 納米制程產(chǎn)品問世，并成為業(yè)界最小的存儲器生產(chǎn)節(jié)點，目前三星已準備好用新的 1Z 納米制程 DDR4 DRAM 滿足日益成長的市場需求，生產(chǎn)效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示，1Z 納米制程 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產(chǎn)時間將落在 2019 下半年，以因應(yīng)下一代企業(yè)服務(wù)器需求，并有望能在 2020 年支援新高階個人計算機。除了提供市場需求，三星還指出，跨入 1Z 納米制程的 DRAM 生產(chǎn)，將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預(yù)做準備。這些具更高容量和性能的 1Z 納米制程產(chǎn)品將增強三星在市場的業(yè)務(wù)競爭力，鞏固其高階 DRAM 市場應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)地位，包括服務(wù)器、圖形和行動裝置等領(lǐng)域。

另市場消息指出，與一家 CPU 制造商就 8GB DDR4 模塊全面驗證后，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將面世的存儲器解決方案。為了滿足目前的行業(yè)需求，三星計劃增加主要存儲器生產(chǎn)比重。