據(jù)新華社5月17日?qǐng)?bào)道，三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目在西安的投資將超過140億美元。

據(jù)了解，三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目于2012年成功入駐西安高新區(qū)，主要生產(chǎn)“V－NAND”閃存芯片。2014年5月，項(xiàng)目一期竣工投產(chǎn)。值得注意的是，一期項(xiàng)目計(jì)劃投資金額為70億美元，但實(shí)際總投資比計(jì)劃投資額超過了30億美元，高達(dá)逾100億美元。

至于二期項(xiàng)目，三星電子早在2017年曾表示，未來3年內(nèi)將向其西安工廠投資70億美元，用于生產(chǎn)NAND閃存芯片。而目前，三星二期項(xiàng)目已于2018年3月開工建設(shè)，預(yù)計(jì)今年7月份建成，2020年一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

根據(jù)三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基表示，三星半導(dǎo)體的存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目總投資將超過140億美元，主要分為兩個(gè)階段，其中第一階段投資70億美元，盡管第二階段的詳細(xì)計(jì)劃還未出爐，但預(yù)計(jì)會(huì)超過70億美元。