隨著 5G 明年步入商轉(zhuǎn)，資料傳輸需求大增，可望顯著刺激存儲(chǔ)器景氣。雖然近期存儲(chǔ)器步入景氣向下循環(huán)，但歷經(jīng)調(diào)整后，5G、人工智能與邊緣運(yùn)算等帶動(dòng)科技新浪潮，將帶動(dòng) DRAM 與 NAND Flash 需求重回成長(zhǎng)，南亞科、華邦電等臺(tái)廠都將因此受惠。

DRAM 近年來(lái)受惠資料中心持續(xù)建置，服務(wù)器存儲(chǔ)器出貨量大幅攀升，伴隨 5G 商轉(zhuǎn)產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，將需要建置更多資料中心來(lái)容納。隨著資料中心需求持續(xù)推升，未來(lái)服務(wù)器 DRAM 可望成為成長(zhǎng)力道最強(qiáng)勁的存儲(chǔ)器領(lǐng)域，研調(diào)甚至認(rèn)為，未來(lái) 2 至 3 年內(nèi)，服務(wù)器存儲(chǔ)器將超越行動(dòng)式存儲(chǔ)器，成為供需主流。

為迎接服務(wù)器市場(chǎng)未來(lái)的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，南亞科今年正式重返缺席逾 5 年的服務(wù)器 DRAM 市場(chǎng)，8Gb DDR4 服務(wù)器產(chǎn)品已獲美系資料中心大廠驗(yàn)證通過(guò)，第 4 季小量出貨，并于明年放量，要全力搶攻服務(wù)器市場(chǎng)，盼明年底前服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品可占整體出貨比重超過(guò) 1 成。

除南亞科積極布局以因應(yīng)相關(guān)需求外，華邦電也不缺席。華邦電總經(jīng)理詹東義認(rèn)為，5G、人工智能與邊緣運(yùn)算需求增加，將使更多產(chǎn)品智慧化，成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)的新成長(zhǎng)動(dòng)能，因此對(duì)未來(lái)市場(chǎng)需求并不悲觀，將持續(xù)耕耘質(zhì)量要求較高的金字塔頂端客戶。

而在 NAND Flash 方面，隨著 5G 帶動(dòng)智慧家庭、自動(dòng)駕駛等新興領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展，擁有運(yùn)算能力的終端產(chǎn)品數(shù)量將會(huì)明顯提升，可望帶動(dòng)中低容量 NAND Flash 產(chǎn)品出貨量增加，后市需求動(dòng)能同樣樂(lè)觀可期。