距JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布LPDDR4運(yùn)行內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，已經(jīng)過去五年，今年2月份JEDEC正式發(fā)布了JESD209-5標(biāo)準(zhǔn)即LPDDR5的標(biāo)準(zhǔn)，真可謂“千呼萬(wàn)喚始出來(lái)”。LPDDR5將以6400MT/s的速率運(yùn)行，比第一版LPDDR4的3200MT/s快了兩倍，比高頻版LPDDR4的4266MT/s快了將近50%，LPDDR5有望對(duì)下一代便攜式電子設(shè)備的性能和功能產(chǎn)生巨大影響。
LPDDR5性能有哪些新突破
LPDDR5增加了降低功耗功能，調(diào)整了核心和I/O的動(dòng)態(tài)頻率和電壓等多個(gè)全新特性，LPDDR5為了提升性能重新設(shè)計(jì)了架構(gòu)，轉(zhuǎn)向16Banks可編程和多時(shí)鐘架構(gòu)，除此之外，LPDDR5引入了Data-Copy和Write-X兩個(gè)新的指令。Data-Copy指令可指示LPDDR5將單個(gè)I/O引腳上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)復(fù)制到其他I/O引腳，提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)男?；Write-X指令可將全1或全0寫入到特定地址，無(wú)需將數(shù)據(jù)從SoC發(fā)送到LPDDR5，這個(gè)新指令將有效降低整體系統(tǒng)功耗。
LPDDR5的電壓和LPDDR4X一樣是1.1V，信號(hào)電壓250mV，不過閑置狀態(tài)下電流將降低40%，可大幅降低功耗。另外考慮到汽車與相關(guān)市場(chǎng)的需求，滿足汽車以及相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)可靠性的要求，LPDDR5在SoC和DRAM之間的接口上引入了鏈路糾錯(cuò)碼（ECC）的支持。
LPDDR5應(yīng)用領(lǐng)域
整體來(lái)看，LPDDR5相比上代的LPDDR4來(lái)說(shuō)，最大的優(yōu)勢(shì)在于速率的提升以及功耗的降低，這意味著該LPDDR5的運(yùn)行內(nèi)存理論上會(huì)更加省電，數(shù)據(jù)傳輸速度也會(huì)更快，新LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，有望大幅度提升便攜式電子設(shè)備在各種場(chǎng)景下的內(nèi)存效率。LPDDR5滿足于智能手機(jī)、平板電腦、超輕薄型電腦等多種品類的移動(dòng)計(jì)算需求，它的優(yōu)秀之處還在于，提供了為汽車等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域而設(shè)計(jì)的功能，應(yīng)用面更加廣泛。
ICMAX LPDDR5量產(chǎn)時(shí)間
雖然在2018年已有消息有部分廠商已經(jīng)生產(chǎn)LPDDR5，但至今仍沒有在市場(chǎng)上大規(guī)模應(yīng)用，一方面是因?yàn)閮r(jià)格的原因，另一方面也是技術(shù)層面的限制，暫時(shí)還未成為市場(chǎng)主流。隨著5G通訊的普及，對(duì)手機(jī)、平板等運(yùn)行內(nèi)存將會(huì)有更高的期待，并且手機(jī)的CPU和GPU都共享內(nèi)存帶寬，加上近年來(lái)AI芯片的興起，對(duì)手機(jī)內(nèi)存帶寬的要求變得越來(lái)越高，都將促進(jìn)LPDDR5的量產(chǎn)與普及。
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LPDDR5是目前在RAM上最新的標(biāo)準(zhǔn)，宏旺半導(dǎo)體 LPDDR5 內(nèi)存芯片將在2020進(jìn)入量產(chǎn)階段，宏旺半導(dǎo)體擁有一支強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，ICMAX IC Design / HW / FW / SYS 等工程師人數(shù)超過全員一半。
在持續(xù)加大對(duì)研發(fā)的投入下，ICMAX碩果累累：LPDDR4X 8GB 實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，走在行業(yè)前列；eMMC不良率低于千分之三，保證良率與口碑；DDR因性能優(yōu)越性價(jià)比高，擁有極高競(jìng)爭(zhēng)力，被眾多知名廠商選擇……這些都是ICMAX注重研發(fā)的成果。在LPDDR5領(lǐng)域，ICMAX也將持續(xù)加碼，繼續(xù)引領(lǐng)嵌入式存儲(chǔ)芯片發(fā)展潮流。
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