東芝存儲(chǔ)器總部位于美國(guó)的子公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）今天宣布推出新的存儲(chǔ)器（SCM）解決方案：XL-FLASH 。

XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)，每單元1比特SLC，將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)帶來(lái)低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開(kāi)始出貨，預(yù)計(jì)將于2020年開(kāi)始量產(chǎn)。

介于DRAM和NAND Flash之間，XL-FLASH的速度快，延遲低，并且有更高的存儲(chǔ)容量。和傳統(tǒng)DRAM相比它的成本也更低。一開(kāi)始XL-FLASH是被布局在SSD產(chǎn)品上，但之后也會(huì)應(yīng)用在DRAM的產(chǎn)品上，比如未來(lái)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMMs)。

主要特點(diǎn)

128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封裝） ；

4KB Page大小，高效的操作系統(tǒng)的讀寫(xiě) ；

16-plane更高效的并行架構(gòu) ；

快速的讀取頁(yè)面和編程時(shí)間，XL-Flash提供小于5微秒的低讀取延遲，比現(xiàn)有TLC快10倍。

東芝存儲(chǔ)器子公司TMA存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Scott Nelson表示，“借助XL-FLASH，我們?yōu)槌笠?guī)模制造商和企業(yè)服務(wù)器/存儲(chǔ)供應(yīng)商提供了一種更具成本效益，更低延遲的存儲(chǔ)解決方案，彌補(bǔ)了DRAM與NAND性能之間的差距。”

注：本文根據(jù)東芝官網(wǎng)文章編譯，原文鏈接：https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/memory-20190805-1.html

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