隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、人工智能(AI)、5G技術(shù)逐步整合，資料經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈可望成形。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2025年全球資料量將成長(zhǎng)至163ZB，屆時(shí)超過(guò)四分之一的數(shù)據(jù)將是實(shí)時(shí)資料，其中物聯(lián)網(wǎng)裝置產(chǎn)生的實(shí)時(shí)資料占95%以上。資料經(jīng)濟(jì)與人工智能翻新了數(shù)據(jù)的價(jià)值，也開展了全新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展契機(jī)與挑戰(zhàn)；由實(shí)時(shí)資料所驅(qū)動(dòng)的智能儲(chǔ)存應(yīng)用，已展現(xiàn)強(qiáng)大市場(chǎng)推動(dòng)力量，不只讓工業(yè)級(jí)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器、DRAM應(yīng)用有了更多樣的面貌，對(duì)相關(guān)垂直市場(chǎng)應(yīng)用的重要性也大幅提升。
為因應(yīng)智能裝置對(duì)于運(yùn)算能力及傳輸速度的高標(biāo)準(zhǔn)要求，未來(lái)持續(xù)透過(guò)NVM Express(NVMe)標(biāo)準(zhǔn)提升固態(tài)硬盤(SSD)運(yùn)作效能已是勢(shì)在必行，具總線頻寬優(yōu)勢(shì)的高速PCIe界面應(yīng)用層面也將越來(lái)越廣。另一方面，隨著英特爾(Intel)與AMD相繼升級(jí)服務(wù)器、桌上型與行動(dòng)處理器平臺(tái)，強(qiáng)化支援存儲(chǔ)器規(guī)格至DDR4-2666，工業(yè)級(jí)DRAM將正式進(jìn)入高效能、高頻寬的DDR4-2666世代，甚至持續(xù)朝2,933MT/s發(fā)展邁進(jìn)。
容量方面，隨著工業(yè)級(jí)3D NAND技術(shù)逐漸成熟，解決了2D NAND儲(chǔ)存單元距離過(guò)近時(shí)可能產(chǎn)生的干擾問(wèn)題，有效提升每?jī)?chǔ)存單元(cell)的容量；而DRAM也從20nm進(jìn)入1x/1ynm制程，工控應(yīng)用市場(chǎng)導(dǎo)入具高容量、高可靠度、高效能與低功耗優(yōu)勢(shì)的3D NAND SSD，16GB甚至32GB存儲(chǔ)器趨勢(shì)也將逐漸成形。
另一方面，因應(yīng)智能裝置小體積應(yīng)用趨勢(shì)，工業(yè)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)逐漸重視體積精巧、易于掛載或整合等特性，小尺寸規(guī)格(SFF)將成為儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器產(chǎn)品發(fā)展考量的重要元素之一。如將控制芯片、NAND Flash和DRAM等關(guān)鍵元件整合于單一芯片的超小型uSSD、全球最快的工業(yè)級(jí)記憶卡CFexpress或全球體積最小的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)器VLP DDR4 SODIMM等，都將于此時(shí)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。
軟韌硬件技術(shù)加值 拉高工業(yè)級(jí)市場(chǎng)進(jìn)入門檻
智能應(yīng)用發(fā)展的多元化，對(duì)數(shù)位儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)的影響絕不僅限于未來(lái)產(chǎn)品規(guī)劃的層面上，工控市場(chǎng)也將從量變走向質(zhì)變。原廠高質(zhì)量顆粒的取得與穩(wěn)固的合作關(guān)系已是基本要素，如何洞悉市場(chǎng)需求、研發(fā)更符合新世代智能應(yīng)用需求的儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器產(chǎn)品，重新定義市場(chǎng)規(guī)格，進(jìn)而擴(kuò)大工控市場(chǎng)影響力，才是取得決勝先機(jī)的關(guān)鍵。
舉例而言，宇瞻科技自發(fā)表專利抗硫化存儲(chǔ)器模組以來(lái)，深知存儲(chǔ)器硫化對(duì)工業(yè)計(jì)算機(jī)、網(wǎng)通與服務(wù)器產(chǎn)品可靠度及使用壽命影響甚巨，致力于推動(dòng)工控市場(chǎng)對(duì)于硫化議題的重視，即成功促使抗硫化存儲(chǔ)器模塊從特殊應(yīng)用躍居市場(chǎng)主流，成為從云端到終端，從資料中心、服務(wù)器到邊緣裝置的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，引發(fā)存儲(chǔ)器模塊市場(chǎng)的新一波成長(zhǎng)動(dòng)能。
此外，雖然都是資料儲(chǔ)存與處理，但不同垂直市場(chǎng)的應(yīng)用需求卻不盡相同，因此，如何掌握不同垂直市場(chǎng)的應(yīng)用特性，并提出相對(duì)應(yīng)的軟固件技術(shù)與解決方案也越來(lái)越重要。
如同樣都是3D NAND SSD產(chǎn)品，透過(guò)Over-Provisioning 固件技術(shù)，則能更進(jìn)一步降低寫入放大率(Write Amplification)，最佳化持續(xù)性隨機(jī)寫入效能，延長(zhǎng) SSD 使用壽命；或利用專屬Double-barreled 智能儲(chǔ)存解決方案，協(xié)助客戶掌握SSD實(shí)際應(yīng)用情境與使用行為，進(jìn)而以有效率且智能的方式管控儲(chǔ)存裝置，大幅提升產(chǎn)品耐用度，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。這不只需要豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，極高的客制化技術(shù)實(shí)力也將扮演關(guān)鍵角色，才能提供軟韌硬件高度整合的Total solution服務(wù)。
展望未來(lái)，除了高容量、高效能、小尺寸的數(shù)位儲(chǔ)存產(chǎn)品將逐漸成為主流，隨著各家業(yè)者紛紛展現(xiàn)從儲(chǔ)存產(chǎn)品走向儲(chǔ)存解決方案供應(yīng)商的決心，如何透過(guò)技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)工控應(yīng)用要求的高可靠度與耐用度，發(fā)揮智能儲(chǔ)存的最大效益，進(jìn)而提供永續(xù)性的SSD與DRAM解決方案，將成兵家必爭(zhēng)之地。