功率半導(dǎo)體晶圓制造代工大廠漢磊,公布2019年第三季營(yíng)收情形,由于2019年前3季市場(chǎng)遭遇去庫(kù)存及市況不佳等因素影響,第三季營(yíng)收為1.24億美元,年減21.2%。

面對(duì)大環(huán)境不佳挑戰(zhàn),漢磊總經(jīng)理莊淵棋表示:「2019年第三季開始,營(yíng)收表現(xiàn)將谷底反彈,并且隨著功率半導(dǎo)體需求逐季回穩(wěn);預(yù)計(jì)到2020年第二季,整體產(chǎn)能利用率有機(jī)會(huì)回升至9成?!?/p>

現(xiàn)行功率元件由于成本考量,主要以Si與SiC晶圓并搭配磊晶技術(shù)為主流

由于功率半導(dǎo)體所需的操作電壓較大,傳統(tǒng)Si元件因本身材料特性,崩潰電壓值(Breakdown Voltage)難以承受數(shù)百伏特以上,因而元件材料逐漸改由第三代半導(dǎo)體之寬能隙材料(SiC與GaN)取代。

另一方面,由于晶圓(Substrate)成本與制程條件等考量,Si晶圓無論在尺寸、價(jià)格上仍較SiC與GaN晶圓大且便宜許多,所以為求有效降低晶圓成本,磊晶生成技術(shù)此時(shí)就變得格外重要。

目前制造功率半導(dǎo)體的主流晶圓,依然以尺寸較大、價(jià)格平價(jià)的Si晶圓為大宗;而可承受高電壓但尺寸稍小、價(jià)格稍貴的SiC晶圓則為次要。

選定晶圓材料(Si或SiC)后,即可透過MOCVD或MBE機(jī)臺(tái),成長(zhǎng)元件所需之SiC或GaN磊晶結(jié)構(gòu);隨后再進(jìn)行相關(guān)半導(dǎo)體前段制程(薄膜、顯影及蝕刻)步驟,最終完成1顆功率元件。

全球資料中心與5G基地臺(tái)建置需求,引領(lǐng)功率IDM廠與代工廠營(yíng)收動(dòng)能

根據(jù)現(xiàn)行功率半導(dǎo)體發(fā)展情形,目前主要以GaN(氮化鎵)及SiC(碳化硅)等第三代半導(dǎo)體材料為主。

其中,國(guó)際IDM大廠如英飛凌Infineon、科銳Cree、II-V等投入動(dòng)作最積極,且相關(guān)廠商正試圖搶占全球?qū)捘芟恫牧侠诰膳c晶圓代工等市場(chǎng)。

近期搭上Server資料中心與5G基地臺(tái)設(shè)備建置需求,預(yù)估到2019年第四季,國(guó)際IDM大廠于功率半導(dǎo)體與電源管理芯片等訂單需求將逐步提升,因而帶動(dòng)底下制造代工廠商相關(guān)產(chǎn)能跟著擴(kuò)張。

跟隨此發(fā)展趨勢(shì),漢磊為第三代半導(dǎo)體中的制造代工大廠,雖然2019年前3季營(yíng)收市場(chǎng)狀況表現(xiàn)略有不佳,但隨著近期IDM大廠的逐步轉(zhuǎn)單挹注下,將驅(qū)使提升整體產(chǎn)能利用率,對(duì)于后續(xù)經(jīng)營(yíng)發(fā)展上將有一定程度上的助益。

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