三星電子(Samsung Electronics)已成功開發(fā)出業(yè)界首款3納米GAA制程技術(shù)，副會(huì)長(zhǎng)李在熔(Lee Jae-yong)上周四(1月2日)訪問(wèn)了華城(Hwaseong)芯片廠的半導(dǎo)體研發(fā)中心，討論相關(guān)的商業(yè)化議題。

BusinessKorea、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(Korea Herald)報(bào)導(dǎo)，三星電子新開發(fā)的3納米GAA制程技術(shù)，有望協(xié)助公司達(dá)成“2030年半導(dǎo)體愿景”(即于2030年在系統(tǒng)半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域成為業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者)。GAA是當(dāng)前FinFET技術(shù)的升級(jí)版，可讓芯片商進(jìn)一步縮小微芯片體積。

李在熔2日訪問(wèn)了華城芯片廠，聽取3納米制程技術(shù)的研發(fā)簡(jiǎn)報(bào)，并跟裝置解決方案(device solutions, DS)事業(yè)群的主管討論次世代半導(dǎo)體策略方針。

跟5納米相較，采用3納米GAA制程技術(shù)的芯片尺寸小了35%、電力消耗量降低50%，但運(yùn)算效能卻能拉高30%。三星計(jì)畫在2022年量產(chǎn)3納米芯片。

三星去(2019)年發(fā)布了133萬(wàn)億韓元(約1118.5億美元)的投資計(jì)劃，目標(biāo)是在2030年成為全球頂尖的系統(tǒng)單芯片(SoC)制造商。