近日，無錫市2020年重大產(chǎn)業(yè)項目集中開工。據(jù)無錫博報指出，本次集中開工共安排185個重大產(chǎn)業(yè)項目，總投資1166億元，年度計劃投資449億元。其中10億元以上項目46個，總投資781億元，年度計劃投資250億元；5-10億元項目24個，總投資152億元，年度計劃投資68億元。

此次重大項目涉及及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、先進(jìn)制造業(yè)等領(lǐng)域。包括宜興中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑外延片、無錫吉姆西12英寸集成電路先進(jìn)制程技術(shù)及裝備、江陰新杰半導(dǎo)體清洗設(shè)備、無錫拉普拉斯半導(dǎo)體高端設(shè)備、江陰海德半導(dǎo)體器件、無錫力特半導(dǎo)體三期等項目。

以下為半導(dǎo)體領(lǐng)域部分開工項目：

·?宜興中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑外延片項目，總投資30.5億元，將建設(shè)8~12英寸硅外延片生產(chǎn)線，月產(chǎn)30萬片8英寸硅外延片和月產(chǎn)10萬片12英寸硅外延片。

·?無錫吉姆西12英寸集成電路先進(jìn)制程技術(shù)及裝備，總投資15.3億元，總用地122.7畝， 一期60畝，建筑面積約3.6萬平方米，利用先進(jìn)生產(chǎn)線，年產(chǎn)晶圓360萬片。

·?無錫拉普拉斯半導(dǎo)體高端設(shè)備項目，總投資10億元，總用地90畝，一期48.9畝，建筑面積4萬平方米，建設(shè)半導(dǎo)體、光伏制造裝備能力的生產(chǎn)基地。

·?無錫海太半導(dǎo)體封裝測試項目，總投資10億元，將引進(jìn)測試儀等進(jìn)口設(shè)備825臺套，年產(chǎn)封裝半導(dǎo)體產(chǎn)品17.56億顆，年測試半導(dǎo)體產(chǎn)品16.85億顆。

·?江陰新杰半導(dǎo)體清洗設(shè)備項目，總投資6.39億元，新增土地約37畝，新增建筑面積約2.4萬平方米，年產(chǎn)半導(dǎo)體薄型載帶100000萬米，等離子清洗設(shè)備40臺，模具備品備件500套。

·?無錫力特半導(dǎo)體三期，總投資3.06億元，用地13.8畝，用于置換原廠區(qū)內(nèi)配套設(shè)施，新增產(chǎn)線仍位于原廠區(qū)內(nèi)。

· 江陰海德半導(dǎo)體器件項目，總投資1億元，將建設(shè)40億只半導(dǎo)體器件。