3月10日，三星（中國）半導體有限公司舉行三星高端存儲芯片二期第一階段項目產(chǎn)品下線上市儀式。

資料顯示，三星高端存儲芯片二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，分兩個階段進行，其中第一階段項目總投資70億美元，預計2020年3月竣工投產(chǎn)；第二階段投資80億美元已于去年年底啟動建設，預計2021年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)西安發(fā)布指出，三星高端存儲芯片二期第一階段項目目前已經(jīng)具備量產(chǎn)能力，預計今年8月實現(xiàn)滿產(chǎn)。此次下線上市的是三星高端存儲芯片二期第一階段項目的首批產(chǎn)品，代表了世界最尖端制造技術(shù)的存儲芯片新產(chǎn)品。

根據(jù)此前的消息指出，三星高端存儲芯片二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元，解決上千人就業(yè)，并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

新華網(wǎng)近日報道，三星半導體存儲芯片一期項目一、二月份實現(xiàn)滿產(chǎn)生產(chǎn)，而二期項目第二階段爭取按原定計劃在8月底完成內(nèi)部裝修工程。