此前處理器龍頭廠商英特爾(Intel)的財(cái)務(wù)長(zhǎng)George Davis在公開場(chǎng)合表示，目前除了10納米產(chǎn)能正在加速之外，英特爾還將恢復(fù)制程技術(shù)領(lǐng)先的關(guān)鍵部分寄望在未來(lái)更先進(jìn)制程的發(fā)展上，包括英特爾將在2021年推出7納米制程技術(shù)，并且將在7納米制程的基礎(chǔ)上發(fā)展出5納米制程。對(duì)于英特爾5納米制程的發(fā)展，現(xiàn)在有外媒表示，在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上英特爾將會(huì)放棄FinFET電晶體，轉(zhuǎn)向GAA電晶體。

根據(jù)外媒《Profesionalreview》的報(bào)導(dǎo)表示，隨著制程技術(shù)的升級(jí)，芯片的電晶體制作也面臨著瓶頸。英特爾最早在22納米的節(jié)點(diǎn)上首先使用了FinFET電晶體技術(shù)，當(dāng)時(shí)叫做3D電晶體，就是將原本平面的電晶體，變成立體的FinFET鰭式場(chǎng)效電晶體，不僅提高了芯片的性能，也降低了功耗。之后，F(xiàn)inFET電晶體也成為全球主要晶圓廠制程發(fā)展的選擇，一直用到現(xiàn)在的7納米及5納米制程節(jié)點(diǎn)上。

作為之前先進(jìn)制程的領(lǐng)導(dǎo)者，英特爾曾提到目前5納米制程正在研發(fā)中。只是，對(duì)于制程的發(fā)展并沒有公布詳情。因此，根據(jù)《Profesionalreview》的報(bào)導(dǎo)，英特爾在5納米節(jié)點(diǎn)上將會(huì)放棄FinFET電晶體，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極電晶體。

報(bào)導(dǎo)強(qiáng)調(diào)，目前在GAA電晶體上也有多種技術(shù)發(fā)展路線。如之前三星提到自家的GAA電晶體相較于第一代的7納米制程來(lái)說(shuō)，能夠提升芯片35%的性能，并且降低50%的功耗以及45%的芯片面積。對(duì)于三星而言，GAA電晶體就已經(jīng)有這樣的效能，而英特爾在技術(shù)實(shí)力上會(huì)比三星要更加強(qiáng)大，未來(lái)英特爾在GAA電晶體的發(fā)展上，期提升效能應(yīng)該會(huì)更加明顯。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，如果能在5納米制程節(jié)點(diǎn)上進(jìn)一步采用GAA電晶體，則日前英特爾財(cái)務(wù)長(zhǎng)所強(qiáng)調(diào)的“英特爾將在5納米制程節(jié)點(diǎn)上重新奪回領(lǐng)導(dǎo)地位”的說(shuō)法就可能比較容易實(shí)現(xiàn)。

至于，另一個(gè)市場(chǎng)上的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，目前在2020年首季準(zhǔn)備量產(chǎn)5納米制程上，依舊采用FinFET電晶體。但是，到了下一世代的3納米節(jié)點(diǎn)，目前臺(tái)積電還尚未公布預(yù)計(jì)的制程方式。根據(jù)臺(tái)積電官方的說(shuō)法，其3納米相關(guān)細(xì)節(jié)將會(huì)在2020年的4月29日的的北美技術(shù)論壇上公布。

另外，英特爾5納米制程的問(wèn)世時(shí)間目前也還沒明確的時(shí)間表。不過(guò)，英特爾之前提到7納米之后制程技術(shù)發(fā)展周期將會(huì)回歸以往的2年升級(jí)的節(jié)奏上，因此就是表示最快2023年就能見到英特爾的5納米制程技術(shù)問(wèn)世。