4月21日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電上傳股東會(huì)年報(bào)，年報(bào)中首度提到2納米制程技術(shù)進(jìn)展，去年領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行2納米制程技術(shù)研發(fā)，針對(duì)2納米以下技術(shù)進(jìn)行探索性研究；至于EUV專案，去年也取得持續(xù)性進(jìn)展，可加快先進(jìn)技術(shù)學(xué)習(xí)速度與制程開發(fā)，將逐步邁向全面生產(chǎn)制造就緒。

臺(tái)積電表示，每2年半導(dǎo)體運(yùn)算能力增加1倍的摩爾定律，技術(shù)挑戰(zhàn)日益困難，研發(fā)組織努力讓臺(tái)積電能夠提供客戶率先上市、且先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)解決方案，幫助客戶取得產(chǎn)品成功。

隨著2019年7納米強(qiáng)效版技術(shù)量產(chǎn)，及5納米技術(shù)成功試產(chǎn)，臺(tái)積電研發(fā)組織持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，以維持業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)地位。臺(tái)積電表示，當(dāng)公司采用三維電晶體第六代技術(shù)平臺(tái)開發(fā)3納米技術(shù)時(shí)，也已開始開發(fā)領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)界的2納米技術(shù)，并針對(duì)2納米以下的技術(shù)進(jìn)行探索性研究。

5納米方面，臺(tái)積電表示，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逼近硅晶物理極限，5納米制程仍遵循摩爾定律，顯著提高芯片密度，在相同的功耗下，提供更好效能，或在相同效能下，提供更低功耗。目前靜態(tài)隨機(jī)存取(SRAM)存儲(chǔ)器及邏輯電路良率均符合預(yù)期，已達(dá)成去年進(jìn)入試產(chǎn)的目標(biāo)。

相較5納米制程技術(shù)，臺(tái)積電3納米制程技術(shù)大幅提升芯片密度及降低功耗，并維持相同芯片效能，今年研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、電晶體及導(dǎo)線效能改善，及可靠性評(píng)估，將持續(xù)進(jìn)行3納米制程技術(shù)全面開發(fā)。

微影技術(shù)方面，臺(tái)積電去年研發(fā)重點(diǎn)在5納米技術(shù)轉(zhuǎn)移、3納米技術(shù)開發(fā)與2納米以下技術(shù)開發(fā)的先期準(zhǔn)備。5納米技術(shù)已順利移轉(zhuǎn)，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產(chǎn)問題。

針對(duì)3納米技術(shù)開發(fā)，極紫外光(EUV)微影技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異光學(xué)能力，與符合預(yù)期的芯片良率，研發(fā)單位正致力于極紫外光技術(shù)，以減少曝光機(jī)光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。臺(tái)積電表示，今年在2納米及更先進(jìn)制程上，將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。

臺(tái)積電表示，去年極紫外光專案在光源功率及穩(wěn)定度上，有持續(xù)性進(jìn)展，光源功率穩(wěn)定與改善，得以加快先進(jìn)技術(shù)學(xué)習(xí)速度與制程開發(fā)。此外，極紫外光光阻制程、光罩保護(hù)膜及相關(guān)光罩基板，也都展現(xiàn)顯著進(jìn)步，極紫外光技術(shù)正逐步邁向全面生產(chǎn)制造就緒。