6月18日，據(jù)最新工商數(shù)據(jù)顯示，華為旗下的哈勃投資新投資了常州富烯科技股份有限公司，持股比例為10%。

據(jù)悉，常州富烯科技股份有限公司于2014年12月成立，經(jīng)營范圍為碳材料、導(dǎo)熱材料及其器件、電磁屏蔽材料及其器件、吸波材料及其器件、隔熱材料及其器件、導(dǎo)電材料及其器件、熱交換器件、電子輔材的研發(fā)、生產(chǎn)、加工及銷售。

而此前，常州富烯自主研發(fā)的石墨烯導(dǎo)熱膜早已成功進(jìn)入華為等國內(nèi)頂尖手機(jī)廠商的供應(yīng)鏈體系。華為自研的全新的“石墨烯液冷散熱”方案為旗下手機(jī)提供了強(qiáng)大的散熱功能,常州富烯科技股份有限公司為該方案的材料提供商。

值得關(guān)注的是，常州富烯是華為哈勃投資的第11家公司，根據(jù)對外公開的消息，此前哈勃投資的10家國內(nèi)企業(yè)分別為：新港海岸、山東天岳、裕太車通、鯤游光電、深思考、好達(dá)電子、杰華特微電子、慶虹電子、思瑞浦、縱慧芯光。

6月17日，湖北省委書記應(yīng)勇和省委副書記、省長王曉東與小米集團(tuán)創(chuàng)始人、董事長兼CEO雷軍，紫光集團(tuán)董事長、長江存儲董事長趙偉國分別座談交流。

當(dāng)好“店小二”，做到“十必須十不準(zhǔn)”，

支持包括小米集團(tuán)、紫光集團(tuán)在內(nèi)的廣大企業(yè)在鄂加快發(fā)展

應(yīng)勇代表省委省政府和湖北人民感謝小米集團(tuán)、紫光集團(tuán)對湖北抗擊疫情和疫后重振的大力支持。

他說，湖北區(qū)位、產(chǎn)業(yè)、科教、要素、市場優(yōu)勢明顯，當(dāng)前，在嚴(yán)格落實(shí)常態(tài)化科學(xué)精準(zhǔn)防控前提下，正加快推進(jìn)生產(chǎn)生活秩序全面恢復(fù)，推動(dòng)疫后重振和高質(zhì)量發(fā)展。

雷軍董事長一直心系湖北、情系家鄉(xiāng)，歡迎小米集團(tuán)繼續(xù)加大在湖北投資布局力度，我們?nèi)χС中∶孜錆h第二總部建設(shè)，大力拓展小米創(chuàng)新生態(tài)鏈。

國家存儲器基地項(xiàng)目是湖北、武漢的重大戰(zhàn)略項(xiàng)目，技術(shù)領(lǐng)先、前景廣闊，希望紫光集團(tuán)立足武漢、深耕湖北，在保持技術(shù)研發(fā)領(lǐng)先優(yōu)勢的同時(shí)，加強(qiáng)市場開拓，擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模，推動(dòng)項(xiàng)目一期盡早達(dá)產(chǎn)和項(xiàng)目二期加快建設(shè)。

我們將持續(xù)優(yōu)化營商環(huán)境，當(dāng)好“有呼必應(yīng)、無事不擾”的“店小二”，做到“十必須十不準(zhǔn)”，支持包括小米集團(tuán)、紫光集團(tuán)在內(nèi)的廣大企業(yè)在鄂加快發(fā)展，實(shí)現(xiàn)合作共贏。

小米集團(tuán)將進(jìn)一步擴(kuò)大在湖北投資，

把武漢第二總部建成超大規(guī)模研發(fā)總部

雷軍向湖北人民、武漢人民深表敬意。他說，小米集團(tuán)堅(jiān)定不移看好湖北、看好武漢，將進(jìn)一步擴(kuò)大在湖北投資，把武漢第二總部建成超大規(guī)模研發(fā)總部，在新基建、公益扶貧、農(nóng)產(chǎn)品線上銷售等方面持續(xù)加大力度，助力湖北疫后重振和高質(zhì)量發(fā)展。

紫光集團(tuán)將搶抓中央支持湖北一攬子政策機(jī)遇，

為湖北“芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)大發(fā)展作出新貢獻(xiàn)

趙偉國表示，紫光集團(tuán)將搶抓中央支持湖北一攬子政策機(jī)遇，集中資源優(yōu)勢，加快項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度，不斷提升管理效益，盡快達(dá)產(chǎn)見效，發(fā)揮紫光集團(tuán)從“芯”到“云”的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，為湖北“芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)大發(fā)展作出新貢獻(xiàn)。

6月16日，上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市委員會(huì)2020年第44次審議會(huì)議召開，會(huì)議結(jié)果顯示，同意上海正帆科技股份有限公司發(fā)行上市（首發(fā)）。

資料顯示，正帆科技成立于2009年，總部位于上海市，是一家致力于為泛半導(dǎo)體（集成電路、平板顯示、光伏、半導(dǎo)體照明等）、光纖通信、醫(yī)藥制造等行業(yè)客戶提供工藝介質(zhì)和工藝環(huán)境綜合解決方案的高新技術(shù)企業(yè)。正帆科技的主營業(yè)務(wù)包括：（1）氣體化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、安裝及配套服務(wù)；（2）高純特種氣體的生產(chǎn)、銷售；（3）潔凈廠房配套系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、施工。

從業(yè)績來看，在過去幾年中，正帆科技業(yè)績保持著高速平穩(wěn)增長，2017-2019年，其營收分別為7.07億元、9.21億元、11.86億元，相對應(yīng)歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為3051.63萬元、6003.35萬元、8302.28萬元。

近年來，正帆科技在工藝介質(zhì)供應(yīng)系統(tǒng)業(yè)務(wù)中逐漸向集成電路、平板顯示等技術(shù)壁壘更高的領(lǐng)域邁進(jìn)，并在與諸多國內(nèi)外競爭對手競爭中脫穎而出，與國內(nèi)外知名企業(yè)達(dá)成合作。

在客戶群體方面，正帆科技的客戶主要包括中芯國際、京東方、三安光電、亨通光電SK海力士、德州儀器、上海新昇、重慶超硅、惠科集團(tuán)等。截至目前，中芯國際和京東方為其重要的兩大客戶。值得一提的是，正帆科技已成功打入大陸領(lǐng)先的中芯國際14納米制程Fab廠的供應(yīng)鏈體系，并為其提供特氣、大宗氣體相關(guān)設(shè)備及系統(tǒng)服務(wù)。

據(jù)招股說明書（上會(huì)稿）顯示，正帆科技此次擬發(fā)行新股不超過6,423.5447萬股，占發(fā)行后總股本的比例不低于25%，擬募資4.42億，其中0.81億用于用于新能源、新光源、半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵配套裝備和工藝開發(fā)配套生產(chǎn)力提升項(xiàng)目，1.82億用于超高純砷化氫、磷化氫擴(kuò)產(chǎn)及辦公樓建設(shè)項(xiàng)目，另外1.8億用于補(bǔ)充流動(dòng)資金。

正帆科技表示，從行業(yè)的整體發(fā)展趨勢看，目前中國正處于制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的階段，以集成電路為代表的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)在國內(nèi)得到快速發(fā)展，公司將充分利用行業(yè)發(fā)展契機(jī)，立足于原有優(yōu)勢業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上，優(yōu)化自身技術(shù)實(shí)力，聚焦于提升氣體及化學(xué)品全流程服務(wù)的能力，擴(kuò)大產(chǎn)品線和經(jīng)營規(guī)模，增強(qiáng)行業(yè)競爭力。

目前，推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的方式主要有兩種，一個(gè)是尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大。由于硅片直徑增大涉及整條生產(chǎn)線設(shè)備的更換，因此目前主要發(fā)展路線是尺寸的縮小。除此之外，利用成熟特色工藝及第三代半導(dǎo)體材料改進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能也被企業(yè)大量采用，這將開辟摩爾定律的另一片新的天地。

臺積電、三星角力先進(jìn)工藝

據(jù)悉，臺積電3納米工廠已經(jīng)通過環(huán)境評測，依據(jù)原定時(shí)程，全球第一座3納米工廠，可望在2020年動(dòng)工，最快2022年年底量產(chǎn)。

此外，由于三星在臺積電之前搶先公布它的3納米將采用環(huán)柵FinFET的納米片結(jié)構(gòu)，兩家3納米制程戰(zhàn)爭一觸即發(fā)。另有消息報(bào)道，臺積電仍沿用升級版的FinFET架構(gòu)，可能采用遷移率更高的材料，而非環(huán)柵納米片結(jié)構(gòu)。

兩家在不同的工藝與架構(gòu)問題方面各自大作文章，其中的關(guān)鍵是要找出性能瓶頸之所在，然后以最具成本效益的方式使用最佳工具來分別解決這些瓶頸。無論是I/O、內(nèi)存接口還是過熱的邏輯塊，系統(tǒng)的運(yùn)行速度都只能與該系統(tǒng)中最慢的組件一致。

其實(shí)，先進(jìn)封裝也是解決方案之一。在某些情況下，前道工藝的每一節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步都可能需要一個(gè)完全不同的體系結(jié)構(gòu)與之配合。它可能是更多的軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)，與整個(gè)設(shè)計(jì)優(yōu)化為一個(gè)系統(tǒng)。如果有一種一致的方法來描述這些設(shè)備并將它們連接在一起，那么釆用chiplet等方法可以更節(jié)省時(shí)間。

目前至少有六種主流的芯片/小芯片組合方式，還有更多的正在進(jìn)行中，不難想象每個(gè)芯片供應(yīng)商會(huì)根據(jù)價(jià)格、功耗、性能甚至地區(qū)標(biāo)準(zhǔn)快速地提供定制解決方案。因此，雖然應(yīng)用于高性能計(jì)算(HPC)及5G開發(fā)的芯片可能需要最新的2nm制程，但是與它配套的可能是16nm的SerDes、28nm電源模塊和40nm安全芯片等，同時(shí)它們將集成在一體。

成本是關(guān)鍵因素

在半導(dǎo)體行業(yè)中，成本因素是非常關(guān)鍵的。有數(shù)據(jù)顯示，7nm工藝的研發(fā)費(fèi)用需要至少3億美元，5nm工藝平均要5.42億美元，3nm、2nm的工藝起步價(jià)大約在10億美元左右。

據(jù)最新的消息，臺積電原定于2020年6月試產(chǎn)的3nm工藝芯片，由于疫情原因可能將推遲到10月。臺積電3nm工藝的總投資高達(dá)1.5萬億元新臺幣，約合500億美元。目前在建廠方面至少已經(jīng)花費(fèi)200億美元，可見投入之龐大。

近日臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，它的晶體管密度達(dá)到了前所未有的2.5億個(gè)/mm2。與5納米相比，功耗下降了25%～30%，并且功能提升了10%～15%。

臺積電重申，從7nm到5nm，再到未來的3nm，每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都是全節(jié)點(diǎn)的提升。這不同于競爭對手的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都僅是部分性能的優(yōu)化，并非全節(jié)點(diǎn)的性能提升。因此對于未來3nm制程方面的競爭，臺積電是信心滿滿。

臺積電還談到2nm工藝技術(shù)進(jìn)展，公司采用FinFet第六代技術(shù)平臺開發(fā)3nm技術(shù)的同時(shí)，也已開始進(jìn)行2nm制程技術(shù)研發(fā)，并針對2nm以下技術(shù)進(jìn)行探索性研究。

對于極紫外光(EUV)技術(shù)，要減少光刻機(jī)的掩膜缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。臺積電表示，今年在2nm及更先進(jìn)制程上，將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。

半導(dǎo)體尺寸縮小遠(yuǎn)非有EUV光刻機(jī)就能實(shí)現(xiàn)的。嚴(yán)格地說，到3nm時(shí)，可能釆用現(xiàn)有的FinFET架構(gòu)也無法達(dá)到，需要從器件的架構(gòu)、工藝變異、熱效應(yīng)、設(shè)備與材料等方面綜合解決。

由于HPC及5G等市場的需求，半導(dǎo)體業(yè)向3nm過渡已成定局，臺積電及三星兩家已經(jīng)承諾，至多時(shí)間上有可能推遲。2nm的現(xiàn)實(shí)可能性也極大。由于費(fèi)用過高及許多技術(shù)上的難點(diǎn)無法解決，外加必須有高端設(shè)備及材料的支持，所以1nm能否實(shí)現(xiàn)目前尚無法預(yù)言。但是半導(dǎo)體尺寸縮小的終點(diǎn)遲早會(huì)來臨。

6月15日，三安光電股份有限公司（以下簡稱“三安光電”）與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署了《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》，三安光電擬在長沙成立子公司投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。

公告披露，三安光電擬在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額達(dá)160億元，三安光電在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)；72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

據(jù)了解，三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用，致力于化合物半導(dǎo)體集成電路業(yè)務(wù)的發(fā)展，努力打造具有國際競爭力的半導(dǎo)體廠商。

三安光電表示，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目有著廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。

加碼第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域

資料顯示，三安光電成立于2000年11月，主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。

2014年，三安光電開始涉足集成電路產(chǎn)業(yè)，投資化合物半導(dǎo)體市場，建設(shè)砷化鎵高速半導(dǎo)體與氮化鎵高功率半導(dǎo)體項(xiàng)目。根據(jù)天眼查顯示，三安光電全資控股公司三安集成，成立于2014年5月26日，經(jīng)營范圍包括集成電路設(shè)計(jì)；工程和技術(shù)研究和試驗(yàn)發(fā)展；其他機(jī)械設(shè)備及電子產(chǎn)品批發(fā)等。

據(jù)悉，三安集成是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體代工龍頭，業(yè)務(wù)涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領(lǐng)域，已取得國內(nèi)重要客戶的合格供應(yīng)商認(rèn)證，各個(gè)板塊已全面開展合作。

官方資料顯示，2018年三安光電在福建泉州南安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SIC材料及器件、特種封裝等產(chǎn)業(yè)。

三安光電表示，2022年項(xiàng)目建成后，三安光電將實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體化合物高端領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。