近期，光刻機的相關(guān)消息鋪天蓋地，在國際貿(mào)易摩擦反復(fù)無常的環(huán)境背景下，業(yè)界對于仍處處受制于他國的光刻機設(shè)備格外關(guān)注。

據(jù)了解，光刻機是通過光學(xué)系統(tǒng)將光掩模版上設(shè)計好的集成電路圖形印制到硅襯底的感光材料上，實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，根據(jù)應(yīng)用工序不同，光刻機可以用于集成電路的制造環(huán)節(jié)和封裝環(huán)節(jié)，其中用于封裝環(huán)節(jié)的光刻機在技術(shù)門檻上低于用于制造環(huán)節(jié)的光刻機。

在制造環(huán)節(jié)中，光刻工藝流程決定了芯片的工藝精度及性能水平，對光刻機的技術(shù)要求十分苛刻，因此光刻機也是集成電路制造中技術(shù)門檻最高、價格最昂貴的核心設(shè)備，被譽為集成電路產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。

01

美日荷光刻機競逐賽

在過去數(shù)十年間，光刻機不斷發(fā)展演進同時推動了集成電路制造工藝不斷發(fā)展演進，集成電路的飛速發(fā)展，光刻技術(shù)起到了極為關(guān)鍵的作用，兩者相輔相成，因而自1947年貝爾實驗室發(fā)明點觸式晶體管，光刻機技術(shù)亦已具備發(fā)展土壤。

光刻機最初從美國發(fā)展起來。1959年，仙童半導(dǎo)體研制出全球首臺“步進重復(fù)”相機，使用光刻技術(shù)在單個晶圓片上制造了許多相同的硅晶體管。20世紀(jì)60年代末，日本企業(yè)尼康和佳能開始進入光刻機領(lǐng)域并逐步崛起，但70年代主要是美國公司的競逐賽。

70年代初，美國Kasper公司推出接觸式光刻設(shè)備；1973年，Perkin Elmer公司推出了投影式光刻系統(tǒng)并迅速占領(lǐng)市場，在一段時間里處于主導(dǎo)地位；1978年，GCA公司推出了真正現(xiàn)代意義的自動化步進式光刻機（Stepper），但產(chǎn)量效率相對較低。

80年代日本企業(yè)開始發(fā)力，尼康推出首臺商用Stepper NSR-1010G，隨后尼康一度占據(jù)光刻機過半市場份額，佳能亦在市場上占有一席之地。值得一提的是，1984年4月，飛利浦與荷蘭公司ASMI正式合資成立ASML，ASML脫胎于飛利浦光刻設(shè)備研發(fā)小組，該小組于1973年已推出其新型光刻設(shè)備。

80年代末到90年代，美國初代光刻機公司走向衰落，GCA被收購后關(guān)閉、Perkin Elmer光刻部也被出售，日企尼康處于市場主導(dǎo)地位。同時，ASML亦在逐步發(fā)展，1991年推出了PAS 5000光刻機；1995年，ASML在阿姆斯特丹和納斯達(dá)克交易所上市。

進入21世紀(jì)，ASML強勢崛起。2000年，ASML推出其首臺Twinscan系統(tǒng)光刻機；隨后，ASML相繼發(fā)布首臺量產(chǎn)浸入式設(shè)備TWINSCAN XT:1700i、首臺193nm浸入式設(shè)備TWINSCAN XT:1900i，一舉力壓尼康、佳能成為全球光刻機市場新霸主。

如今，ASML已成為全球光刻機領(lǐng)域的絕對龍頭企業(yè)，壟斷高端EUV（極紫外）光刻機市場，是全球唯一一家可提供EUV光刻機的企業(yè)。

02

國產(chǎn)光刻機攻關(guān)歷程

在歐美日光刻機市場風(fēng)云變幻的數(shù)十年間，我國也在通過各種努力研制國產(chǎn)光刻機設(shè)備。據(jù)了解，20世紀(jì)70年代我國就開始有清華大學(xué)精密儀器系、中科院光電技術(shù)研究所、中電科四十五所等機構(gòu)投入光刻機設(shè)備研制。

除了上述提及的高校/科研單位，國內(nèi)從事光刻機及相關(guān)研究生產(chǎn)的企業(yè)/單位還有上海微電子裝備、中科院長春光機所、合肥芯碩半導(dǎo)體、江蘇影速集成電路裝備，以及光刻機雙工件臺系統(tǒng)企業(yè)北京華卓精科等。

2001年，國務(wù)院正式批準(zhǔn)在“十五”期間繼續(xù)實施國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（863計劃），國家科技部和上海市于2002年共同推動成立上海微電子裝備公司，承擔(dān)國家“863計劃”項目研發(fā)100nm高端光刻機。據(jù)悉，中電科四十五所當(dāng)時將其從事分步投影光刻機團隊整體遷至上海參與其中。

2006年，國務(wù)院發(fā)布《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》確定發(fā)展16個重大專項，其中包括“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項（02專項）。2008年，國務(wù)院批準(zhǔn)實施02專項，200多家企事業(yè)單位和2萬多名科研人員參與攻關(guān)，其中EUV光刻技術(shù)列被為“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”重要攻關(guān)任務(wù)。

當(dāng)時，中科院長春光機所作為牽頭單位，聯(lián)合中科院光電技術(shù)研究所、中科院上海光學(xué)精密機械研究所、中科院微電子研究所、北京理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)，承擔(dān)“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目研究工作。

隨后，清華大學(xué)牽頭，聯(lián)合華中科技大學(xué)、上海微電子裝備和成都工具所承擔(dān)02專項“光刻機雙工件臺系統(tǒng)樣機研發(fā)”，以研制光刻機雙工件臺系統(tǒng)樣機為目標(biāo)，力爭為研發(fā)65-28nm雙工件臺干式及浸沒式光刻機提供具有自主知識產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品級技術(shù)。

可見，在國產(chǎn)光刻機研發(fā)歷程上，國家在政策上予以支持，并動員了高校、科研機構(gòu)、企業(yè)等科技力量共同進行技術(shù)攻關(guān)。

03

階段性突破與差距

歷經(jīng)多年努力過，那么國產(chǎn)光刻機研發(fā)方面有何成果？與國際先進水平還有多大差距？

2016年4月，清華大學(xué)牽頭的02專項“光刻機雙工件臺系統(tǒng)樣機研發(fā)”項目成功通過驗收，標(biāo)志中國在雙工件臺系統(tǒng)上取得技術(shù)突破。

2017年6月，中科院長春光機所牽頭的02專項“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目通過驗收，該項目成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS的兩鏡EUV光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV光刻曝光裝置，國內(nèi)首次獲得EUV投影光刻32 nm線寬的光刻膠曝光圖形。

2018年11月，中科院光電技術(shù)研究所承擔(dān)的“超分辨光刻裝備研制”項目通過驗收，該裝備在365nm光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達(dá)到22nm，項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線……

然而，盡管多個光刻機項目取得成果并通過驗收，這些技術(shù)在助力國產(chǎn)光刻機發(fā)展突破上也起到重要作用，但真正實現(xiàn)量產(chǎn)并應(yīng)用于生產(chǎn)線上卻又是另一回事，如上述超分辨光刻裝備要想應(yīng)用于芯片生產(chǎn)還需要攻克一系列技術(shù)難關(guān)，距離國際先進水平還相當(dāng)遙遠(yuǎn)。目前，上海微電子裝備的90nm光刻機仍代表著國產(chǎn)光刻機最高水平。

據(jù)了解，隨著光源的改進和工藝的創(chuàng)新，光刻機已經(jīng)歷了五代產(chǎn)品的更新替代。第一代為光源g-Line，波長436nm，最小工藝節(jié)點0.8-0.25微米；第二代為光源i-Line、波長365nm，最小工藝節(jié)點0.8-0.25微米；第三代為光源KrF、波長248nm，最小工藝節(jié)點180-130nm；第四代為光源ArF、波長193nm，最小工藝節(jié)點45-22nm；第五代為光源EUV、波長13.5nm，最小工藝節(jié)點22-7nm。

第五代EUV光刻機是目前全球光刻機最先進水平，ASML是唯一一家可量產(chǎn)EUV光刻機的廠商。財報資料顯示，2019年ASML出售了26臺EUV光刻機，主要用于臺積電、三星的7nm及今年開始量產(chǎn)的5nm工藝。近期媒體報道稱，目前ASML正在研發(fā)新一代EUV光刻機，主要面向3nm制程，最快將于2021年問世。

日本企業(yè)尼康方面，官網(wǎng)顯示其最新的光刻機產(chǎn)品為ArF液浸式掃描光刻機NSR-S635E，搭載高性能對準(zhǔn)站inline Alignment Station（iAS），曝光光源ArF excimer laser、波長193nm，分辨率≦38nm，官方介紹稱這款光刻機“專為5nm工藝制程量產(chǎn)而開發(fā)”。

而上海微電子裝備方面，官網(wǎng)顯示其目前量產(chǎn)的光刻機包括200系列光刻機（TFT曝光）、300系列光刻機（LED、MEMS、Power Devices制造）、500系列光刻機（IC后道先進封裝）、600系列光刻機（IC前道制造）。其中，用于IC前道制造用的600系列光刻機共有3款，性能最好的是SSA600/20，曝光光源ArF excimer laser、分辨率90nm。

相較于ASML的EUV光刻機，上海微電子裝備的90nm光刻機無疑落后了多個世代，與尼康相比亦有所落后；再者，目前國內(nèi)晶圓代工廠龍頭企業(yè)中芯國際已可量產(chǎn)14nm制程工藝，根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品的規(guī)律，90nm光刻機已遠(yuǎn)不能滿足國內(nèi)晶圓制造的需求。

不過值得一提的是，近期有媒體報道稱，上海微電子裝備披露將于年底量產(chǎn)28nm的immersion式光刻機，在2021年至2022年交付國產(chǎn)第一臺SSA/800-10W光刻機設(shè)備。雖然業(yè)界對此消息頗有爭議，但若該消息屬實，那對于國產(chǎn)光刻機而言不得不說是一重大突破。

04

迎來發(fā)展好時代？

由于技術(shù)嚴(yán)重落后于國際先進水平，國內(nèi)光刻機市場長期被ASML、尼康、佳能等企業(yè)所占據(jù)，但隨著國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展，國產(chǎn)光刻機迎來發(fā)展機遇。

近年來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線不斷擴產(chǎn)或新增，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，為國產(chǎn)設(shè)備提供了巨大的市場空間。根據(jù)中國國際招標(biāo)網(wǎng)信息，長江存儲、華虹無錫等近年新建晶圓廠招標(biāo)設(shè)備國產(chǎn)化率已顯著提升，包括北方華創(chuàng)、中微公司、屹唐半導(dǎo)體等企業(yè)均有中標(biāo)。

再者，過去兩年國際貿(mào)易摩擦態(tài)勢反復(fù)，美國對國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)限制愈加嚴(yán)格。

在此環(huán)境背景下，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代迫在眉睫，國家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展，相繼出臺了多項政策，推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速國產(chǎn)化進程，國產(chǎn)光刻機的發(fā)展情況更是受到了業(yè)界重點關(guān)注。國家的重視與支持以及產(chǎn)業(yè)與市場的迫切需求，將有望促使國產(chǎn)光刻機加快發(fā)展步伐。

還有一個較好的發(fā)展勢頭是在資金方面。半導(dǎo)體設(shè)備投資周期長、研發(fā)投入大，是典型的資本密集型行業(yè)，尤其是光刻機領(lǐng)域。此前，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的主要資金來源于股東投入與政府支持，融資渠道單一，近年來國家大基金、地方性投資基金及民間資本以市場化的投資方式進入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，豐富了半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的資金來源，不少企業(yè)也正在尋求上市。

目前，北方華創(chuàng)、晶盛機電、長川科技等企業(yè)早已登陸資本市場，中微公司、華峰測控、芯源微等半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)亦集中在去年以及今年于科創(chuàng)板上市。光刻機企業(yè)方面，上海微電子裝備于2017年12月已進行輔導(dǎo)備案，光刻機雙工件臺企業(yè)華卓精科亦擬闖關(guān)科創(chuàng)板，近日江蘇影速亦宣布已進入上市輔導(dǎo)階段。

此外，隨著市場資本進入半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，近兩年來亦新增了一些光刻機相關(guān)項目。如今年6月5日，上海博康光刻設(shè)備及光刻材料項目簽約落戶西安高陵，據(jù)西安晚報報道，該項目總占地200畝，總投資13億元；今年4月，埃眸科技納米光刻機項目落戶常熟高新區(qū)，計劃總投資10億元，主要方向為納米壓印光刻機的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及運營。

有人說，對于半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)而言，這是最好的時代、也是最壞的時代。面對與國際先進水平的差距以及技術(shù)封鎖，國產(chǎn)光刻機仍有很長的路要走。除去外部因素，自身人才匱乏、技術(shù)欠缺亦是發(fā)展難題，光刻機研制出來后產(chǎn)線驗證難更是制約國產(chǎn)光刻機進入生產(chǎn)線的主要瓶頸之一，種種問題亟待解決。

不過，國內(nèi)越來越多的新增晶圓生產(chǎn)線走向穩(wěn)定，將有望給予國產(chǎn)光刻機等更多“試錯”機會。對于國產(chǎn)光刻機，我們需要承認(rèn)差距，亦要寄予希望，上海微電子裝備等已燃起了星星之火，我們期待其早日燎原。

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6月15日，廣西省南寧市與瑞聲科技簽署微機電半導(dǎo)體封裝及聲學(xué)項目合作協(xié)議。

Source：南寧日報

根據(jù)協(xié)議，瑞聲科技將在南寧投資40億元建設(shè)微機電半導(dǎo)體封裝及聲學(xué)項目。項目主要生產(chǎn)新一代微型揚聲器、受話器等聲學(xué)產(chǎn)品。同時，聲學(xué)領(lǐng)域最高端的微機電半導(dǎo)體封裝項目也將布局南寧。項目全部投資到位后，年度銷售收入不低于65億元。

據(jù)悉，此次并非南寧市與瑞聲科技首度合作，再次之前，瑞聲科技南寧產(chǎn)業(yè)園一、二期及光學(xué)模組等項目已經(jīng)建成投產(chǎn)，東盟研發(fā)中心、精密元器件生產(chǎn)基地等項目也相繼落地。

據(jù)南寧日報此前報道，2018年5月，瑞聲科技南寧產(chǎn)業(yè)園項目落地南寧經(jīng)開區(qū)，2019年實現(xiàn)銷售收入50億元，遠(yuǎn)超協(xié)議設(shè)定目標(biāo)；瑞聲科技東盟研發(fā)中心暨精密制造產(chǎn)業(yè)園項目總投資超過20億元，未來規(guī)劃年銷售收入超過200億元，其中東盟研發(fā)中心項目為輻射全國、面向東盟的區(qū)域核心研發(fā)總部；精密制造產(chǎn)業(yè)園項目主要生產(chǎn)精密結(jié)構(gòu)件、汽車精密加工件、5G射頻模組等高端元器件。

南寧市委書記王曉東表示，此次瑞聲科技微機電半導(dǎo)體封裝及聲學(xué)項目落戶，對推動南寧電子信息產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和產(chǎn)品升級必將起到重要作用，將為首府強工業(yè)、強創(chuàng)新及高質(zhì)量發(fā)展作出積極貢獻(xiàn)。

6月15日，晶方科技發(fā)布公告稱，公司于6月12日收到國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（以下簡稱“大基金”）發(fā)來的《關(guān)于股份減持結(jié)果的告知函》。

根據(jù)公告，大基金于2020年5月6日披露減持計劃公告，擬在2020年5月27日至2020年8月26日期間，通過集中競價交易減持晶方科技股份不超過229.68萬股，即不超過公司當(dāng)時總股本的1%。

減持結(jié)果顯示，在2020年6月1日至2020年6月12日期間，大基金通過集中競價交易方式累計減持公司股份321.55萬股（除權(quán)除息），占公司目前總股本的 1%。截至本公告披露日，大基金本次減持計劃已履行完成。

在本次集中競價減持前，大基金持有晶方科技9.44%股權(quán)；本次減持完成后，大基金當(dāng)前持有晶方科技8.44%股權(quán)。

自去年年底以來，大基金多次披露減持計劃。2019年12月，兆易創(chuàng)新、國科微、匯頂科技分別發(fā)布公告稱，大基金計劃采取集中競價交易方式減持公司股份，減持比例皆不超過上述公司總股本的1%。

今年6月12日，三安光電公告顯示，大基金計劃公告日起15個交易日后的6個月內(nèi)，采取集中競價交易方式減持股份數(shù)量不超過公司股份總數(shù)2%。截止公告披露日，大基金持有三安光電11.30%股份。

同為6月12日，兆易創(chuàng)新發(fā)布公告，大基金一期計劃公告日起15個交易日后的3個月內(nèi)，采取集中競價交易方式減持股份數(shù)量不超過公司股份總數(shù)1%。這是大基金第二次減持兆易創(chuàng)新，當(dāng)前大基金持有兆易創(chuàng)新8.33%股份。

據(jù)了解，大基金成立之初規(guī)劃的投資期為2014年-2019年、回收期為2019年-2014年，現(xiàn)在減持部分公司股權(quán)屬于正?，F(xiàn)象，而從幾家公司現(xiàn)今的股價來看，大基金投資回報頗豐。

6月15日，太極實業(yè)發(fā)布公告稱，公司控股子公司信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院科技工程股份有限公司（“十一科技”）與江蘇仁奇科技有限公司（“江蘇仁奇”，項目業(yè)主）就江蘇仁奇發(fā)包的江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項目簽訂了《EPC總承包工程同》。

公告指出，江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項目擬利用2年時間，在江蘇宿遷泗陽經(jīng)濟開發(fā)區(qū)建成一個涵蓋芯片制造、封測、研發(fā)的產(chǎn)業(yè)化基地，形成年產(chǎn)6英寸0.25um芯片線60萬片，年封測10億顆的生產(chǎn)能力。

根據(jù)泗陽人民政府此前發(fā)布的公告稱，同意江蘇仁奇科技有限公司在擬定地點（江蘇泗陽經(jīng)濟開發(fā)區(qū)太湖路東側(cè)、浙江路北側(cè)）年產(chǎn)18萬片GaAs、年封測13億片集成電路項目。由此看來，江蘇任奇此次的投資布局應(yīng)是瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體砷化鎵領(lǐng)域。

資料顯示，江蘇仁奇科技有限公司成立于2019年8月30日，注冊資本5億元，經(jīng)營范圍包括集成電路、光電子器件、電子元件研發(fā)、生產(chǎn)、研發(fā)、銷售及技術(shù)服務(wù)等業(yè)務(wù)。

美國持續(xù)不斷的依國家力量要扼殺華為，試圖阻礙它的5G進步。此次新的精準(zhǔn)打擊雖說要到9月才開始實施，但是它的威力強大已可預(yù)計。

目前網(wǎng)上討論的應(yīng)對策略，如建立非美系設(shè)備生產(chǎn)線，或者說服它們能在中國建生產(chǎn)線等。這些計劃都要依賴于別人愿意幫助干的前提下，看來實現(xiàn)的可能性都不是很大。

美國現(xiàn)在將華為列入實體清單之中，有兩條控制措施，一個是EDA工具使用，另一個是不讓華為采購美系產(chǎn)品，以及華為自已設(shè)計的芯片沒有可加工的場所，它的邏輯但凡使用美系半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)線，要加工華為的芯片都需要得到批準(zhǔn)。否則將受到制裁。這樣的結(jié)果連中芯國際，華虹等生產(chǎn)線也無能為力，可見美方的策略設(shè)計得多么精準(zhǔn)與狠毒。

業(yè)界的思考為什么華為去求韓國，或者中國臺灣地區(qū)的廠商幫助，而不能依靠國內(nèi)的力量。顯然現(xiàn)階段有難言之隱，國內(nèi)真的尚缺乏實力與條件。

未來產(chǎn)業(yè)的生存策略探討

對于中國半導(dǎo)體業(yè)首先加強危機感，要理清未來可能的危機來自那里？作好最壞結(jié)果來臨時的預(yù)案，如美方可能擴大實體清單的廠商，以及進一步控制EDA工具及半導(dǎo)體設(shè)備及材料的出口等。近期美方加重處罰聯(lián)電三個人員有關(guān)侵犯美光知識產(chǎn)權(quán)的案例可能是個不祥訊號，值得引起重視。

因此半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展必須兩手同時抓，一方面要繼續(xù)倡導(dǎo)全球化，與所有愿意與中國半導(dǎo)體業(yè)互恵互利的廠商與個人加強合作，這是必須始終堅持的事。另一方面要在大家都認(rèn)為十分困難，或者不易取得成功的領(lǐng)域中，去攻堅克難，集中優(yōu)勢兵力去爭取突破。

如果持續(xù)走尺寸縮小的道路，由于EUV設(shè)備出口受阻等原因，中芯國際等經(jīng)過努力有可能做到非全功能的7納米級水平。實際上與臺積電等仍可能有三代的差距。因此未來發(fā)力先進封裝技術(shù)可能是個合理的選擇。

推動先進封裝進步的動力

隨著摩爾定律減緩，而最先進的工藝不再適用于許多模擬或射頻IC設(shè)計，SiP會成為首選的集成方法之一，尤其是異質(zhì)集成將是“超越摩爾定律”的一個關(guān)鍵步驟，而SiP將在不單純依賴半導(dǎo)體工藝縮小的情況下，可以實現(xiàn)更高的集成度。

SiP代表了半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展方向：芯片發(fā)展從一味追求功耗下降及性能提升，轉(zhuǎn)向產(chǎn)品更加務(wù)實的滿足市場的需求，而SiP是實現(xiàn)的重要路徑之一。SiP從終端電子產(chǎn)品角度出發(fā)，不再一味關(guān)注芯片本身的性能、功耗，而去實現(xiàn)整個終端電子產(chǎn)品的輕薄短小、多功能、低功耗等特性；在行動裝置與穿戴裝置等輕巧型產(chǎn)品興起后，SiP的重要性日益顯現(xiàn)。

因此未來終端電子產(chǎn)品的發(fā)展方向在以下三個方面：即小型化；提高電子終端產(chǎn)品的功能；以及縮短產(chǎn)品推向市場的周期。

半導(dǎo)體封裝業(yè)發(fā)展趨勢

· 越來越多系統(tǒng)終端廠商進入芯片領(lǐng)域

未來全球半導(dǎo)體業(yè)關(guān)注的不再是單個器件的性能與功耗，而是更加關(guān)注在終端產(chǎn)品的PPT，即性能、功耗及上市時間。所以未來系統(tǒng)終端公司如蘋果、華為、Facebook，阿里等紛紛進入芯片設(shè)計業(yè)，而且它們的話語權(quán)越來越顯重要。

通常系統(tǒng)終端產(chǎn)品公司對于先進封裝技術(shù)有更大的吸引力，它推動封測產(chǎn)業(yè)向高端迅速進步。

·?越來越多的芯片制造企業(yè)跨界進入封裝業(yè)

除了臺積電等跨界進入封裝業(yè)之外，它近期宣告花100億美元新建一條全球最先進的封裝生產(chǎn)線。另外如美光也開始自建封測廠，以及中芯國際與長電合作建封測廠等。

·?之前認(rèn)為封裝業(yè)是勞動密集型技術(shù)含量低，然而進入先進封裝技術(shù)領(lǐng)域中，它們的門檻也很高

目前僅臺積電，AMD，英特爾，三星等少數(shù)幾個大家有此實力。

構(gòu)建先進封裝技術(shù)的生態(tài)鏈

先進封裝技術(shù)的門檻高，目前中國半導(dǎo)體業(yè)尚缺乏實力，如在扇出晶圓級封裝（Fan-Out Wafer Level Packaging；FOWLP)的技術(shù)中，為了要讓芯片中眾多的I/O(High Density Fan Out；HDFO)能順利地拉到扇出區(qū)，需要一個重新分配層（Re-Distribution Layer；RDL），這一層雖然不難，但是它的主導(dǎo)權(quán)在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)，而封測業(yè)中缺乏相應(yīng)的人材，所以很難實現(xiàn)。

如臺積電2019年預(yù)計來自先進封測的營業(yè)額已近30億美金，放在OSAT總營業(yè)額中也占近10%。如果它的新建最先進的封裝廠能在2021年實現(xiàn)量產(chǎn)，這個比例可能還會再提高。

據(jù)傳近期華為曾派出100多位專家赴江蘇長電，加強芯片的封裝研發(fā)，是個十分重要的動向，表明華為已經(jīng)認(rèn)識到SiP等的重要地位，必須從構(gòu)建先進封裝技術(shù)的生態(tài)鏈開始。

盡管在SiP等方面，中國尚無法與臺積電，蘋果，AMD，Intel，Samsung等相比擬，也尚無完整的SiP生態(tài)鏈。但是要看到目前全球的態(tài)勢，僅只有為數(shù)不多的幾家大佬領(lǐng)先5年左右時間。因此中國半導(dǎo)體業(yè)只要認(rèn)準(zhǔn)方向，集中優(yōu)勢兵力去攻堅克難，或許在先進封裝領(lǐng)域中真能異軍突起。

蘋果5G版iPhone有機會在今年底前問世，法人預(yù)估，半導(dǎo)體封測大廠日月光投控預(yù)計8月量產(chǎn)天線封裝（AiP）產(chǎn)品，可切入支援毫米波頻段的5G版iPhone供應(yīng)鏈。

蘋果今年下半年iPhone新品進展備受矚目，市場預(yù)期蘋果可能會推出5G版iPhone新品。不過，法人指出，由于新冠肺炎疫情持續(xù)，5G版iPhone的測試驗證時程均往后延，其中支援毫米波（mmWave）頻段的5G版iPhone，可能12月才出貨問世。

法人報告預(yù)期，日月光投控持續(xù)布局sub-6GHz和毫米波頻段所需的天線模組封裝，預(yù)估8月開始量產(chǎn)AiP產(chǎn)品，透過供應(yīng)天線封裝AiP，日月光投控可望切入5G版iPhone新機供應(yīng)鏈；預(yù)估每一支毫米波5G版iPhone，將搭配3個AiP設(shè)計。

法人預(yù)估，日月光投控今年天線封裝AiP的出貨量可達(dá)4500萬個到5000萬個，將挹注日月光下半年營收動能。

報告指出，日月光投控布局覆晶（Flip Chip）天線封裝和扇出型（Fan-out）天線封裝產(chǎn)品，分別與美系手機大廠和美系芯片設(shè)計大廠合作，其中FO-AiP技術(shù)使用3層重分布層（RDL），提升散熱及訊號性能表現(xiàn)，進一步壓縮模組大小。

觀察日月光投控旗下環(huán)旭電子，中國法人指出，環(huán)旭電子相關(guān)系統(tǒng)級封裝（SiP）產(chǎn)品，已經(jīng)切入蘋果iPhone的Wi-Fi模組、指紋識別模組以及超寬頻（UWB）模組，還有切入Apple Watch供應(yīng)鏈，預(yù)估有機會打進高端AirPods Pro供應(yīng)鏈。

法人預(yù)估，日月光投控第2季業(yè)績可望季增6%到9%區(qū)間，其中IC封裝測試及材料業(yè)績可望季增5%到6%，較去年同期成長約15%；電子代工服務(wù)（EMS）業(yè)績可望季成長10%以上，較去年同期成長15%左右，估第2季毛利率可到17.5%到17.7%，單季獲利可逼近新臺幣50億元，較去年同期成長8成以上。

近日，鄭州航空港實驗區(qū)管委會、中國航天科技集團第九研究院第七七一研究所、達(dá)維多企業(yè)管理有限公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議，三方擬合作建設(shè)半導(dǎo)體生產(chǎn)制造及封裝基地項目。鄭州航空港區(qū)發(fā)布微信號指出，該項目將在航空港實驗區(qū)建設(shè)第三代化合物半導(dǎo)體SiC生產(chǎn)線、高可靠集成電路封裝生產(chǎn)線、工業(yè)模塊電源生產(chǎn)線，打造集IC設(shè)計、芯片制造、先進封裝為一體的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。

這是航空港實驗區(qū)在集成電路領(lǐng)域繼單晶硅片、先進靶材、晶圓先進切割設(shè)備等項目的基礎(chǔ)上的又一重大突破，標(biāo)志著實驗區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局，產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐步形成。

中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所，始建于1965年10月，主要從事計算機、半導(dǎo)體集成電路、混合集成三大專業(yè)的研制開發(fā)、批產(chǎn)配套、檢測經(jīng)營，是國家唯一集計算機、半導(dǎo)體集成電路和混合集成科研生產(chǎn)為一體的大型專業(yè)研究所，全球IT百強“中興通訊”的創(chuàng)辦單位，是我國航天微電子和計算機的先驅(qū)和主力軍。