銅陵市政府與紫光集團簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,共建“云上銅都”

銅陵市政府與紫光集團簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,共建“云上銅都”

7月2日,銅陵市人民政府與紫光集團戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式在杭州舉行,雙方將圍繞“數(shù)字銅陵”戰(zhàn)略,共建“立足銅陵、覆蓋皖蘇、輻射沿江、面向全國”的城市云,打造國內(nèi)領先的“云上銅都”。

協(xié)議簽署后,紫光集團將與銅陵市在建設城市云、拓展云服務、培育云生態(tài)等領域開展具體合作,進一步完善政務云服務體系,建立“兩地三中心”的可靠云架構,融合城市云產(chǎn)業(yè)資源,構建立足銅陵,輻射全國的超級城市云體系。在此基礎上,雙方將合作推動銅陵市的云服務能力和建設能力的對外賦能,搭建產(chǎn)業(yè)數(shù)字引擎平臺,共建銅陵市產(chǎn)業(yè)云圖,開展數(shù)字創(chuàng)新實驗,培育和發(fā)展云產(chǎn)業(yè)群。

銅陵市人民政府與紫光集團簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

銅陵市委副書記、市長胡啟生表示,銅陵市積極培育發(fā)展基于新一代信息技術的新業(yè)態(tài)、新動能,打造具有地方特色的數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展高地。在此過程中,銅陵市高度重視與高新技術企業(yè)的戰(zhàn)略合作,通過引入紫光集團在云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等方面的領先技術方案,共同探討和規(guī)劃未來銅陵數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展的建設藍圖,銅陵市將加速新型智慧城市轉型,實現(xiàn)數(shù)字時代的新跨越、新發(fā)展。

紫光集團聯(lián)席總裁兼新華三首席執(zhí)行官于英濤談到,通過推動數(shù)字經(jīng)濟和實體經(jīng)濟融合發(fā)展,加快新舊發(fā)展動能轉換,打造新產(chǎn)業(yè)新業(yè)態(tài),數(shù)字經(jīng)濟已經(jīng)成為銅陵市實現(xiàn)社會經(jīng)濟高質量發(fā)展的新引擎。作為具備“從芯到云”全產(chǎn)業(yè)鏈條的數(shù)字產(chǎn)業(yè)引領者,紫光集團將依托在智能科技方面的產(chǎn)業(yè)布局與云網(wǎng)領域的創(chuàng)新成果,服務銅陵的數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展和數(shù)字產(chǎn)業(yè)建設,引領銅陵百行百業(yè)的數(shù)字化轉型,為“云上銅都”打造最堅實的數(shù)字基石。

多年來,紫光集團積極參與安徽省的數(shù)字經(jīng)濟和數(shù)字產(chǎn)業(yè)發(fā)展,于2017年在安徽成立了新華三信息安全技術有限公司,不僅帶來了直接的經(jīng)濟和產(chǎn)業(yè)收益,更匯聚一批信息安全領域的前沿研發(fā)成果和相關高端人才,助力安徽省信息安全產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和壯大。在銅陵市,紫光集團不止服務于銅都百行百業(yè)的數(shù)字化轉型,為銅陵市數(shù)據(jù)資源管理局、銅陵市人民醫(yī)院、銅陵學院、四大國有銀行銅陵分行、銅陵有色集團等行業(yè)客戶提供了全面的支持,推進數(shù)字產(chǎn)業(yè)在銅陵市的落地發(fā)展,為銅陵市社會經(jīng)濟的高質量增長提供直接的支持。

如今,銅陵市正通過產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、數(shù)字產(chǎn)業(yè)化,推動產(chǎn)業(yè)全面轉型升級,打造數(shù)字化時代的新型智慧城市建設典范。在這一過程中,紫光集團將積極參與銅陵市的產(chǎn)業(yè)轉型和經(jīng)濟發(fā)展,推進城市云建設,培育云產(chǎn)業(yè)生態(tài),為銅陵的發(fā)展和變革搭建云上新平臺,引領這座中部地區(qū)的工業(yè)重鎮(zhèn)實現(xiàn)智慧升級。

銅陵市政府副秘書長皇甫越,數(shù)據(jù)資源管理局局長胡振南,招商服務中心主任肖凌平,大數(shù)據(jù)中心主任方永杰,資本運營公司董事長汪暉,新華三集團副總裁王小魯,中國區(qū)副總裁曹江陽,安徽代表處總經(jīng)理盛劍暉,安徽代表處副總經(jīng)理袁寶弼、許志恒,新華三集團銅陵區(qū)域經(jīng)理石磊參與簽署儀式。

卓勝微擬募資約30億元 與Foundry合作建前道晶圓生產(chǎn)專線

卓勝微擬募資約30億元 與Foundry合作建前道晶圓生產(chǎn)專線

近日,江蘇卓勝微電子股份有限公司(以下簡稱“卓勝微”)發(fā)布2020 年度向特定對象發(fā)行A股股票募集資金使用可行性分析報告(修訂稿)公告稱,向特定對象發(fā)行A股股票募集資金30.06億元。

據(jù)披露,卓勝微本次發(fā)行募集資金總額扣除發(fā)行費用后將用于“高端射頻濾波器芯片及模組研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”、“5G通信基站射頻器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”和“補充流動資金”。

其中高端射頻濾波器芯片及模組研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目總投資為227,430.12萬元,擬使用募集資金141,760.77萬元。該項目將針對高性能、復雜應用的高端濾波器開展設計研發(fā),形成工藝技術能力和量產(chǎn)能力。

該項目的產(chǎn)品將主要應用于移動智能終端設備。此次對于高端濾波器的涉獵,結合公司首次公開發(fā)行時的募投項目建設,可實現(xiàn)公司濾波器產(chǎn)品線在移動智能終端領域的完整產(chǎn)業(yè)化布局。

本項目的建設共分成兩期進行,第一期是項目建設前3年,第二期是項目建設的第4年和第5年,兩期的主要工作包括:1、設計開發(fā)高性能、高頻濾波器芯片及模塊產(chǎn)品,增加濾波器在高頻高性能方面的產(chǎn)品布局;2、建立高頻、高性能濾波器的工藝平臺,與Foundry配合完成工藝的調整與工藝能力的提升。

卓勝微表示,通過與Foundry共同投入資源合作建立前道晶圓生產(chǎn)專線,旨在進一步深入拓展高端濾波器產(chǎn)品,滿足客戶對定制化、高性能、高復雜度射頻濾波器的需求,搶位高端射頻濾波器市場份額,覆蓋低、中、高頻段的各種應用場景,建立完整的射頻濾波器產(chǎn)品線。

5G通信基站射頻器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目項目總投資為163,801.33萬元,擬使用募集資金83,793.00萬元。該項目將針對高頻、高性能、高功率、復雜應用,適用于5G通信基站的射頻器件開展設計研發(fā),形成工藝技術能力和量產(chǎn)能力。

該項目的建設共分成兩期進行,第一期是項目建設前3年,第二期是項目建設的第4年和第5年,兩期的主要工作包括:1、設計開發(fā)適用于5G頻段的通信基站產(chǎn)品;2、建立各產(chǎn)品相關的工藝平臺,包括新材料、新工藝相關的技術平臺,與Foundry配合完成工藝的調整與工藝能力的提升。

卓勝微表示,通過與Foundry共同投入資源合作建立前道晶圓生產(chǎn)專線,對新技術、新材料、新工藝持續(xù)創(chuàng)新研究,拓展通信基站應用領域。該項目的產(chǎn)品將主要應用于5G通信基站設備。此次對于5G通信基站的涉獵,結合此前公司深耕移動智能終端領域的技術和資源積累,可實現(xiàn)公司進一步覆蓋更多樣化的終端市場和應用領域,并形成差異化的產(chǎn)品布局。

三星12英寸閃存芯片二期一階段項目竣工投用

三星12英寸閃存芯片二期一階段項目竣工投用

7月1日,西安高新區(qū)重點項目集中開工、竣工儀式舉行,據(jù)西安高新區(qū)消息,此次集中竣工投用儀式的項目共有25個,總投資560億元,包括三星12英寸閃存芯片二期一階段項目,西安高新區(qū)發(fā)文指出,這些項目的順利投產(chǎn),將為高新區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入更強大的動能,進一步鞏固高新區(qū)全球半導體產(chǎn)業(yè)基地的地位。

資料顯示,三星存儲芯片項目2012年落戶西安高新區(qū),一期項目于2014年5月竣工投產(chǎn),總投資108億美元,建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目;二期項目總投資150億美元,主要制造閃存芯片,分兩個階段進行,其中第一階段項目總投資70億美元;第二階段投資80億美元,已于去年年底啟動建設,預計2021年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

2020年3月10日,三星(中國)半導體有限公司高端存儲芯片二期第一階段項目產(chǎn)品正式下線上市。

據(jù)此前的消息指出,三星高端存儲芯片二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,新增產(chǎn)值300億元,解決上千人就業(yè),并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶,使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

科創(chuàng)板的張江“芯”版圖

科創(chuàng)板的張江“芯”版圖

科創(chuàng)板又掀起了一股半導體上市熱潮。

6月29日晚間,芯片制造巨頭中芯國際科創(chuàng)板IPO注冊成功。此外,寒武紀、芯原股份、盛美半導體、格科微、上海合晶、恒玄科技等半導體明星企業(yè)也均鋪陳于科創(chuàng)板“芯”版圖。

數(shù)據(jù)統(tǒng)計,目前科創(chuàng)板已經(jīng)上市的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈公司達到了17家,總市值近6000億元,占科創(chuàng)板市值比例約30%;同時,還有近40家集成電路相關企業(yè)正在上市的過程中(含輔導中)??梢哉f,科創(chuàng)板已經(jīng)成為很多集成電路企業(yè)上市的首選之地。

而說到科創(chuàng)板“芯”版圖,我們不得不提張江,這個中國集成電路產(chǎn)業(yè)的搖籃和領頭羊,已經(jīng)在科創(chuàng)板留下了太多重墨之筆:“001號”科創(chuàng)板企業(yè)晶晨半導體、首批掛牌上市企業(yè)心脈醫(yī)療、安集微電子和樂鑫科技以及如今有望成A股市值最高的半導體公司中芯國際……太多亮點,串聯(lián)起了科創(chuàng)板的張江“芯”篇章。

今天,張江頭條就來給大家詳細講講科創(chuàng)板張江板塊的“芯”戰(zhàn)況,看看已經(jīng)有哪些公司成功上市以及還有哪些“芯”公司正在備戰(zhàn)科創(chuàng)板。

數(shù)據(jù)來源:張通社Link數(shù)據(jù)庫

張江或將誕生科創(chuàng)板市值第一的半導體公司

中芯國際宣布回歸A股之路,可用“閃電”二字來形容:

5月5日,中芯國際“官宣”在科創(chuàng)板上市;

6月1日,遞交的科創(chuàng)板上市申請被上交所受理;

6月4日,上交所對中芯國際發(fā)出首輪問詢;

6月7日,公司披露回復,用時僅四天;

6月19日,中芯國際過會;

6月29日,獲得證監(jiān)會注冊批文;

6月30日,科創(chuàng)板IPO注冊顯示生效。

19天過會,29天拿到注冊批文,中芯國際上市科創(chuàng)板可謂“一路暢通”。不過對此,各方都表示早有預期,并且還預測稱,中芯國際或最快在7月中旬實現(xiàn)上市。

招股書說明書顯示,中芯國際成立于2000年,為目前國內(nèi)規(guī)模最大的集成電路晶圓代工企業(yè),主要為客戶提供0.35微米到28納米的晶圓代工與技術服務。本次科創(chuàng)板上市,中芯國際擬發(fā)行不超過16.86億股新股,預計募資200億元人民幣,為科創(chuàng)板之最。

除了創(chuàng)下融資記錄外,中芯國際還有望成為科創(chuàng)板市值最高的半導體公司。國信證券分析師何立中日前發(fā)布的一份研報所示,假設只考慮14nm先進制程,中芯國際計劃未來建設2座12寸的工廠,月產(chǎn)能3.5萬片。按A股半導體公司平均市盈率93倍計算,未來市值可到6500億元人民幣。此外,還有證券分析人士認為,中芯國際在科創(chuàng)板發(fā)行的股票市值將達到2000億元。

不管最終市值幾何,但根據(jù)目前網(wǎng)上的一些預測,我們可以預見,中芯國際上市當日必定會掀起資本市場的一場巨浪。

張江企業(yè)拿下科創(chuàng)板001號受理批文

大國角力,芯片是主戰(zhàn)場。這在科創(chuàng)板整個版圖中,也可窺見一二。

科創(chuàng)板作為培育“硬科技”企業(yè)的沃土,最先拔得頭籌的也是半導體公司。2019年3月22日,科創(chuàng)板首批受理公司出爐,注冊于上海張江的晶晨股份拿到了科創(chuàng)板001號受理批文,正式開講科創(chuàng)板的“張江故事”。

晶晨股份成立于2003年,是一家無晶圓半導體系統(tǒng)設計企業(yè),主營業(yè)務包括多媒體智能終端 SoC 芯片的研發(fā)、設計與銷售。公司自主研發(fā)的OTT/IPTV智能機頂盒主控芯片、4K智能電視主控芯片在國內(nèi)芯片、新一代智能音箱家居主控芯片等產(chǎn)品在國內(nèi)外市場占有率均處于前列。

因手握“001號”稱謂,晶晨股份一直備受矚目。2019年8月8日,公司作為科創(chuàng)板第二批企業(yè)正式掛牌上市,當日晶晨股份暴漲300%,市值一度突破600億。公司實控人鐘培峰夫妻倆的身價也隨之暴漲,家族躋身百億富豪榜。

張江2只“芯”股成為首批科創(chuàng)板上市企業(yè)

集成電路是科創(chuàng)板一道亮麗的風景線,在科創(chuàng)板開閘首日就迎來了一波小高潮。

2019年7月22日,科創(chuàng)板在距離張江13公里的陸家嘴金融城正式開市,首批25家企業(yè)集中鳴鑼掛牌。其中,集成電路企業(yè)占據(jù)5席,來自張江的有2家,分別為安集微電子和樂鑫科技。

這兩家公司均為行業(yè)領先企業(yè),加速著國產(chǎn)替代。樂鑫科技致力于前沿低功耗Wi-Fi+藍牙雙模物聯(lián)網(wǎng)解決方案的研發(fā),在物聯(lián)網(wǎng)Wi-Fi MCU芯片領域,是唯一一家與高通、德州儀器等同屬于第一梯隊的大陸企業(yè),公司產(chǎn)品具有較強的進口替代實力和國際市場競爭力。

而安集科技則是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務為一體的自主創(chuàng)新的高科技微電子材料公司。雖然在細分領域全球市場份額占比不高,但其核心產(chǎn)品化學機械拋光液,已經(jīng)成功打破國外廠商的壟斷,實現(xiàn)了進口替代,使中國在該領域擁有的自主供應能力,公司也躋身國內(nèi)半導體材料企業(yè)第一梯隊。

除了安集電子和樂鑫科技之外,首批掛牌上市企業(yè)中,還有一家也與張江頗有淵源。2004年,尹志堯帶領14名半導體設備行業(yè)的華人技術和管理專家來到張江,創(chuàng)立了中微公司。值得提及的是,作為集成電路設備行業(yè)的領先企業(yè),中微公司還是科創(chuàng)板首家市值突破千億的公司。

一個進擊的張江“芯”世界

科創(chuàng)板定位“硬科技”,從誕生以來,吸引了很多集成電路板塊的企業(yè)的加入,可謂“明星云集”。

縱觀張江的“芯”版圖,自然也是百花齊放。大陸最大芯片代工制造商中芯國際、中國半導體IP之王芯原股份、國產(chǎn)半導體清洗設備龍頭盛美半導體、國產(chǎn)CMOS圖像傳感器巨頭格科微等行業(yè)領先的公司都將亮相于此,共同組成科創(chuàng)板的“張江板塊”。

據(jù)張通社Link數(shù)據(jù)庫統(tǒng)計,目前張江已成功上市的企業(yè)有5家,注冊生效和提交注冊的各1家,以及還有1家進入問詢階段。此外,張江的科創(chuàng)板半導體陣營也在不斷擴容,紫光展銳、上海微電子、普冉半導體、芯導電子等六家集成電路企業(yè)都在準備科創(chuàng)板上市,希望借助資本力量,打造“中國芯”,逐步把握產(chǎn)業(yè)鏈的話語權。

從產(chǎn)業(yè)鏈所屬環(huán)節(jié)來看,這16家覆蓋了芯片產(chǎn)業(yè)鏈的多個環(huán)節(jié),包括設計、裝備材料和封裝測試等。而這正是張江經(jīng)過二十多年積累,所營造出的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。張江已經(jīng)成為國內(nèi)集成電路最集中、綜合技術水平最高、產(chǎn)業(yè)鏈最為完整的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū),在這里,集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條中的任何一個環(huán)節(jié),你都能找到優(yōu)質的公司和人才。

不過從數(shù)據(jù)來看,大部分企業(yè)還是集中在附加值高的設計環(huán)節(jié),這也是張江集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上的“C”位,集聚了一大批集成電路設計龍頭企業(yè)和細分領域龍頭企業(yè)。比如已經(jīng)啟動科創(chuàng)板上市準備工作、預計將在今年正式申報科創(chuàng)板上市材料的紫光展銳,正是中國第二大移動芯片設計公司。

“中國芯”的崛起已經(jīng)勢不可擋??苿?chuàng)板的到來,剛好能成為推動集成電路行業(yè)發(fā)展的助燃劑。打開科創(chuàng)板張江“芯”版圖,我們不僅看到了張江的硬核力量,更是看到了中國IC企業(yè)的進擊身影。浪海浮沉,任重道遠,在機遇面前,他們正帶著使命與情懷,譜寫著中國芯的春天故事。

山西大同“半導體芯片用石英石墨材料項目”加速推進

山西大同“半導體芯片用石英石墨材料項目”加速推進

山西大同平城區(qū)聚焦“六新”,推進“六新”發(fā)展,不斷增強城市吸引力、創(chuàng)造力、競爭力。今年該區(qū)引進的新材料項目“半導體芯片用石英石墨材料項目”正在加快進度組裝調試生產(chǎn)設備,力求早日投產(chǎn)。

“半導體芯片用石英石墨材料項目”由大同錫純新材料有限公司生產(chǎn)完成,該公司主要生產(chǎn)電容石英、高純石墨等材料,應用于半導體及泛半導體行業(yè)(光伏及LED)用的耗材和第三代半導體材料。“半導體芯片用石英石墨材料項目”是平城區(qū)2020年新材料產(chǎn)業(yè)集群重點推進項目,總投資20億元,年內(nèi)計劃投資1.5億元。

據(jù)該項目相關負責人李杞秀博士介紹,該項目計劃分五期施行,一期投產(chǎn)后有望實現(xiàn)3億元的年銷售規(guī)模,實現(xiàn)利稅3000萬元以上。項目總體建成投產(chǎn)后,年產(chǎn)值有望實現(xiàn)32億元規(guī)模,實現(xiàn)利稅3億元?!啊雽w芯片用石英石墨材料項目’具有國際先進技術水平,可實現(xiàn)進口替代,它不僅填補了大同市該類項目的空白,為大同市建立半導體類產(chǎn)業(yè)集群奠定基礎,而且將為大同市帶來上億元的直接利稅收入?!崩铊叫悴┦空f道。

該項目目前已經(jīng)完成主要設備的主體安裝,預計一期工程將于9月底結束并開始批量生產(chǎn)電容石英?!霸擁椖吭谝脒^程中就受到了市區(qū)兩級政府的大力支持,同時得到了當?shù)睾献骰锇榈拇罅χС趾蛶椭?,我們將繼續(xù)努力,攻克難關,期待項目早日投產(chǎn)?!崩铊叫悴┦空f道。

這家企業(yè)擬沖刺科創(chuàng)板IPO 已進入上市輔導期

這家企業(yè)擬沖刺科創(chuàng)板IPO 已進入上市輔導期

7月1日,北京證監(jiān)局披露了平安證券股份有限公司(以下簡稱“平安證券”)關于昆騰微電子股份有限公司(以下簡稱“昆騰微”)首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導基本情況表,昆騰微已于6月9日與平安證券簽署上市輔導協(xié)議。

昆騰微成立于2006年9月,主要從事通訊及消費電子所需的模擬、混合、射頻信號集成電路設計和研發(fā),產(chǎn)品包括為無線類產(chǎn)品、高端模數(shù)混合類產(chǎn)品、金融安全類產(chǎn)品三大系列。

其中,無線類產(chǎn)品主要有高性能單片數(shù)字調頻發(fā)射機系列、高性能單片數(shù)字調頻接收機系列、高性能單片數(shù)字調頻調幅接收機系列和無線音頻傳輸系列四大類產(chǎn)品;高端模數(shù)混合類產(chǎn)品主要有高速數(shù)模轉換器(DAC)、高速模數(shù)轉換器(ADC)、低速模數(shù)轉換器(ADC)、低速數(shù)模轉換器(DAC)等產(chǎn)品;金融安全類產(chǎn)品主要有面向智能卡的芯片產(chǎn)品和面向智能卡應用的終端芯片產(chǎn)品。

數(shù)據(jù)顯示,2017年、2018年、2019年上半年,昆騰微分別實現(xiàn)營業(yè)收入1.02億元、1.04億元、6925.07萬元;分別實現(xiàn)歸屬于掛牌公司股東的凈利潤1165.92萬元、470.39萬元、923.75萬元;毛利率分別為55.61%、55.91%、59.82%。

2016年1月,昆騰微正式掛牌新三板。2019年12月,昆騰微發(fā)布公告,公司董事會審議通過了《關于申請公司股票在全國中小企業(yè)股份轉讓系統(tǒng)終止掛牌》等議案,為適應公司的 長期戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃及配合公司自身的業(yè)務發(fā)展要求,降低運營成本,提高經(jīng)營決策效率,集中精力實現(xiàn)計劃目標,公司擬申請公司股票在全國中小企業(yè)股份轉讓系統(tǒng)終止掛牌。

2020年2月18日,昆騰微向全國中小企業(yè)股份轉讓 系統(tǒng)有限責任公司報送了終止掛牌的申請材料,其申請材料獲得受理并予以同意。2020年2月27日起,昆騰微股票終止在全國中小企業(yè)股份轉讓系統(tǒng)掛牌。

從新三板摘牌后,如今昆騰微啟動IPO征程,擬在科創(chuàng)板上市。

西部數(shù)據(jù)發(fā)布最新企業(yè)級存儲解決方案:第三代NVMe SSD+NVMe-oF存儲平臺

西部數(shù)據(jù)發(fā)布最新企業(yè)級存儲解決方案:第三代NVMe SSD+NVMe-oF存儲平臺

數(shù)據(jù)創(chuàng)建速度正在以指數(shù)級增長并對我們的生活、工作等產(chǎn)生影響,預計到2024年,創(chuàng)建的數(shù)據(jù)量將會達到143ZB的數(shù)據(jù),面對如此巨大的數(shù)據(jù)量,數(shù)據(jù)存儲至關重要。

尤其今年以來,由于新冠疫情在全球范圍爆發(fā),云端服務、線上教學等應用需求劇增,企業(yè)級存儲固態(tài)硬盤上半年表現(xiàn)強勁。

縱觀固態(tài)硬盤市場,隨著市場需求變化及技術發(fā)展升級,近兩年來,NVMe SSD憑借其優(yōu)勢性能越來越受到企業(yè)級存儲市場青睞。

在數(shù)據(jù)中心領域,NVMe已超越SATA、SAS成為最主要的接口,據(jù)悉,企業(yè)級閃存2020年-2023年NVMe SSD年均復合增長率達41%。目前,各大存儲廠商已相繼推出系列NVMe SSD產(chǎn)品以搶攻市場。

近日,存儲器大廠西部數(shù)據(jù)亦發(fā)布了其新一代NVMe SSD和NVMe-oF解決方案。6月29日,西部數(shù)據(jù)在上海舉行企業(yè)級存儲解決方案新品發(fā)布會,推出最新企業(yè)級存儲解決方案——新款雙端口高性能Ultrastar DC SN840 NVMe SSD、OpenFlex Data24 NVMe-oF Platform和RapidFlex控制器。

西部數(shù)據(jù)公司高級副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理Steven Craig表示,我們正身處前所未見的全新數(shù)據(jù)時代,數(shù)據(jù)已成為全球經(jīng)濟的引擎,數(shù)據(jù)產(chǎn)生和存儲的形態(tài)正在持續(xù)演變,大容量硬盤在未來數(shù)據(jù)存儲中將繼續(xù)發(fā)揮關鍵作用。今年是西部數(shù)據(jù)成立50周年,在此之際推出新一代企業(yè)級存儲解決方案,以滿足大數(shù)據(jù)時代需求。

左:西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)業(yè)務總經(jīng)理劉鋼;右:西部數(shù)據(jù)公司高級副總裁兼中國及亞太區(qū)總經(jīng)理Steven Craig

?Ultrastar DC SN840 NVMe SSD:雙端口、高性能 攜手騰訊云部署

發(fā)布會上,西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)業(yè)務總經(jīng)理劉鋼表示,西部數(shù)據(jù)擁有豐富的NVMe固態(tài)硬盤產(chǎn)品組合,此前已發(fā)布了為專用場景而打造的Ultrastar DC SN340 NVMe SSD和提供均衡性能以支持通常工作負載的Ultrastar DC SN640 NVMe SSD。Ultrastar DC SN840 NVMe SSD是西部數(shù)據(jù)第三代解決方案,是適用于HPC服務器和關鍵業(yè)務應用的高性能NVMe固態(tài)硬盤。

據(jù)其介紹,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD整合了垂直集成的西部數(shù)據(jù)內(nèi)部NVMe控制權、96層3D TLC NAND,擁有PCIe3.1雙端口并同時支持單端口使用,包括1DW/D和3DW/D兩個指標的耐久級別,涵蓋1.6T/1.92T/3.2T/3.84T/6.4T/7.68T/15.36T等不同容量級別,客戶可自主靈活配置單/雙端口、耐久級別以及容量級別,在擁有高性能優(yōu)勢的同時亦具備更靈活性和廣實用性,可滿足客戶不同等級需求。

在吞吐能力方面,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD可提供高達780K/250K的隨機讀/寫IOPS,工作負載量為50%讀,50%寫。

Ultrastar DC SN840 NVMe SSD采用主流通用架構,但由前一代產(chǎn)品的8通道升級到16通道,使得Ultrastar DC SN840 NVMe SSD在實現(xiàn)性能升級的同時亦保持了云服務商所看重的產(chǎn)品一致性與持續(xù)性。

此外,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD可支持128個命名空間、SGL、SRIS、原子文件寫入,可靠性方面,MTBF為2.5Mh、UBER為1E-17,安全性方面,支持全面的斷電數(shù)據(jù)保護、數(shù)據(jù)加密等。

劉鋼指出,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD旨在加速云計算、確保負載著關鍵業(yè)務應用的服務器運行以及高可用性外部存儲的解決方案,可從高性能計算(HPC)、云計算、SQL/NoSQL數(shù)據(jù)庫、虛擬化(虛擬機/容器)、人工智能/機器學習和數(shù)據(jù)分析等各個方面來滿足這些應用的需求,包括卓越的讀/寫和混合工作負載性能、低延遲以及雙端口高可用性需求,應用場景包括基因組研究、實時分析、高頻交易、托管服務、視頻分析、實時遙測等。

值得一提的是,劉鋼在發(fā)布會上表示,西部數(shù)據(jù)進一步深化與騰訊云之間的技術合作,攜手對Ultrastar DC SN840 NVMe SSD的部署進行驗證,西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN840 NVMe SSD對比當前的西部數(shù)據(jù)SATA固態(tài)硬盤,有多達5倍的帶寬提升以及更低的響應時間。騰訊云服務器與供應鏈管理部總經(jīng)理劉裕勛表示,西部數(shù)據(jù)的高性能存儲能很好的滿足以高性能和低延時為核心的騰訊云在數(shù)據(jù)密集性方面的需求。

OpenFlex Data24 NVMe-oF存儲平臺:高密度、低延遲 助力擴容共享

除了Ultrastar DC SN840 NVMe SSD,西部數(shù)據(jù)還帶來了其OpenFlex Data24 NVMe-oF存儲平臺及RapidFlex NVMe-oF控制器。

RapidFlex NVMe-oF控制器是西部數(shù)據(jù)基于RapidFlex RDMA的新產(chǎn)品,是自西部數(shù)據(jù)收購收購Kazan Networks之后,首個集成了該品牌技術的解決方案。劉鋼指出,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD和自制RapidFlex NVMe-oF控制器皆為可各自獨立的解決方案,而二者結合則可以構建成一個新型共享存儲JBOF(固態(tài)硬盤簇)機箱“OpenFlex Data24 NVMe-oF存儲平臺”,通過低延遲以太網(wǎng)光纖網(wǎng)絡將NVMe的價值延伸至多個主機。

OpenFlex Data24 NVMe-oF存儲平臺基于RESTful API的管理支持,通過雙IOM模塊提供高可用性,每個IOM具有3個啟用了RDMA的西部數(shù)據(jù)NVMe-oF適配器,雙IOM最多可提供6個全性能的100GbE端口,外觀上采用較短的底盤深度,適合大多數(shù)普通機架。

據(jù)劉鋼介紹,OpenFlex Data24 NVMe-oF存儲平臺具有高密度、低延遲等性能優(yōu)勢,允許多臺主機通過低延遲以太網(wǎng)結構共享Ultrastar NVMe SSD的全部帶寬,可在緊湊的2U機箱中配置24個熱插拔Ultrastar DC SN840 NVMe SSD,最多可提供高達368TB的共享存儲容量。

OpenFlex Data24 NVMe-oF存儲平臺整體設計集成了NVMe-oF控制器,滿足流暢網(wǎng)絡連接和低功耗的需求,可以在無需外部交換機的情況下通過100GbE端口直接連接多達6臺主機。即使有多達6個適配器添加到OpenFlex Data24,RapidFlex NVMe-oF控制器也可提供低于500納秒的延遲以及高達13M IOPS/70GB/s的預期性能。?

劉鋼表示,OpenFlex Data24 NVMe-oF存儲平臺將Ultrastar DC SN840 NVMe SSD的高性能優(yōu)勢擴展到了整個低延遲以太網(wǎng)數(shù)據(jù)矩陣中,從而為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT用戶提供了靈活性,使他們能夠更有效地擴展存儲容量并共享解耦存儲資源,以滿足苛刻工作負載的更高性能需求,該平臺還可與OpenFlex F系列產(chǎn)品可完全兼容。

據(jù)西部數(shù)據(jù)方面透露,新款Ultrastar DC SN840 NVMe SSD將于7月開始陸續(xù)上市,OpenFlex Data24 NVMe-oF存儲平臺計劃于今年秋季推出,并將提供五年有限保修,RapidFlex NVMe-oF控制器現(xiàn)已上市。

西部數(shù)據(jù)公司高級副總裁兼中國及亞太區(qū)總經(jīng)理Steven Craig在媒體問答環(huán)節(jié)表示,對中國市場預期總體非常看好,期待今年下半年新產(chǎn)品將會在中國市場取得較好的業(yè)績表現(xiàn)。

這家IC設計企業(yè)科創(chuàng)板申請迎來新進展

這家IC設計企業(yè)科創(chuàng)板申請迎來新進展

7月1日,證監(jiān)會發(fā)布消息指出,證監(jiān)會按法定程序同意深圳市力合微電子股份有限公司科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊,該企業(yè)及其承銷商將分別與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程,并陸續(xù)刊登招股文件。

資料顯示,力合微力合微成立于2002年,是清華力合旗下的Fabless集成電路設計企業(yè),自主研發(fā)物聯(lián)網(wǎng)通信核心基礎技術及底層算法并將研發(fā)成果集成到自主設計的物聯(lián)網(wǎng)通信芯片中,主要產(chǎn)品包括電力物聯(lián)網(wǎng)通信芯片、模塊、整機及系統(tǒng)應用方案。

招股書(注冊稿)顯示,力合微此次擬向社會公眾公開發(fā)行不超過2,700.00萬股人民幣普通股(A 股),擬募集資金3.18億元,實際募集資金扣除發(fā)行費用后將全部用于研發(fā)測試及實驗中心建設項目、新一代高速電力線通信芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化 、微功率無線通信芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、以及基于自主芯片的物聯(lián)網(wǎng)應用開發(fā)項目。

2017-2019年,力合微實現(xiàn)營業(yè)收入分別為1.35億元、1.88億元、2.77億元,凈利潤分別為1,344.09萬元、2,298.11萬元、4,345.61萬元。招股書顯示,報告期內(nèi),力合微業(yè)務收入主要源于物聯(lián)網(wǎng)領域自主研發(fā)技術和相應產(chǎn)品,且銷售業(yè)績和市場廣度持續(xù)增長。

截至2019年12月31日,力合微已有29項發(fā)明專利和21項布圖設計獲得授權,已獲授權發(fā)明專利中算法類專利共28項,電路類專利1項,發(fā)行人合計算法類專利在所有發(fā)明專利中占比高達96%以上。此外尚有實質審查或公開的發(fā)明專利共33項,其中算法類專利31項,電路類專利1項,設備類專利1項。

對于未來發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,力合微表示,作為致力于自主及核心技術的集成電路企業(yè),將以國家大力促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展和自主核心技術發(fā)展為契機,以物聯(lián)網(wǎng)市場和技術需求為導向,通過自主創(chuàng)新、自主核心技術研發(fā),不斷提升技術能力和水平,擴大產(chǎn)品系列,以具有核心競爭力的芯片技術和產(chǎn)品抓住市場機遇,使企業(yè)不斷發(fā)展壯大,在所專注的技術和市場領域努力發(fā)展成為具有國內(nèi)及國際競爭力的集成電路設計企業(yè),為國家戰(zhàn)略、核心技術發(fā)展、以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展做貢獻。

SK海力士量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”

SK海力士量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”

7月2日,SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。據(jù)悉,這是SK海力士繼去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的又一成果。

SK海力士新聞稿指出,HBM2E是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案,能以每個pin 3.6Gbps的處理速度,通過1,024個I/Os(Inputs/Outputs, 輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù),相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清(FHD)電影(每部3.7GB)。

此外,SK海力士此次量產(chǎn)的HBM2E能借助TSV(Through Silicon Via,硅通孔技術)技術將8個16Gb DRAM垂直連接,其容量達到了16GB,是前一代HBM2容量的兩倍以上。

H據(jù)了解,BM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性,是適合深度學習加速器(deep learning accelerator)、高性能計算機等需要高度計算能力的新一代人工智能(AI)系統(tǒng)的存儲器解決方案。與此同時,HBM2E將適用于在未來主導氣候變化、生物醫(yī)學、宇宙探索等下一代基礎、應用科學領域研究的Exascale 超級計算機(能夠在一秒內(nèi)執(zhí)行一百億億次計算的計算機)。

SK海力士副社長兼首席營銷官吳鐘勛表示:“SK海力士通過開發(fā)世界第一款HBM(High Bandwidth Memory)等成果一直引領著有助于人類文明發(fā)展的新一代技術革新。公司將通過本次HBM2E量產(chǎn)強化高端存儲器市場上的地位,并倡導第四次工業(yè)革命?!?/p>

2020年揭榜任務公布 安徽要突破這幾項集成電路關鍵技術

2020年揭榜任務公布 安徽要突破這幾項集成電路關鍵技術

近日,安徽省經(jīng)信廳引發(fā)《重點領域補短板產(chǎn)品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》(以下簡稱“方案”)。

根據(jù)《方案》,安徽省將聚焦新一代電子信息、智能裝備、新材料等重點領域,組織具備較強創(chuàng)新能力的企業(yè)揭榜攻關,通過2-3年時間,重點突破一批制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵技術,培育一批優(yōu)勢產(chǎn)品,做強一批優(yōu)勢企業(yè),不斷提高制造業(yè)自主可控水平,促進制造業(yè)高質量發(fā)展。

目前,安徽省已經(jīng)以制造業(yè)重大發(fā)展需求為目標,以突破產(chǎn)業(yè)關鍵技術短板為導向,著眼有基礎可產(chǎn)業(yè)化、突出產(chǎn)業(yè)帶動性,在10個重點領域、50個重點方向中確定了104項揭榜任務,其中包括多項集成電路產(chǎn)業(yè)的揭榜任務。

以下為部分集成電路產(chǎn)業(yè)揭榜任務:

射頻氮化鎵單晶襯底的主要任務為面向高端射頻領域,如軍用相控雷達、5G通信基站、衛(wèi)星通訊等,開展基于自支撐技術的高質量、大尺寸、半絕緣型的氮化鎵襯底生長及物性調控的研發(fā)與量產(chǎn)。

低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)的主要任務為面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求,研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,依托DRAM 17nm及以下工藝,攻關高速接口技術、Bank Group架構設計技術、低功耗電源(電壓)技術、片內(nèi)糾錯編碼(On-Die ECC)技術,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

15/14nm DRAM存儲芯片先進工藝開發(fā)及產(chǎn)品研發(fā)的主要任務為圍繞未來云計算、人工智能等對DRAM存儲芯片小尺寸、大容量、高速度的需求,進行15/14nm DRAM存儲芯片制造工藝開發(fā),并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

DRAM存儲芯片專用封裝工藝鋁重新布線層(Al RDL)工藝開發(fā)的主要任務為圍繞先進DRAM產(chǎn)品工藝開發(fā)需求,開展鋁重新布線層工藝開發(fā)并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用,采用氣相沉積氧化硅厚膜作為保護層降低材料應力,攻關濺鍍厚鋁技術替代電鍍銅(鎳鈀金)技術,通過鋁替代銅作為重新布線層,解決先進DRAM產(chǎn)品封裝良率低、成本高、周期長等問題。

5nm計算光刻國產(chǎn)化,該任務的研究內(nèi)容包括:計算光刻EDA軟件,提供高度智能化、自動化的EDA仿真軟件,含OPC和SMO兩大核心技術,同時將版圖到掩膜版數(shù)據(jù)轉換的全流程囊括其中,增加工藝探索、建模、圖形驗證、圖形校正、數(shù)據(jù)準備5大模塊,各個模塊可以獨立操作又能有效串連,對光刻工藝步驟構建適合的軟件模型,以純軟件模型取代工程實驗,達到降低研發(fā)成本的效果。通過內(nèi)建人工智能算法引擎,從而提高收斂準確性,支持5nm光刻工藝和多重圖形化(Multiple-Patterning)技術,實現(xiàn)Patterning圖形全流程自動化,最大程度減少對人的依賴,還起到了提高開發(fā)效率、減少人力成本、縮短開發(fā)時間的作用。

定位下一代EDA的5nm工藝研發(fā)DTCO平臺,主要內(nèi)容包括:將光刻工藝研發(fā)和器件工藝研發(fā)流程整合的工藝研發(fā)流程。包括七大模塊:1.性能評價模塊 2.功耗評價模塊 3.面積評估模塊 4.制程成本評估模塊 5.制程可行性評估模塊 6.智能設計規(guī)則管理系統(tǒng) 7.DTCO協(xié)作請求與控制系統(tǒng)。通過此DTCO平臺, 工藝研發(fā)人員將從研發(fā)早期確定技術路線,對性能功耗面積的持續(xù)優(yōu)化,評估工藝條件的可行性與成本,決定設計規(guī)則窗口,引入研發(fā)組織協(xié)作流程,將龐大的工藝研發(fā)信息納入統(tǒng)一管理,降低工藝研發(fā)成本,提高效率。?

5G高抑制n77頻帶帶通濾波器的主要內(nèi)容為實現(xiàn)高抑制Hybrid 5G n77濾波器產(chǎn)品研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化,解決射頻前端芯片“卡脖子”難題。

基于5G通訊的LTCC射頻器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的主要內(nèi)容為突破LTCC三維布局、傳輸零點的引入方法、LTCC濾波器的計算機輔助診斷與調試等關鍵技術。

國產(chǎn)化智能語音芯片研發(fā)的主要任務為:1.完全自研、自定義的DSP和AI加速器的指令和IP的研究設計;2.專用IP設計以及驗證:完成AI加速器微架構設計,指令集設計,用RTL實現(xiàn)并驗證,主要包括:1)AI加速器微架構設計,它可以較好的平衡各種算力需求和設計復雜度;2)針對人工智能算子,設計出AI加速指令。

存儲器芯片生產(chǎn)自動測試設備研發(fā)的主要任務包括1.ATE行業(yè)最高集成度的核心儀表板;2.行業(yè)最高的系統(tǒng)配置能力;3.行業(yè)內(nèi)最高生產(chǎn)并行測試能力。